MOCVD反应管中石墨基座高温控制技术研究

本文研究了使用电阻丝加热的MOCVD反应管中加热器的控制技术，报道了具有通用性的自动限流控制电路工作原理及其调试方法．本技术主要适用于高电阻温度系数加热元件的控制及保护，已成功地应用于MOCVD反应管中高温控制，加热器的使用寿命得到了显著提高．     

UUV群探测系统仿真设计

研究水下航行器(UUV)群协同探测问题,系统用多传感器协同探测,执行警戒、侦察、监视水下航行等作战任务,要求实时快速和准确探测。针对目前水下情况复杂,UUV导航精度低、水声通信误码率大等状态。为解决算法研制与实际结合不紧密的问题,提高UUV群协同探测系统性能,采用GUI函数接口,设计并实现了UUV群协同探测仿真系统。系统可通过可视化界面,用MATLAB平台对UUV群用于多目标的协同探测算法进行仿真。仿真结果表明,仿真系统能够满足UUV协同仿真测试要求,对于UUV群协同探测系统的研制具有重要的应用价值。     

基于统一计算设备架构技术的并行图像处理研究

对统一计算设备架构CUDA技术进行研究,分析了CUDAGPU的显著特性,总结了CUDA的通用并行程序模式,详细介绍了用CUDA实现直方图均衡化的过程,接着简要介绍了CUDA在其它图像处理算法中的应用;最后对比CPU和GPU计算256级直方图均衡化的时间,实验结果表明随着图像像素的增大,CUDA可以把计算速度提高40多倍,在其它的图像算法中,甚至可以上百倍地提高速度.     

基于比例导引的足球机器人截球算法研究

常用的足球机器人截球运动控制算法较少,通过类比机器人截球运动与导弹或鱼雷追踪目标的相似性,引入军事目标追踪导引算法中常用的比例导引算法,并给出了导引算法模型及其在足球机器人系统中的应用实现。仿真结果表明该算法效果明显,行之有效,并能够根据不同的应用要求灵活的调整导引系数,取得比较理想的截球控制效果。     

实时嵌入式开放标准平台T-Engine及其应用

T-Engine是构建泛在计算的下一代实时嵌入式标准开放平台,由标准化硬件结构T-Engine和标准开源实时操作系统核心T-Kernel组成,平台速度快、可移植性强。该文介绍T-Engine软硬件结构规范,并通过基于指纹识别的便携式信息查询系统设计,给出平台在嵌入式开发中的应用。测试结果表明,T-Engine平台能够很好地满足系统在体积、功耗以及实时性方面的要求。     

火神山医院施工策划与计划管理实践

武汉火神山医院建设工期异常紧张,建设规模大、功能设施齐全、涵盖专业众多,极短工期下各专业交叉明显,专业间互相制约。为理清各专业工序施工思路,建设管理中通过精心策划,采用快速建造、EPC管理、设计与资源相结合、科学组织、高效协调的总体思路,进行科学合理的施工组织,利用分区、工程量相近原则,重点抓住施工部署、计划管理、资源组织等关键环节,并进行工程整体推演,进行室内、室外工序分析,最终保工期、保质量完成施工任务。     

PEG对Ca0.68Mg0.2SiO3:0.12Eu3+红色荧光粉形貌及发光性能影响的研究

采用化学共沉淀法一次煅烧制备红色荧光粉Ca0.68Mg0.2SiO3∶0.12Eu3+的基质材料,借鉴表面扩散原理对红粉进行铕元素掺杂。用X射线衍射仪、荧光分光光度计和扫描电子显微镜对试样的晶体结构,发光性能及表面形貌进行了表征,进而研究了PEG的添加量对粉体形貌及发光性能的影响。结果表明:制得的基质粉末为CaSiO3,并含有少量的CaMg(SiO3)2,PEG的添加对样品结构有一定影响。与此同时可有效提高粉体的分散度和分布均匀性,改善粒子的形貌,荧光粉的发光强度随PEG的添加量增加出现了先增加后减小的趋势,这是因为PEG的量过多,影响了Eu3+及Mg2+取代Ca1、Ca2、Ca3格位,尽管晶体结构趋于完整,也不利于样品的发光。PEG的最佳添加量为样品质量的1%,此时粉体粒子直径约1.3~1.5μm,为类球状,PEG的添加大大提高了荧光粉的发光强度。     

上游带弯头的T型管内混合流动数值模拟的湍流模型评价

T型管是研究冷热流体混合流动及其引起的温度振荡现象的典型几何模型,而上游带弯头的T型管又是一不可忽视的特殊情形。本文运用计算流体力学软件,采用3种湍流模型（RNG k-ε 模型、SSG雷诺应力模型、LES模型）对上游带弯头T型管内冷热流体的交混现象进行模拟,并与实验数据进行了对比。结果表明：非混合区域如上游弯头内,RNG k-ε 模型、SSG雷诺应力模型的模拟结果与实验结果较吻合,而在混合区内LES模型的模拟结果更能表征实际流动。     

常压MOCVD生长的ZnO薄膜的电学性能

利用常压MOCVD法在蓝宝石(0001)衬底上沉积了非故意掺杂ZnO单晶薄膜．用Van der Pauw法测量了其从15K到室温的载流子浓度和霍耳迁移率，并用双层结构单施主模型对载流子浓度和迁移率进行了拟合分析．研究表明：ZnO薄膜浅施主能级为20.4meV，温度较低时，以电离杂质散射为主，温度较高时，以极性光学波散射为主．     

常压MOCD生长的ZnO薄膜的电学性能

利用常压MOCVD法在蓝宝石(0001)衬底上沉积了非故意掺杂ZnO单晶薄膜.用Van der Pauw法测量了其从15K到室温的载流子浓度和霍耳迁移率,并用双层结构单施主模型对载流子浓度和迁移率进行了拟合分析.研究表明:ZnO薄膜浅施主能级为20.4meV,温度较低时,以电离杂质散射为主,温度较高时,以极性光学波散射为主.