基片温度对氧化钒薄膜结构与电性能的影响

以V2O5粉末为原料采用真空蒸发法结合真空退火还原法在玻璃基片上制备VOx薄膜，调节不同的基片温度获得几组薄膜。运用X-射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)分析发现随着基片温度的不同，薄膜成分、物相以及表面形貌有明显差异。在基片温度为200℃时所得薄膜的电阻温度系数(TCR)达到-0．03／℃，并发现基片温度越高，薄膜在室温附近的电阻率越低，电阻温度系数绝对值也越小。     

硅芯塑管在光缆通信线路中的应用

目前，先进国家普遍采用硅芯塑管作为光缆通信干线及高速公路通信的管道。经多年实践证明，光缆通信管道化在保证通信质量、安全，提高建设施工速度，降低生产成本等诸方面都有不可比拟的优越性。     

CMOS MEMS技术的现状及展望

简要介绍了MEMS的发展状况及CMOS工艺在MEMS中的地位。主要介绍了pre-CMOS，intermediate-CMOS和post-CMOS三种不同的CMOS MEMS工艺。详细讨论了CMOS MEMS今后将面临的挑战及其未来应用领域，最后，根据国内情况对我国CMOS MEMS的发展提出了建议。     

铁电随机存储器的研究进展

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器．以其高密度、高速度、非易失性及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。该文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题，并指出1T结构的铁电随机存储器(FRAM)将会成为下一代随机存储器。     

未来通信网的发展方向—WDM网

为了扩大现有通信网的容量，进一步挖掘光纤的频带资源，满足建设信息高速公路的需求，波分复用网前正受到国际上的广泛关注，人们不仅提出了许多网络管理及控制方法，而且已建立了一些试验网。本文对ＷＤＭ网有其目前面临的一些关键问题较全面的阐述和分析。     

向左走?向右走?——关于莱昂·克里尔(Leon Krier)和他的《建筑:选择还是宿命》(Architecture:Choice or Fate)

来自台湾的画家几米曾经出版过一本与本文标题同名的连环画,描述了一个发生在当代都市里的朴素但依然会让人心动的爱情故事,仅有一墙之隔的一对青年男女在偶然中相遇又在偶然中失去了联系,而每个人每天习惯性的或是向左走或是向右走几乎让他们失去了再次相遇的机会……当然作者最终还是画出了充满希望的结     

STE—2反场箍缩极向偏滤器实验的首批结果

已在有一个外偏滤器室的放电容器中产生了有单极向零的反场箍缩。在目前的实验中没有装上导电壳。极向偏滤器位形维持的时间为壁的时间常数，在磁起伏中ｍ＝１撕裂模的优势不受偏滤器位形的影响。采用偏滤器位形和在偏滤器电流达到主等离子体电流的３０％的情况下，极向偏滤器都没有引起对等离子体性能的有害效应。