AlN插入层与AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的关系

比较有无AlN插入层AlGaN/GaN HEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入层的AlGaN/GaN HEMTs有更显著的电流崩塌程度,表明AlN插入层对电流崩塌效应有显著的抑制作用.模拟的AlGaN/GaN能带结构表明,AlN插入层能显著提高AlGaN导带底能级,增加异质结的带隙差.带隙差的增加有利于减小电子遂穿几率,加强沟道二维电子气的量子限制,从而抑制电流崩塌效应.     

fT为77GHz的蓝宝石衬底0.25μm栅长AlGaN/GaN高电子迁移率功率器件

在蓝宝石衬底上用MOCVD技术生长的AlGaN/GaN结构上制作出0.25μm栅长的高电子迁移率功率晶体管.0.25μm栅长的单指器件测到峰值跨导为250mS/mm,特征频率为77GHz.功率器件的最大电流密度达到1.07A/mm.8GHz频率下在片测试80×10μm栅宽器件的输出功率为27.04dBm,同时功率附加效率达到26.5%.     

几种杏干制蜜饯果脯的生产工艺

近年来,各种杏制蜜饯果脯受到愈来愈多的消费者的青睐,且市场需求量仍趋增长。从生产情况看,由于鲜果在运输过程中损耗极大,     

泄流毁坝

对泄水建筑物泄流造成水利枢纽损伤、故障和毁坏的种种原因作了详尽的介绍。列举实例说明大坝失事的主要原因、提出了必须采取排除或减轻事故发生的多种措施和进一步研究设计流量的问题。     

水体生态化及污水净化的有效方法

水体卫生状况取决于排水体内的污水量、有机矿化物数量以及水体中溶解氧的平衡。利用超大功率风动装置可在水体浅水区造成强大的横向环流，以加强氧气质量的转换过程，同时还相应提高了水体的自净能力。提出了回收随污水带入水体的重金属盐类的有效方法。     

The Stability of Rare Earth-Iron-Nitrides Sm_2(Fe,M)_(17)N_y,Permanent Magnets

The effects of the partial substitution of element M(M=Cr,V,Mn,x=0.05;Zr,Ga,x=0.017;Si,x=0.15;Co,x=0.10)for Fe in samarium-iron-nitride Sm_2(Fe_(1-x)M_x)_(17)N_y compounds on their stabilitiesand Curie temperatures have been studied.It is found that Co,Ga can raise the Curie temperature of thecompounds.The initial decomposition temperatures cannot be raised significantly by all the studied elementsexcept Co.The result contradicts the formation enthalpy consideration.The final decomposition tempera-tures can be raised by all of the substitution elements.The effects of atmospheres on their decomposition be-havior were also studied.The results show that oxidation is the major reason for magnetic deterioration ofthe powder heated in air.Compared with nitrogen atmosphere,argon or vacuum helps to delay the decompo-sition of the compounds.     

苏联单铀矿石的加工

【苏联《原子能》1983年第54卷第4期第288页报道】苏联的硅酸盐铀矿石和硅铝酸盐铀矿石,一般均在加有氧化剂的条件下用硫酸浸出。所用氧化剂通常是软锰矿,氯酸钠,三价铁离子。很长一段时间以来,苏联对常压下酸浸工艺的改进工作,一直着