上胶工艺及半固化片质量分析

本文阐述了半固化片生产过程中的主要工艺即浸渍胶液的工艺过程及半固化片的表面质量。并分析了产生这些缺陷的因素。     

基于自适应四叉树分形图像编码的数字水印技术

提出了一种基于自适应四叉树分形编码的数字水印技术。对原始图像进行四叉树分形编码后，通过给定子块在不同的寻找区域中搜索其最佳匹配父块来嵌入水印。实验结果表明，本方法在嵌入水印编码时间、图像质量和鲁棒性方面均比传统的方法有较大的改进。     

半工艺无限向电工冷轧钢的技术特点及其退火热处理工艺探讨

叙述了半工艺无取向电工冷轧钢的技术参数特点，重点分析了半工艺无了以向电工冷轧钢的退火热处理工艺流程的一些相关试验的对比数据，同时也对半工艺无取向电工冷轧钢的价值成本及产生的经济效益进行了评价。     

半金属摩阻材料中铜纤维摩擦磨损行为的研究

用扫描电子显微镜(SME)和X-射线能谱分析法(EDX)对铜纤维增强的半金属摩阻材料与灰铸铁对偶滑摩后的摩擦表面进行了分析,研究了摩阻材料中铜纤维的摩擦磨损行为.结果表明,在摩擦磨损过程中,摩阻材料摩擦表面上铜的分布更加弥散化,并且铜纤维具有集铁作用,因而摩阻材料摩擦表面上形成了富铁贫铜表面工作层;铜能从摩阻材料摩擦表面转移到对偶摩擦表面,故对偶摩擦面上分布一定量铜,这是摩擦副具有稳定摩擦系数和良好耐磨性的关键因素;铜纤维取向对摩阻材料摩擦磨损行为有显着影响.     

筒体结构考虑地基变形时的计算

本文对处于弹性地基上筒体结构，用半解析微分方程求解器求解，将结构沿横向半离散化，取结线位移为基本未知函数，通过势能驻值原理，建立问题的半解析微分方程组及相应的边界条件，然后用常微分方程求解器ＣＯＬＳＹＳ求解。     

半绝缘多晶硅在高可靠大功率硅开关三极管中的应用

介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ一ＳＩＰＯｓ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ一ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法，生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测试结果，并且对本工艺所带来的特点进行了初步分析。     

光度法二元稀土混合物中钕、钐的同时测定

本文研究了钕、钐与半二甲酚橙及氯化十六烷基吡啶配合物的吸收光谱和导数吸收光谱。发现钕、钐配合物的最大吸收波长均位于６０６ｎｍ，二者的吸光度具有良好的加合性。钕配合物的４ｆ电子跃迁峰在５８５ｎｍ有显著增强，用四阶导数光谱测定钕。基于此，发展了一个光度法同时测定钕、钐的新方法，对合成样进行分析，结果令人满意。     

HVS：一个半现实全景图时空模型

利用实景图象组成具有空间感和时间感的虚拟空间，我们称之为半现实。这种具有空间“上下文”和时间“上下文”能力的半现实全景图可以应用于许多方面。文中描述了这种半现实ＨＶＳ的建模思想，给出了组成时空座标系的方法，并且讨论了实现中的若干问题。     

涂层材料的断裂分析(英文)

和基体厚度相比,涂层很薄,因此细观力学模型可把基体作为半无限弹性体。由于涂层和基体材料的膨胀系数及弹性系数不匹配,涂层材料中残余热应力的解析解为 E_c/(1-γ_c)·(α_s-α_c)△T。用有限元法校核,该应力和解析解吻合得好。通过对涂层产生裂纹驱动力和断裂韧性的讨论,提出了抗裂涂层厚度公式。