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在光学玻璃基片上制作了双层掩埋式多模光波导芯片,这种芯片中的上、下两层光波导均通过熔盐离子交换和电场辅助离子迁移形成。对光波导的横截面以及输出光斑进行了观察,并进行了损耗和串扰测试。研究结果表明:双层多模光波导芯片中上、下两层光波导芯部横截面尺寸分别为29 m19 m和31 m20 m;两层波导的输出光斑尺寸相互匹配;两层波导传输损耗分别为1.000.32 dB/cm和0.780.35 dB/cm;两层光波导之间的串扰在17.7dB左右。这种玻璃基片上的双层多模光波导可以使板级光互连的互连密度增大一倍,提高EOCB的性能。 相似文献
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介绍了一种采用0.6μm CM O S工艺实现的256单元光电管阵列四象限CM O S光电传感器。该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路,差分放大电路和数字控制电路组成。每个有源光电管单元的尺寸为60μm×60μm,其感光面积百分比为64.5%,制造工艺与CM O S工艺兼容,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片化集成。通过变频二次采样的工作方式,该传感器的感光动态范围可扩大到84 dB。 相似文献
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《中国新技术新产品》2020,(2)
传统硅基太阳能制备工艺生产出的多晶硅太阳能电池的光电转换效率在17%左右~([1]),难以突破。利用超声低温等离子体设备对电池表面进行处理,结果显示,经过处理后,多晶硅太阳能电池的峰值功率与光电转换效率提升了5%左右。由此推测,利用超声低温等离子体处理多晶硅电池表面的方法,具有使氮化硅表面钝化、去除磷硅玻璃、清洗电池片以及优化表面绒面等作用,因此,利用该技术可提升太阳能电池片的产品性能。 相似文献
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多核芯片可以为移动智能终端提供强大算力,但功耗和温度问题始终制约着其性能表现。针对这个问题,该文提出了一种基于强化学习的多核芯片动态功耗管理框架。首先,建立了一个基于GEM5的多核芯片动态电压频率调节仿真系统。然后,采用了一种考虑CMOS芯片物理特性的功耗模型构建方法以实现在线实时功耗监测。最后,设计了一种面向多核芯片的梯度式奖励方法,并使用深度Q神经网络(Deep Q Network, DQN)算法对多核芯片的功耗管理策略进行学习。仿真结果表明,相比于常规的Ondemand,MaxBIPS方案,该文所提出的框架分别实现了2.12%, 4.03%的多核芯片计算性能提升。 相似文献