串联取水泵站中经济运行转速的确定

结合水泵串联运行的特点,运用Matlab绘图工具做出水泵串联运行时的工作曲线,给出了水泵串联恒流供水时调速泵经济运行转速的确定方法,并得到相应的经济转速范围的计算公式。通过对紫坪铺水库区阿坝州铝厂移动泵站取水工程的设计、计算,确定了河流水位变化与串联取水泵站中调速泵经济运行转速的关系,为河流水位变化时调速泵的转速调节提供了依据。     

孔洞-裂隙组合型缺陷砂岩力学特性试验研究

为研究含预制孔洞-裂隙组合型缺陷砂岩的力学特性,在板状砂岩试样内预制了圆孔和裂隙组合型缺陷,通过室内单轴压缩试验,研究了裂隙倾角α和裂隙长度b对砂岩强度特征、变形特征及破裂演化过程的影响规律。试验结果表明:与完整砂岩相比,含组合型缺陷砂岩的承载能力发生明显的劣化,且劣化幅度与预制缺陷几何形态密切相关;随裂隙倾角α的增大,试样的峰值强度、平均模量和割线模量均表现为逐渐减小的趋势;裂隙倾角为45°时,随着裂隙长度b的增大,试样的峰值强度、峰值应变、平均模量和割线模量均逐渐减小;含组合型缺陷砂岩的起裂形式与裂隙倾角α有关,裂隙倾角在0°~60°时,初始破坏均表现为预制裂隙尖端的拉伸裂纹破坏,而裂隙倾角为90°时,试样的初始破坏表现为圆孔孔壁片帮破坏。     

管桩复合地基桩土受力研究

以沿海城市某软土路段采用混凝土薄壁管桩为例,通过现场试验段土应力比和变形监测,分析了桩土应力随桩长、桩间距和褥垫层模量变化规律,得出了桩土应力比是桩土协调变形和相互转移过程的结论,总结了桩土应力比的主要影响因素;为类似工程设计施工提供参考意见。     

金山店铁矿充填法试验采场岩体力学参数的确定

矿岩自稳条件是制约阶段嗣后充填法采用以及实施效率的重要因素,其中,局部矿岩接触破碎带的稳定性严重影响着采场的整体稳定性。以金山店铁矿西区充填法试验矿块为工程背景,以室内岩石力学试验为基础,综合GSI围岩分级系统、Hoek-Brown强度准则、Georgi法与费森科法,对室内岩石力学参数进行折减,更加合理地确定岩体力学参数,为采场稳定性分析与支护设计提供岩石力学的支持。     

并网风电场对电力系统可靠性影响的评估

建立基于蒙特卡罗仿真的含并网风电场的电力系统可靠性评估方法,该方法考虑风速的随机性和自相关性,建立风速的ARMA模型,而且结合风力机的强迫停机率和电气元件的工作状态模型,构建风电场的等值模型。最后用一个标准算例计算可靠性指标,并通过分析可靠性指标研究并网风电场对电力系统可靠性的影响,验证该方法的正确性与可行性。     

基于EMS的智能备自投在线压板最优投退策略

备自投装置是保障电力系统供电可靠性的重要设备,备自投装置对其动作后是否会引起设备过载不能从全网的角度进行分析及预判,所以无法保证备自投动作后电网的可靠性。本文根据地区电网的特点提出备自投在线压板最优投退策略,通过遥控压板来对备自投装置进行闭锁或投入,该策略考虑了变压器油温及初始负载率及设备N-1校核,同时考虑了备自投的时序性及均分性等特点。现场运行情况表明本文提出的方法是可行的,可以最大限度地投入备自投并保证电网的供电可靠性。     

AP1000核电转子线圈端部整组成形工艺及相关工具的设计

介绍了AP1000核电转子线圈的整组成形工艺过程,以及为实现这些工艺过程所设计的相关模具的主要结构、设计原理、使用效果等。阐述了在核电转子线圈制造中遇到的一些工艺上的难题,以及解决这些难题的方法,详细地介绍了自制的转子线圈端部整形检测一体设备及其使用效果,还介绍了转子线圈直线部分与端部焊接的专用工具。使得AP1000核电转子线圈顺利制造完工。     

Keggin型杂多酸催化剂在酸催化反应中的应用

Keggin型杂多酸具有组成和结构稳定、溶于极性溶剂、低毒性、低腐蚀性等优点,作为工业催化剂具有广阔的应用前景。本文简述了Keggin型杂多酸催化剂的催化性能和表征;综述了Keggin型杂多酸在酸催化反应中的应用。指出了Keggin型杂多酸催化剂在酸催化研究中有待解决的问题及今后的发展方向。     

Φ4.2m×13m水泥磨提产改造措施

<正>我公司两条5 000t/d生产线配套5台水泥磨。其中一线3台磨配置为:1 400mm×1 000mm辊压机+V型选粉机(JVX2500)+Φ4.2m×13m球磨机开路系统;二线2台磨配置为:1 600mm×1 400mm辊压机+V型选粉(JVX3000)+Φ4.2m×13m球磨机开路系统;生产P·O42.5水泥,比表面积为350m2/kg±15m2/kg时,设计     

不同Ⅴ/Ⅲ族元素比对m面GaN薄膜性能的影响?

采用分子束外延( MBE)方法在蓝宝石衬底上外延生长m面GaN薄膜。利用原子力显微镜( AFM)、扫描电子显微镜( SEM)分析薄膜表面形貌,发现Ⅴ/Ⅲ族元素比从1∶80降低到1∶90时,外延膜表面均方根粗糙度从13.08 nm降低到9.07 nm。利用光谱型椭偏仪研究m面GaN薄膜,得到了m面GaN薄膜的厚度、折射率和消光系数。拟合结果显示,GaN样品厚度和理论值一致,且Ⅴ/Ⅲ族元素比为1∶90时,所得外延膜折射率较低,透射率大。两种测试方法表明,Ⅴ/Ⅲ族元素比较小的样品晶体质量高。