关于宋代制科试论发展之分期

宋代制科考试是重要的选拔人才方式之一，但它一直处于反复置罢的状况。本文通过对史料的梳理，对制科试论发展中的一些历史问题进行辨析，并将制科的变化过程与制科考试科目试论的发展结合起来考察，揭示试论地位在制科的置罢变化过程中不断得到巩固之情势。     

一种高速、低失真的采样保持电路

本文设计了一种低非线性，并提出了减小放大器的建高速、低失真的开关电容采样保持电路，它采用了bootstrapped开关来降立时间的方法。结果表明其在40M的采样速度下，可以得到大于70dB的线性。     

多峰函数优化的免疫云粒子群优化算法

为了尽可能寻找多峰函数的全部极值点及提高寻优精度,提出一种免疫云粒子群优化算法(PPSO)-融合云变异粒子群优化算法(CMPSO)的小波变异克隆选择算法(WMCSA)。PPSO混合算法设置了最大重复搜索代数M,以便尽可能搜索到全部极值点。在每一代重复搜索中,首先,通过引入基于云模型的云变异算子以提高种群的多样性,并使用云变异粒子群优化算法对可行域内的所有极值点进行全局搜索;然后,利用小波变异克隆选择算法对云变异粒子群优化算法搜索到的较优解进行局部搜索以进一步提高解的精度。针对复杂多峰函数的寻优测试表明:在保证收敛速度的同时,PPSO算法的收敛精度和搜索到的极值点数目均得到显著提高。离散混沌系统的应用实例也表明了PPSO算法的有效性。     

导线用高强度高导电性铜-铬合金的热处理和性能研究

高强度高导电性铜-铬合金是一种接触导线用铜合金,含0. 79%Cr、0. 11%Zr、0. 06%La和0. 06%Y(质量分数)。研究了铸态、固溶态、时效态和冷轧后时效态铜-铬合金的显微组织、硬度和导电性能。固溶处理工艺为950℃×60 min水冷,时效温度为400～600℃,时效时间0～360 mm,冷轧变形量20%～80%。结果表明:铸态铜-铬合金的组织为黑色Cr相和含钇和镧的亮白色Cu5Zr相;固溶处理后Cu5Zr相基本回溶于基体,黑色Cr相细小弥散;经60%冷轧变形的合金晶粒沿轧制方向拉长,尺寸约为400μm;时效时间相同,随着时效温度的升高,合金的硬度和电导率均提高;与未经冷轧的时效态铜-铬合金相比,经冷轧变形并时效的合金达到最高电导率的时效时间较短,且冷轧变形60%随后500℃时效60 min的合金硬度明显高于未经冷轧、500℃时效360 min的合金;冷轧变形60%、500℃时效60 min的铜-铬合金中有高密度位错和位错缠结,弥散的纳米级第二相与基体保持共格关系,使合金强化。     

一种基于PD模糊控制的新型载波恢复锁相环设计

针对数字锁相环中环路的锁定时间和锁定范围这一对相互制约的因素,改进了传统的Hilbert变换鉴相器,融合模糊逻辑的非线性推理和微分控制算法,优化环路滤波器参数,充分发挥微分控制的"预测"作用。仿真结果表明,在符号率100kbps,信噪比25dB的AWGN信道条件下,分别计算二、三、四阶环路滤波参数,采用本算法设计的数字锁相环,分别比传统固定带宽条件下锁定时间小8.7、9、8.3倍,锁定范围扩大5.3、5、5.9倍。使用SMIC0.18μm工艺进行综合,并且嵌入到QAM解调芯片中进行流片,测试结果表明,本芯片可清晰接收数字电视节目,锁定时间缩短6倍以上。     

基于Booth算法的32×32乘法器IP核设计

在Booth算法的基础上,提出了一个适用于多媒体加速单元(Multirnedia Accelerator)的乘法器IP核设计。通过增加一位符号位,本设计支持32X32无符号和有符号乘法。通过一个32X9结合2-bit Booth算法阵列乘法器循环四次加法．完成32bit乘法。前四个时钟周期,每次处理一个9bit乘法,后两个周期分别处理低32bit和高32bit加法。我们采用2．5v,0．25μm SMIC CMOS工艺,实现乘法器的设计,其中部分积求和部分和ALU单元．Hspice仿真的最大延迟分别为0．64ns,1．51ns。     

自由空间光通信系统的设计方法研究

随着光器件技术的发展,以及凭借着高带宽、方便、快捷等优势．自由空间光通信(FSO)系统已经逐步商用化、实用化。本文结合广东电信FSO商用实验网项目,对自由空间光通信系统的一些设计要点进行分析和研究。     

一种用于QAM解调的内插滤波器的设计

用频率响应最小均方误差的方法设计了一种用于数字电视QAM解调的插值滤波器,并提出了通过I/Q复用和部分模块的共用来实现插值滤波器的简化结构,节省了硬件资源。用Matlab对滤波器的性能进行了仿真,结果表明其对镜像信号的抑制达到-39dB,与其他类型的插值滤波器相比较,其对镜像信号的抑制性能更好。     

一种多模可编程前置分频器的设计

针对目前大多数射频可调谐芯片中前置分频器多为双模结构,设计了一种基于2/3分频单元的可编程多模(64～127)前置分频器.采用0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,在工作电源电压Vdd=5 V,输入频率为2.2 GHz的情况下,可实现分频比为64～127之间的可编程多值分频,功耗为37.18 mW.     

ΣΔ调制器的设计方法

介绍了sigma delta单环调制器的设计方法.详细阐述了如何把给定的要求转化为具体拓朴结构.通过该方法,设计者可以在仅知道精度要求的情况下,逐步实现所需要的电路结构,并通过-个三阶一位调制器的设计描述了这一流程.