基于正序电压替代的零序功率方向补充比相方案

输电线路发生接地故障时，可能因零序电压不满足灵敏度要求，导致零序方向元件不能正确动作。针对上述问题，文中系统阐述了各种不对称接地故障下，系统各点故障前后正序电压的相位偏差、过渡电阻对各序分量相位的影响、正序与零序电压间最大相位偏差、送端与受端功角对该相位差的影响等，并据此提出了零压不够时采用正序电压代替零序电压进行比相的补充方案。理论研究及实时数字仿真系统（RTDS）仿真表明，新方案区外故障时不误动，区内故障基本正确动作，从而较大程度地改善了零序方向保护的整体性能。     

农机装备制造业服务型制造模式研究

农机装备制造业是确保粮食安全、助推农业现代化的重要基础。我国农机装备制造业服务型制造处于萌芽探索阶段，服务化水平落后于国际先进水平，难以满足当前农业生产、未来产业高质量发展的需要。本文基于我国农机装备制造业当前的发展现状，深度分析3家全球知名的农机装备制造企业服务化转型案例及经验，在此基础上归纳提炼了适用于我国国情的农机装备制造业服务型制造的3类模式。研究发现，农机装备制造业服务型制造模式实现具有较强的情境依赖性，服务能力是面向对象与面向组织的集成体，农机装备制造业服务型制造模式具有较强的收敛性。为此建议，加强农机装备制造产业内外合作，整合国际优势资源；培养专业农机服务队伍，塑造错位竞争优势；聚焦我国农事难题，开展技术与服务双创新。     

AOC 7KlrC9显示器通电不显示的检修

故障现象：日前接修一台AOC19英寸的显示器，型号是7KlrC9，产品名称是C996。客户说该机通电不显示。     

日立采用聚焦离子束技术制成亚微米 MOSFET

<正> 日立制作所最近采用聚焦离子束技术试制了有效沟道长度为亚微米的 MOSFET(IB-MOS)。由于 IB 技术的优良的可控制性和辐射效应的效果,现已成为必不可少的工艺技术。目前正在研究向新领域的应用问题,如向更高精度的微细区的掺杂、深结的形成和新物质的合成等。器件的制作:基本上是采用 n 沟硅栅工艺,用离子束注入到 MOSFET 的沟道中心部分的方法构成器件。栅材料是多晶硅,源和漏是用 As 注入,深2μm,沟长0.65μm;FIB是用 B~+     

平行线路纵联零序方向保护安全性分析

着眼于纵联零序方向保护的安全性，探讨了平行线路区内区外各种接地故障，研究发现，对于两侧均无电气联系的平行线路，纵联零序方向保护一定误动;对于一侧或者两侧有电气联系的线路（包括部分平行），是否误动取决于两者间联系是磁强于电还是电强于磁;对于一侧共母线的系统，此时纵联零序方向保护其实是安全的;对于同杆并架线路，纵联零序方向保护的安全性亦能得到保证。     

让电力系统更安全更可靠——开关柜内局部放电综合检测技术研究

主要介绍了地电波、超声和超高频三种局部放电检测技术的原理及特点,提出了融合三种检测技术的开关柜内局部放电综合检测方法,并应用该方法对运行开关柜进行了检测及分析,成功确定并排除了两起开关柜内部放电隐患。     

还原气氛对Sr_(1.94-x)Ba_xMgSi_2O_7:Eu_(0.01)~(2+),Dy_(0.05)~(3+)长余辉材料发光性能的影响

用高温固相反应法,分别在H2和CO还原气氛中制备了Sr1.94-x Bax MgSi2O7:Eu2+0.01,Dy3+0.05长余辉材料;研究了不同还原气氛对该系列荧光粉发光及余辉性能的影响。研究结果表明,随着Ba2+浓度的增加,荧光粉的晶体结构发生了改变,从而导致发射光谱和余辉光谱的峰位也发生了变化;CO还原气氛下所制备荧光粉的纯度要高于H2还原气氛下制备的样品,CO还原气氛下所制备荧光粉的余辉的初始亮度和衰减都明显优于H2还原条件下所制备的样品,说明CO还原条件下更容易形成具有合适浓度和深度陷阱的纯相荧光粉,有助于提高样品的余辉性能。     

P92钢表层纳米组织的热稳定性

本文通过表面纳米化处理(SMAT)在P92钢表层中形成纳米组织结构,研究了回火温度对表层纳米组织演化行为和析出行为的影响.结果表明:淬火态和回火态P92钢组织经过SMAT处理后沿深度方向依次是纳米层、剧烈变形层、最终过渡到正常组织.随后分别研究了淬火和回火态SMAT试样经不同温度回火后微观组织的再结晶及长大行为.经SMAT处理的铁素体纳米晶粒在550℃时仍能保持较好的纳米结构,甚至高达650℃时表层晶粒仍为纳米晶,当温度超过760℃时表层组织发生显著的再结晶和晶粒长大现象.纳米晶界能抑制淬火态P92钢在较低温度回火时M23C6碳化物的析出.纳米组织提高了高温回火过程中合金元素在铁素体中的扩散速率,加速了M23C6碳化物的长大过程.不同温度回火过程中SMAT纳米层中析出行为的变化将在本文中详细描述.