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大规模片上系统面临着性能、同步、能耗等方面的通信问题,片上网络为复杂的片上系统通信问题提供了一种有效的解决方案。由于网络拓扑优化是一种NP难问题,针对片上系统主要面向特定应用的特点,提出一种基于两级遗传算法来求解特定应用片上网络的拓扑优化问题近似解。实验结果表明,相对于现有的三级遗传,两级遗传算法在最小能耗上平均有1.1%的改进,而且仿真运行时间大大减少,平均减少97%. 相似文献
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新疆吐鲁番地区地理及径流、泥沙条件独特,干支渠一般都采用梯拱形断面型式.通过对该地区主要于支渠流量系统观测资料的统计分析,借助二元明渠紊流掺长理论,建立了梯拱形渠道流速横向分布公式.大量不同梯拱形渠道、不同流量的流速实测数据分析和验证表明,理论与实测流速横向分布都符合对数分布规律,利用多变量回归分析,确定了流速横向分布系数a、b值.在此基础上,推导出梯拱形明渠断面平均流速计算公式,计算值与实测值误差较小,并给出了修正系数的确定方法.根据提出的明渠流速公式,进一步建立了灌区渠系中流量连续测量的实用方法和工作流程,简化了明渠测流工作,降低了量测成本,提高了测流精度. 相似文献
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本文介绍了北京会馆的产生、发展、分布及格局和使用,通过对北京南城会馆在城市生活中所起的作用和会馆文化在老北京的城市文化中的地位的分析,阐述会馆对于打造北京城市文化的意义,并从非物质文化的角度探讨对会馆文化保护的方式. 相似文献
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新疆吐鲁番地区地理及径流、泥沙条件独特,干支渠一般都采用梯拱形断面型式.通过对该地区主要干支渠流量系统观测资料的统计分析,借助二元明渠紊流掺长理论,建立了梯拱形渠道流速横向分布公式.大量不同梯拱形渠道、不同流量的流速实测数据分析和验证表明,理论与实测流速横向分布都符合对数分布规律,利用多变量回归分析,确定了流速横向分布系数a、b值.在此基础上,推导出梯拱形明渠断面平均流速计算公式,计算值与实测值误差较小,并给出了修正系数的确定方法.根据提出的明渠流速公式,进一步建立了灌区渠系中流量连续测量的实用方法和工作流程,简化了明渠测流工作,降低了量测成本,提高了测流精度. 相似文献
96.
ZSM-5分子筛具有独特的晶体结构,其已在催化领域表现出优良的性能。同时又因为分子筛孔径分布均一,其晶体孔穴内部极性较强,而表现出良好的吸附性能,能够吸附水和大气中绝大多数的有毒有害物质,是一种可再生、不产生二次污染的新型吸附材料。以热活化的高岭土为铝源,通过增加合成凝胶中外部硅源的添加量来调节样品硅铝比,且在没有无机碱(氢氧化钠)的情况下,以四丙基氢氧化铵(TPAOH)为模板剂,在有机模板剂和晶种的共同作用下,高效合成自堆积ZSM-5分子筛,并将其用于CO2吸附。结果表明,较优的合成条件为:晶种添加量(w)3%,模板剂TPAOH,n(TPAOH)/n(SiO2)=0.3,晶化温度170℃,晶化时间2 h,硅铝比15。在该条件下合成的分子筛对CO2的吸附性能优于商品ZSM-5分子筛。 相似文献
97.
根据不同升温速率的DSC曲线,通过非等温DSC方法和TEM方法研究了Fe73.5Cu1 Nb3 Si13.5 B9合金的纳米晶化行为.通过非基于模型的方法,得出了多组激活能Ea和晶化分数α数据,Eα的平均值为368±30kJ/mol.这表明晶化过程不符合JMA模型,而Sestak-Berggren方程适用于该过程.SB方程的动力学参数m和n分别为0.36±0.04和1.52±0.05,揭示了晶相动力学和形核及生长过程中的机制.通过比较实验数据和标准数据验证了动力学参数m和n的准确性. 相似文献
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电气保护功用可由自动控制、特殊保护、可调整的耦合(Peryлирyющая связъ)等装置来实现。 在机床电力驱动装置中,主要采用下面的电气保护形式:最小临界电压保护(零压保护)、短路保护、过载保护、感应电动机两相运转保护。 在第一种情况中,保护装置是控制电压的大小;其余是控制电流的大小和电流的延续时间。 保护继电器可以分为:自动复原式(电流和电压继电器、某些热效继电器);手动复原式(热效继电器的主要型式)。 最小临界电压保护是由继电-接触器自己来实现。当电压低於额定电压85 %时,电磁控制器断开。 由机械操纵的控制设备… 相似文献
99.
使用电气设备复杂的机床的经验说明:在大多数情况下,控制电器不精确的动作,尤其是电器控制触头正常状态的破坏是机床发生故障的主要因素。因此,当设计控制线路时,除了要提高电器的可靠性和经久性以外,还应 当尽量减少触头的数量。 现代线路的特微如控制高度自动化、重复控制的需要性和动作的多样化都促使触头数量增加。使用放大装置(电力扩大机、离子放大器)可减少电力电路及起动、掣动和调速的控制电路中触头的数量,但另一方面却增加了线路的复杂程度,因此减少触头数量的要求更加必要。同时,甚至在最完善的自动调整线路中,电磁电器在所有控… 相似文献
100.
这是关于一种沿火花距而产生压缩放电的陶瓷半导体制造法的发明与按此方法所制成的一种半导体。这种半导体应用于火花栓,特别是转差火花栓方面。在这种电离的火花距火栓上通过电极而形成一种因装置在电极之间的电桥而被电离的火花距。在制造喷气发动机火栓时由于点火室内的种种情况所产生的特殊问题要求火栓的发展,其中火花距用一种既非良导体又非良绝缘体的陶瓷导体做成的电桥来装置。从理论 相似文献