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81.
曹娜 《中国金属通报》2020,(3):124-124,126
基于对石灰石在半钢冶炼工艺中应用的研究,首先,阐述半钢炼钢造渣存在的困难。然后,给出应用石灰石完善造渣状况思路。最后,给出试验方案与效果,包括试验方案、化渣效果、终点效果、结果分析等。  相似文献   
82.
在矿产资源开采中,半自磨工艺水平优势明显。对此,本文首先对半自磨工艺特点进行介绍,然后对半自磨工艺的适应性进行分析,并以某矿山为研究对象,对半自磨工艺在大型矿山选矿中的应用方式进行详细探究。  相似文献   
83.
84.
85.
马龙  鲍鹏 《人民长江》2022,(S1):193-196+203
介绍了一种新型设备检修的管理模式。这种管理模式是以结构化设计为核心思想,可以实现发电厂设备检修计划的闭环管理,使检修计划的制定、检修任务的分配、检修作业的执行以及检修进度的跟踪等各个环节均能做到相互关联和融合。在此基础上,开发出了信息化平台,利用该平台,实现了检修计划的一体化管理,相较于传统的管理模式,在数据的复用和业务单元的联动方面体现出了较好的优越性。实践表明:基于结构化设计的水电厂设备检修计划新型管理系统具有较强的实用性。  相似文献   
86.
胡彬  王晓军  张雷 《计算机工程》2022,48(12):112-118
元学习期望训练所得的元模型在学习到的“元知识”基础上利用来自新任务的少量标注样本,仅通过较少的梯度下降步骤微调模型就能够快速适应该任务。但是,由于缺乏训练样本,元学习算法在元训练期间对现有任务过度训练时所得的分类器决策边界不够准确,不合理的决策边界使得元模型更容易受到微小对抗扰动的影响,导致元模型在新任务上的鲁棒性能降低。提出一种半监督对抗鲁棒模型无关元学习(semi-ARMAML)方法,在目标函数中分别引入半监督的对抗鲁棒正则项和基于信息熵的任务无偏正则项,以此优化决策边界,其中对抗鲁棒正则项的计算允许未标注样本包含未见过类样本,从而使得元模型能更好地适应真实应用场景,降低对输入扰动的敏感性,提高对抗鲁棒性。实验结果表明,相比ADML、R-MAML-TRADES等当下主流的对抗元学习方法,semi-ARMAML方法在干净样本上准确率较高,在MiniImageNet数据集的5-way 1-shot与5-way 5-shot任务上对抗鲁棒性能分别约提升1.8%和2.7%,在CIFAR-FS数据集上分别约提升5.2%和8.1%。  相似文献   
87.
基于"强基薄面"设计理念,对于干线公路沥青路面强度而言,半刚性基层厚度极为重要。为此,该文以某干线公路大厚度半刚性基层施工为依托,从目标配合比设计、施工工艺及施工效果分析三方面进行了阐述,从而进一步规范施工工艺。同时,通过现场相关质量检测结果表明施工关键技术的有效性,且对通车30d后进行跟踪观测,结果表明大厚度半刚性基层施工效果良好。  相似文献   
88.
实训基地建设是专业建设的重要保障和基础,电子技术专业围绕“半校半厂、边学边做”的人才培养模式,坚持产教融合的原则,完成了职业化生产型实训基地的建设,提升了学生职业素养和专业能力。本文着重从建设过程和建设成效方面对电子技术专业的实训基地建设改革做了阐述。  相似文献   
89.
氟硅橡胶由于本身分子结构特性以及所采用的补强填料反应活性大等原因,在混炼过程中容易出现结构化和粘辊现象,造成加工困难,生产效率低,产品质量差。本实验对影响氟硅橡胶混炼工艺性能的因素进行了研究,结果发现结构控制剂、加工助剂、混炼时间等对混炼工艺和硫化胶性能均有一定的影响,通过控制助剂用量和混炼时间长短可以解决氟硅橡胶的结构化与粘辊问题,使生产效率得以提高,产品质量得以改善。  相似文献   
90.
目的探究磁流变动压复合抛光基本原理及抛光力学特性。方法通过建立磁流变动压复合抛光过程中流体动压数学模型,分析抛光盘面结构化单元对抛光力学特性的影响规律,并优化其结构。搭建磁流变动压复合抛光测力系统,探究工作间隙、抛光盘转速、工件盘转速和凸轮转速对抛光力的影响规律,基于正交试验,优化抛光效果。结果抛光盘面结构化单元的楔形区利于流体动压效应的产生,且流体动压随楔形角和工作间隙的增大而减少,随楔形区宽度的增大而增大。结构化单元较为合理的几何参数为:楔形角3°~5°,工作间隙0.2~1.0 mm,楔形区宽度15~30 mm。法向力Fn随工作间隙的增大而减小,随工件盘转速的增大而增大,随抛光盘和凸轮转速的增大而先增大后减小;剪切力Ft随工作间隙的增大而减小,随工件盘、抛光盘和凸轮转速的增大均呈现先增大后减小的规律。通过正交试验获得优化工艺参数为:抛光盘转速60 r/min,工件盘转速600 r/min,凸轮转速150 r/min。在羰基铁粉(粒径3μm、质量分数35%)、SiC磨料(粒径3μm、质量分数5%)、工作间隙0.4 mm和磁感应强度0.1 T工况下,抛光2 in单晶硅基片4 h后,表面粗糙度Ra由20.11 nm降至2.36 nm,材料去除率为5.1 mg/h,初始大尺度纹理被显著去除。结论磁流变动压复合抛光通过在抛光盘面增设结构化单元,以引入流体动压效应,强化了抛光力学特性,并利用径向往复运动的动态磁场实现柔性抛光头的更新和整形,最终达到了提高抛光效率和质量的目的。  相似文献   
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