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正化学机械抛光(CMP)是集成电路制造的一个关键工艺步骤。随着晶圆尺寸增加至300 mm,对CMP全局平坦化效果的要求越来越高。目前人们对CMP机理的认识多集中在晶圆表面材料的去除机理,而对全局平坦化机理的研究很少。本文在CMP装备研发和在线测量系统研制的基础上,以流体作用为切入点,对300 mm晶圆CMP过程抛光接触面的流体润滑行为和晶圆状态进行系统的试验研究,为工业CMP过程晶圆平坦化机理研究奠定基础。主要研究工作如下。 相似文献
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首先对冲头压入问题进行了矢量分析,建立了速度矢量关系式,证明其散度为零。后经参量积分,广义积分,曲线积分按上界定理得到应力状态系数n_σ=2.57。 相似文献
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提出一种半无限体冲入问题的组合解法,即将冲头下部变形区模拟成满足上界连续速度场的矩形件压缩问题并将冲头外部变形区设定为滑移线场,首先按冲头外部沿移线场形状算出水平压应力的精确值,然后将该值做为矩形件压缩的已知侧压力,再以上界定理进行解析。最终以两种方法的组合给出冲压力的解析解。 相似文献
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