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91.
为了获得较好的DV-Xα计算结果,人们往往作基函数电荷自洽的计算。然而该自洽过程很慢,费机时较多,给实际计算带来许多困难。本文基于对碱金属叠氮化物计算结果的分析,提出了一套加速DV-Xα基函数电荷快速自洽计算的通用方法,用以大幅度减少该迭代过程的计算量。  相似文献   
92.
本文以频率、相位扫描体制雷达为例,探讨了实现实时比幅测角最佳及准最佳方法。对线性相加、峰值选择、最佳及准最佳处理方法进行了分析比较后,指出,准最佳处理方法不仅能大大地节省编程工作量,还能在整个比幅测角范围之内使测角均方根随机误差接近于最佳处理。  相似文献   
93.
本文对当前采用的逆变电源并联方案进行了总结和分类。在此基础上提出了无主可并联控制方式,并介绍了其结构和原理,给出了软件和硬件设计方案。实验结果证明此系统的控制稳定可靠。  相似文献   
94.
介绍并分析了LW25-126型SF6断路器的安装经验及存在的问题,并提出改进意见。  相似文献   
95.
基于RBF神经网络的改进多变量预测控制   总被引:2,自引:0,他引:2  
针对一类多输入多输出非线性被控对象,提出一种基于单神经网络的预测控制算法,应用RBF神经网络对非线性系统进行辨识,并计算被控系统多步预测输出值.该方法通过对传统预测目标函数加以改进,给出一种带微分项的多步预测目标函数,通过迭代寻优实时给出优化控制量.该方法实时性好,简化了传统预测控制算法,加快了滚动寻优的速度,有效地抑制了系统惯性和输入时滞所带来的超调,减小了模型误差、干扰及不确定性对控制器的影响.仿真及应用结果表明了该方法的有效性.  相似文献   
96.
Texas从头计算程序的移植和应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
97.
以APD-PIN结电容平衡门控猝灭电路(GPQC)和InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)为核心研制了可工作在宽门控频率范围下的近红外单光子探测器。门控信号为200 MHz以下任意重复频率的尖脉冲,门宽约1 ns,脉冲幅度约10 Vpp。采用与APD结电容特性相近的PIN高频二极管研发了APD-PIN结电容平衡门控猝灭电路,可有效地抑制门控微分噪声中的低频分量,抑制比大于40 dB。采用一组简单的9阶贝塞尔型电感-电容(LC)低通滤波电路滤除残余的高频噪声分量,并使用通用的宽带射频放大器对雪崩信号进行放大。在-52 ℃,0.1~200 MHz门控频率条件下,10%探测效率时暗计数率、后脉冲概率分别小于610-6/gate、1.9%,最高探测效率可达26.4%。  相似文献   
98.
The surface morphology of ZnO films at different annealing temperatures and the performance of polymer solar cells (PSCs) with ZnO as the electron transport layer are studied. The low temperature sol-gel processed ZnO film has smoother surface than that in higher temperature, which results in the best photovoltaic performance with a power conversion efficiency (PCE) of 3.66% for P3HT:PC61BM based solar cell. With increasing annealing temperature, the photovoltaic performance first deceases and then increases. It could be ascribed to the synergy effects of interface area, the conductivity and surface energy of ZnO film and series resistance of devices.  相似文献   
99.
飞秒光参量放大技术是一种获得宽带飞秒脉冲的有效手段.首先介绍了飞秒光参量放大技术的基本原理,并通过数值模拟显示了群速度失配及位相失配对信号转换过程的影响.数值计算结果表明:群速度失配及位相失配会导致转换效率下降,群速度失配还会导致脉冲发生畸变.其次,综述了该技术在超短脉冲特别是周期量级脉冲产生方面的研究进展,并介绍了Baltuska等设计的可以产生3.9 fs脉冲的非共线光参量放大装置.其中,详细讨论了超连续白光注入源、泵浦光角色散以及晶体选择三方面内容.最后介绍了该技术在高能飞秒脉冲产生方面取得的最新研究进展.  相似文献   
100.
通过实时测试方法,研究了延伸波长InGaAs红外探测器在55×104rad的γ辐照下的电流-电压特性变化,发现器件的暗电流没有明显变化,零偏电阻稍有变化,但变化的幅度很小。在辐照前后对器件的性能进行了测试,发现在辐照后器件的信号稍有下降,噪声基本不变,说明在受到辐照后器件的探测性能略有下降。对器件在辐照前后的低频噪声进行了测试,发现整个低频区的噪声都没有明显的改变。这些结论表明γ辐照对延伸波长InGaAs器件的影响较小。  相似文献   
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