膨胀石墨的表面改性及其在PIR-RPUF中的应用

采用聚乙烯醇(PVA)、钛酸酯偶联剂对无卤阻燃剂膨胀石墨(EG)的表面进行了改性,同时将改性EG应用于PIR-RPUF(聚异氰脲酸酯改性聚氨酯泡沫塑料)的阻燃体系中。沉降试验研究表明,表面改性显著提高了EG在PIR-RPUF原料多元醇中的分散稳定性;X-射线光电子能谱(XPS)表面分析指出,改性EG表面存在大量羟基官能团。将改性EG与聚磷酸铵(APP)复合用于阻燃PIR-RPUF,其压缩强度得到相应改善。     

磁性纳米光催化剂TiO2/SiO2/CoFe2O4的制备与结构性能的研究

用层状前体法制备了尖晶石铁氧体CoFeO4.在其表面依次包覆SiO2和具有光催化活性的TiO2,制备出磁性纳米光催化剂TiO2/SiO2/CoFe2O4.用XRD、FT-IR和VSM等表征技术研究了磁核CoFe2O4和磁性光催化剂的结构与性能.利用催化剂光降解甲基橙评价了催化剂的活性.     

并网逆变器小信号建模方法对比及其适用性分析

小信号建模是当前微电网稳定性分析和逆变器控制器设计的重要手段。依据是否考虑滤波器和线路的动态特性,小信号模型可以分为高阶模型和降阶模型,因此产生两种模型的对比问题。文中在考虑功率环、LC滤波器与线路阻抗等各环节小信号建模的基础上,针对单逆变器并网系统建立了高阶小信号模型。进而采用稳态方程描述滤波器和线路的动态特性,得到系统的降阶模型与误差表达式。然后针对单逆变器并网工况,利用MATLAB/Simulink软件,仿真验证了两种模型的正确性。随后,通过对特征根、主要相关状态变量与误差表达式进行分析,均表明降阶模型能够高精度地获取低频特征根。此外,通过对两种小信号模型获取的参数灵敏度和根轨迹进行分析,发现降阶模型应用到低频振荡、阻尼分析和控制器设计等场合的效果与高阶模型一致。但因无法获得中高频特征根,在低阻抗比或感性网络中存在稳定性判断错误的可能性。最后,通过根轨迹及功率响应波形,验证了这些结论的正确性。     

FTIR－TPD常压法研究吡啶在5A分子筛上的动态行为

采用高纯Ｎ＿２保护，利用ＦＴＩＲ－ＴＰＤ技术研究吡啶在５Ａ分子筛上的动态行为。试验结果表明：５Ａ分子筛吸附吡啶后，其升温脱附分四个阶段进行。这四个阶段分别为痕量水；氢键吡啶：Ｌ酸共价键吡啶；Ｂ酸离子键吡啶的脱附过程。动力学数据处理结果：Ｌ酸中心和Ｂ酸中心吸附吡啶后的表观脱附活化能分别为３７．２ｋＪ／ｍｏｌ和７０．２ｋＪ／ｍｏｌ。     

甲醇水蒸汽转化 Cu-Ni 双金属催化剂的制备、表征与筛选

从 Cu(NO_3)_2和 Ni(NO_3)_2制备系列 Cu-Ni 双金属催化剂,用于甲醇水蒸汽转化反应。经孔隙结构分析表明,催化剂的比表面和比孔容随不同 Cu/Ni 摩尔比而有规律性的变化。文中在连续流动反应(CFR)技术(尾气技术)的基础上,提出了用程序升温连续流动反应(TPCFR)技术对催化剂进行筛选,可以大大减少试验工作量。结合程序升温还原的试验结果,认为以400℃焙烧,用蒸发法制备的 Cu_(0.5)Ni_(05)催化剂样品的活性、选择性最好。     

双层侧壁保护的Si深槽刻蚀技术

提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺。在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过程中引入少量的O2,使得在刻蚀Si深槽过程中侧壁形成由氧离子辐照产生的SiO2薄膜和CFx聚合物淀积产生的双层保护层,强烈保护Si槽侧壁不被刻蚀,保证了良好的各向异性刻蚀。同时,通过优化刻蚀和钝化的时间周期,进一步提高了刻蚀后Si槽的陡直度和平滑的侧壁效果。采用这种工艺技术可制作出满足台面晶体管、高性能梳状沟槽基区晶体管需要的无损伤、平滑陡直的Si槽侧壁形貌。     

利用人工神经网络建立水滑石晶化过程的关联方程

采用人工神经网络方法对镁铝水滑石的连续晶化过程进行了研究,以便找出最佳的晶化条件。本文利用神经网络建立的模型,分析了成核料液的浓度、流量以及晶化温度、晶化时间对形成的水滑石晶体的影响,并由此建立了关联方程。研究表明最佳晶化条件:浓度在0.4~0.6 mol/mL,流量在18 mL/min左右,晶化时间400 min左右,晶化温度100℃。