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91.
利用球头铣刀对高温合金GH4169试件进行铣削加工,并对其加工表面完整性指标进行检测。结果表明:在选取的实验参数条件下,线速度vc对于表面粗糙度Ra、表面显微硬度和加工表面残余应力等表面完整性指标的影响不明显;表面粗糙度Ra和加工表面显微硬度会随着切深ap和每齿进给量fz的增大而增大;高温合金GH4169球头刀铣削加工后的表面残余应力σH呈现为拉应力状态,范围为219.3~338.9 MPa;残余拉应力随着切深ap和每齿进给量fz的增大而减小,原因是随着切深ap和每齿进给量fz的增大,加工表面的塑性变形程度逐渐增加。 相似文献
92.
为研究激光熔覆涂层温度场的演变和残余应力的分布规律,在316L不锈钢基板上激光熔覆Inconel718 (IN718) 合金,研究工艺参数对熔覆涂层宏观形貌的影响;基于实验所得工艺参数,利用Simufact Welding有限元软件建立热力耦合模型,通过数值模拟对熔覆过程中的温度场和应力场分布进行分析。结果表明:研究的工艺参数中,激光功率对涂层宽度的影响呈正相关性,送粉量对涂层高度呈较为明显的正相关性,而激光扫描速度对涂层高度呈较为明显的负相关性;熔池前端温度梯度最大,熔池尾部温度梯度较小;熔池峰值温度随着熔覆扫描的进行稳定于2 700 ℃左右;涂层最大残余应力为沿扫描方向上的拉应力,基板残余应力在涂层两侧呈对称分布,且最大残余应力为沿扫描方向的拉应力;残余拉应力是造成激光熔覆过程中基板“翘曲”变形的主要原因;基板与涂层热膨胀系数的差异是影响涂层与基板结合强度的另一原因。研究结果为后续基于实际工业中多层多道激光熔覆的研究奠定基础。 相似文献
93.
本文主要结合引进技术的消化、吸收,并根据多年来的生产实践,对106KA自焙上插槽的加工制备度进行两次改进,即由原来的每班两遍加工,改为大面分段,每斑四遍加工,后又改为每斑六遍加工。加工制度改变后,不但生产稳定,而且生产指标明显好转,阳极效应系数由1.9次/槽,日降到0.5次/槽.日,电流效率由86.7%左右提高到90%以上,吨铝直流电耗也降到了144000KWH以下。 相似文献
94.
95.
新疆大坝建设进展 总被引:3,自引:0,他引:3
本文回顾总结了新疆从平原水库建设到山区水库发展的历程,根据已建和在建59座山区水库的坝工技术特点,对今后大坝建设的发展趋势进行了分析评价。面对当前大规模兴建山区水库的情势,并针对干旱区内陆河流域的特点,提出了大坝建设与供水安全、防洪安全、生态安全、发电效益相协调和电调服从水调,坚持水资源综合利用;防洪兼顾生态,保障河流汛期所需生态流量过程;调节与反调节相结合,协调灌溉与发电用水矛盾的水资源综合调度管理要求。指出混凝土面板砂砾石堆石坝和沥青混凝土心墙堆石坝是当地材料坝发展的主要方向,高寒地区、高地震区、深厚覆盖层等特殊环境下筑坝技术的不断进步和创新,是提高大坝建设和运行管理技术水平和安全可靠性能的重要保障。 相似文献
96.
97.
质量驱动的产品设计质量模糊评价及方案决策方法研究 总被引:16,自引:0,他引:16
介绍质量驱动的产品开发方法及其计算机辅助方案集成决策系统,提出质量驱动的基于功能特征模型的产品设计质量模糊评价及方案决策方法。详细给出了该方法的主要步骤、数学模型及应用实例。 相似文献
98.
99.
针对某国Ⅵ天然气发动机各缸燃烧一致性差异过大的问题,利用计算流体力学(CFD)软件STAR-CCM+对该发动机的进气管路开展废气再循环(exhaust gas recirculation,EGR)率均匀性分析,发现第1缸~第3缸的EGR率高于第4缸~第6缸,1 200r/min全负荷工况EGR率相对偏差为-29.9%~34.2%。分析表明,EGR的引出方式为第1缸~第3缸单侧取气,导致EGR进气入口存在较大波动,是造成各缸EGR率分配不均的主要原因。从降低管路内EGR废气波动的角度提出了两种进气管路优化方案,使EGR废气在进入稳压腔之前得到了充分混合,各缸EGR率均匀性得到明显提高,EGR率相对偏差在±5%以内。 相似文献
100.
Adding transient voltage suppressor(TVS) transistors to an electric circuit is an important method to protect it from the fast-risetime electromagnetic pulse(FREMP) damage. The package form of the TVS transistors influences the volume, response time, and power consumption of the circuit. However, the influence of the package form on the clamp voltage of TVS transistors affected by FREMP is not considered yet. In this article, the results of the experiment comparing the influence of package form are described, where the rectangular pulses with rise time shorter than 1 ns are used to test protection performance of three different TVS transistors, which have the same framework but different breakdown voltages. The influence of the different package forms on the clamp voltage is analyzed by using the fitting model. It is found that the package form of TVS transistors has less influence on the current characteristics of their protection performance, but more on the voltage characteristics. It is concluded that the diameter or width of the TVS transistors is the main factor determining the clamp voltage. Thus, the diameter or width of the TVS transistors should be big enough to ensure the stabilization of clamp voltage, but, at the same time, fit the allowing volume. 相似文献