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地图可以直观地表示统计部门海量的统计信息资源。以人口专题地图的设计编制为例,阐述了统计地图的特点,编制人口专题地图收集统计资料的要求,利用统计资料的原则,对地图进行主图设计、附图设计及地图的表示方法进行了研究,对如何利用统计资料编制各种不同类型的专题地图具有参考价值。 相似文献
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主要研究对象为GaInP太阳电池薄膜材料,生长参数采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应室内气体热流场CFD的数值模拟结果,通过动力学蒙特卡洛(KMC)法对薄膜的生长过程进行计算模拟,得到了数据的分布形式及通信的优化策略并同时降低通信开销,在已知沉积条件的情况下对以大量粒子为基础的薄膜的生长情况进行了仿真分析,这有效地解决了计算机单机能力不足的情况,同时大大降低了仿真的时间。经过分析可知,模拟所得结果与试验结果一致,这为优化在MOCVD技术下GaInP薄膜生长的工艺参数提供了一定的理论依据。 相似文献
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相对测量一般只读出实际偏差而不测尺寸的实际值,这就要使用调整标准件(简称标准件)。标准件有两个作用;一仪器调零;二检验整个测量系统工作是否稳定。用标准件对仪器的调零是按计量好,并标刻在标准件上实际值将量仪准确对度后即认作量仪的数值调零了。从调整的角度讲,标准件只需计量得准,没有必要制造得准。有时对表的表面积较大和平行度、不圆度等形状误差因素的影响,国外习惯是在对表面上标出对表区域,标刻实际值系指区域内的尺寸。可 相似文献
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在大尺寸液晶显示器的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)TFT工艺技术中,Cu正逐步取代Al作为电极材料。与Al电极制程相比,在进行栅极(Gate)制程时Cu容易发生腐蚀,这会降低产品良率。本文结合ADS(Advanced Super Demension Switch)显示模式下0+4掩膜板(mask)技术的Gate刻蚀制程和1+4掩膜版技术Gate光刻胶(Photo Resist,简称PR)剥离制程的Cu腐蚀现象进行分析,结合实验验证,确定Cu腐蚀原因,最终提出改善方案。实验结果表明:0+4mask技术的Gate制程中,ITO刻蚀液所含的HNO3会使MoNb/Cu结构电极的Cu发生电化学腐蚀;将电极结构更改为单Cu层则可以避免电化学腐蚀。在1+4mask技术的PR剥离(Strip)制程中,基板经历的剥离时间长或进行多次剥离或在剥离设备中停留,均会引起Cu腐蚀;增加剥离区间与水区间空气帘(Air Curtain)吹气量、增加TFT基板在过渡区间(H2O与剥离液接触的区间)的传输速度,管控剥离液使用时间等措施可以缓解Cu腐蚀。 相似文献
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股价预测一直是投资者在股票市场中关注的焦点。近年来,深度学习技术在这一领域得到广泛应用。在融合卷积神经网络(CNN)和长短时记忆网络(LSTM),构建CNN-LSTM模型的基础上,引入多向延迟嵌入的张量处理技术MDT(mutiway-delay-embedding),对每日股票因子向量进行因子重构,生成汉克尔矩阵,按时间并排生成汉克尔张量,作为CNN-LSTM模型的输入。利用CNN的卷积与池化对包含因子相关性信息的输入数据提取特征,再将输出的特征矩阵输入到LSTM模型进行关联预测,从而构建了MDT-CNN-LSTM混合模型。选取涉及22个行业的48家公司及12个股票因子进行股价预测,通过从预测精度和时效性两个方面对比实验,显示提出的方法表现优于其他模型,最后选取四类股票指数进行预测,模型效果依旧处于较优水准,验证了引入MDT技术的有效性和可行性。 相似文献
99.
利用步进扫描时间分辨傅里叶变换红外光谱,研究了波长9.76μm GaAs/AlGaAs量子级联激光器的准连续波激射谱.在驱动电流周期内,时间上堆叠的发射谱能够观察到明显的光强自脉动现象.有源区中的自加热积累大大影响了电子的驰豫和输运性质.热引起的在注入区较高子能级中占据的载流子由于这些子能级与下一注入区的连续态形成共振条件而泄露,而耦合阱有源区中第四子能级的存在加快了这个过程.周期性破坏和恢复的共振条件所引起的载流子泄露在很大程度上导致了时域堆叠光谱的自脉动. 相似文献
100.
在带式输送机机头溜槽设计过程中,利用抛物曲线轨迹理论进行溜槽设计,结合工程实际,可找出机头卸料和溜槽撞击的最严重区域.在撞击最严重区域,铺设耐磨板并设置死煤堆可以降低卸料对机头溜槽的磨损,减小撞击噪音. 相似文献