纳米氮化硼的制备研究进展

材料纳米化以后,会对其性能有着很大的影响。6方氮化硼纳米化后因其具有独特的物理化学性能,扩大了它的应用范围。文中重点阐述了制备6方氮化硼纳米片的物理和化学方法,简单分析总结了不同方法的优缺点,并且对纳米氮化硼的未来发展进行了展望。     

反应烧结氮化硼陶瓷

研究了氮化硼陶瓷的反应烧结,给出了所用惰性填料。     

氮化硼半导体纳米管问世

中科院物理所采用化学气相沉积法研制成功了N型氮化硼半导体纳米管。氮化硼具有优异的物理性质和良好的化学惰性，是制作高可靠性器件与电路的理想电子材料之一。与碳纳米管的电子结构明显依赖于管径与螺旋度等因素不同，氮化硼纳米管通常表现出稳定一致的电学特性。而实现氮化硼纳米管的掺杂，诱导其半导体特性，是实现该材料大规模应用的关键。     

气相沉积立方氮化硼薄膜的研究与发展状况

简述了立方氮化硼的优异性能，国内外研究立方氮化硼薄膜的历史，现状，应用前景及存在的问题。     

大直径落物打捞工具研究及应用

通过对套铣过程中力学的分析，结合金钢石钻头的布齿原理及车床切屑机理，设计了一种井下大直径落物套铣解卡新工具．在现场实际应用中取得了良好效果一套铣解卡法是处理井下大直径落物卡钻事故的一种快速有效的方法。     

新材料开发拓宽制品用途——ANTEC塑料展览会回顾

每年举办一届的ANTEC塑料展览会于2002年5月在美国加利福尼亚州旧金山举办，在这届ANTEC 2002塑料展览会上有3225个参展客商到会，汇集了众多最新的商业化塑料产品展出。     

亚微米／纳米尺寸的立方氮化硼（KHB）粉末特性及其高压高温下的烧结

本给出了1／0．5，0．5／0．25和0．25／0三组KHB粉末的粒度组成，比表面积和XRD的分析结果。用X衍射分析的方法，对7．7GPa压力和300—2700K温度范围内，KHB粉末烧结时多晶体亚结构的演变进行了研究。指出，在上述温度范围内粉末烧结时，KHB亚结构演变的一般规律是位错密度存在的两个极值。第一个极值(1300～1750K)与颗粒啮合的形成和成长过程有关，而第二个极值(2300K)则与多晶体中亚结构形变产生致密化有关。     

纳米Si-B-O-N陶瓷粉末的合成与表征

为了制备氧化硅和氮化硼在分子甚至于原子级水平均匀混合的纳米级Si-B-O-N陶瓷粉体，利用溶胶-凝胶法合成了无碳型Si—B-O-N先驱体，通过先驱体热分解制备了Si-B-O-N陶瓷粉末，并利用DSC—TG、XRD、IR和TEM技术详细分析了Si—B-O-N先驱体凝胶的热分解特性和纳米粉体的组织结构与形貌特征．研究表明：先驱体凝胶的热分解主要发生在250—400℃，通过脱氨基原位聚合和无机化转变完成；Si—B-O-N陶瓷粉体呈非晶态，由均匀分布的B—N环、Si-O和Si—N-O等结构组成；粉末的形貌呈单-形态的球形颗粒，颗粒的平均粒径约为20nm。