鄂尔多斯盆地蟠龙地区延长组长2、长6段流体包裹体研究

通过单偏光、荧光显微镜和显微冷热台测温观察等方法,对鄂尔多斯盆地延长组长2段和长6段内流体包裹体系统进行研究,归纳流体包裹体岩相学、均一温度和冰点温度等特征,结合盆地热演化史分析推测出储层内烃类充注史,并恢复研究区长6段早白垩世末期的古流体势。研究结果显示,研究区延长组内长2段和长6段内主要发生过一期油气充注,对应的地质历史时间为早白垩世中期(120~100 Ma)。      

TiB_2强化Fe-Cr-C堆焊合金组织和性能

在自制耐磨堆焊药芯焊丝的药芯中,添加不同含量的TiB2制备多种不同的药芯焊丝,探究TiB2对堆焊合金初生碳化物形态和性能的影响。通过光学显微镜、X射线衍射仪、扫描电镜、硬度仪和磨损试验机等仪器,研究耐磨堆焊合金显微组织、硬度和耐磨机理。结果表明:TiB2对堆焊合金中初生碳化物的生长起着重要的作用。随TiB2的加入,在堆焊合金的横截面上初生碳化物得到细化,在纵截面上柱状的初生碳化物开始变短;初生碳化物的各向异性减弱。堆焊合金中加入TiB2形成了新的合金碳化物TiC。通过TiB2强化的堆焊合金耐磨性和硬度均得到提高。     

鄂尔多斯盆地西南部致密砂岩气成藏主控因素

鄂尔多斯盆地西南部上古生界砂岩储层整体较为致密,已获得工业气流,成为鄂尔多斯盆地致密砂岩气储量接替区。为了明确该盆地西南部致密砂岩天然气成藏的主控因素及规律,运用气源条件、源储空间配置和储层质量等单因素叠合分析方法进行综合研究。研究表明：盆地西南部上古生界气源强度满足形成致密砂岩气藏的成藏下限要求,与烃源岩空间配套的致密砂体宏观上控制气藏的位置和规模,致密砂岩内石英含量及其孔喉连通程度微观上控制致密砂岩气藏的富集程度,而气源条件、源储配置和储层质量三元补偿的最佳配置区为天然气的高产区。研究结果为盆地西南部致密砂岩气藏的勘探开发提供了科学依据。     

浅谈安全工程专业《流体力学》课程改革

《流体力学》是一门理论性较强的工科基础课程,针对课程教学过程中存在的问题进行改革探索,通过课程改革提升该课程学生的学习水平,使学生具有扎实的流体力学理论基础并能为后续课程的学习打下较好的基础。     

石油沥青及渣油的组成分析方法研究进展

综述了近年来石油沥青及渣油四组分分析方法的研究进展。包括四组分分离方法的改进(高效液相色谱法、棒状薄层色谱-氢火焰离子检测仪法)、快速分析方法(红外光谱法、紫外/可见光谱-偏最小二乘法和核磁共振法)以及在四组分分离基础上进行的分子水平表征等方面,简述了这些方法的特点及其应用。     

AlGaInP高亮度发光二极管

分析了ＡｌＧａＩｎＰ材料的特点和ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管发光效率的决定因素,对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析,从理论上指出ＡｌＧａＩｎＰ发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取效率,而在黄绿波段是发光二极管的内量子效率。并利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ技术制备了ｃｄ级橙黄高亮度发光二极管,发光波长峰值在６０５ｎｍ,ＦＷＨＭ为１８．３ｎｍ,２０ｍＡ工作电流下,５．０８ｃｍ（２英寸）外延片管芯平均轴向发光强度为２０ｍｃｄ,最大３０ｍｃｄ,平均工作电压１．９Ｖ,透明峰值角度２θ１／２＝１５°时轴向发光强度达到１０００ｍｃｄ。     

利用OpenGL进行计算机辅助室内装饰设计

本论文从室内装饰设计要素出发,利用OpenGL中NURBS曲面造型、光照模型、消除隐藏面、纹理映射等技术,进行辅助室内装饰设计的应用研究,并在微机上得以实现．     

以教学楼环境营造透视“高职校园文化”——以安庆职业技术学院教学楼内部文化设计为例

正高等教育从大众化走向普及型的发展态势是以经济建设迅速发展为基础,对技能型人才的大量需求,给高等职业教育创造了大好机遇。高职教育是一种创新性的现代教育模式,关注高职院校建设中不可或缺的环节——校园文化建设的发展。校园文化是校风、学风和办学特色的综合载体,从职业教育发展特点来看,职业教育经过多年探索的并总结了职业教育发展的有效途径——产学研。以校企合作为特色的校园文化体现了大学价值取向和审美情趣,积极吸收和借鉴企业先进文化,加强与行业的合作突显企业文化的特色,融入本地域文化,与社会良性互动,营造良好高等职业教育特色的校园文化。安庆职业技术学院建院十周年来,逐渐形成了较特色鲜明的校园文化环境,伴随着学院发展校园文化环境建设亟待进一步完善和加强,以营造更好的教书育人氛围。     

离子束刻蚀法制备大功率高效率650nm AlGaInP可见光激光器

用纯Ar离子束刻蚀方法制备出大功率高效率650nm实折射率AlGaInP压应变量子阱激光器.对偏角衬底,干法刻蚀可得到湿法腐蚀不能得到的高垂直度和对称台面.制备的激光器条宽腔长分别为4μm和600μm,前后端面镀膜条件为10%/90%.室温下阈值电流的典型值为46mA,输出功率为40mW时仍可保持基横模.10mW,40mW时的斜率效率分别为1.4W/A和1.1W/A.     

3″硅生CVD外延电阻丝辐射加热物理基础及升温瞬态过程分析

本文论述了关于ＵＨＶＣＶＤ系统电阻丝辐射加热装置传热规律的物理基础；并利用它们对硅片升温的瞬态过程进行了研究，取得了与实验相近的结果。这为ＵＨＶＣＶＤ硅低外延时控制硅片温度提供了理论根据。