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1.
针对通用的课件开发工具在化学教学领域中个性化、可视化方面的不足,提出了一种基于可视化文档和数据库技术开发“个性化多媒体化学课件”的新思路,并通过对其个性化和可视化特征的分析,重点介绍了这一开发工具的结构和功能。给出了利用Borland C Builder的VCL组件实现可视化的方法。  相似文献
2.
可视化甲骨文输入法的设计与实现   总被引:4,自引:0,他引:4  
甲骨文作为世界上最早的文字,大部分字在形、音、义方面仍处于研究阶段,鉴于甲骨文的独特性质,该文开创性地提出了可视化输入法,这将有助于加快甲骨文研究的信息化进程。  相似文献
3.
热镀锌退火炉技术在汽车板生产中的应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
刘朴  李庆胜 《上海金属》2004,26(5):44-47
总结了近年来热镀锌退火炉开发、应用的合理张力分布、带钢质量控制、烧嘴及余热回收等主要技术,并对热镀锌退火炉新技术的发展进行了展望。  相似文献
4.
局域网远程控制的关键技术研究与应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
基于Socket网络通信技术、API编程技术、木马技术,以Delphi6.0为设计工具,实现了网络通信、远程抓屏、鼠标及键盘锁定、黑屏、开、关机等关键控制技术。在上述技术的支持下,我们研制了智能化实时监控机房管理系统,取得了好的应用效果。  相似文献
5.
薄膜蒸发器传热蒸发性能的实验研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
在自行研制的0.4m2薄膜蒸发器实验测试装置基础上,对介质水及烧碱溶液进行了蒸发实验,得到了在不同工艺操作参数下薄膜蒸发器内各料液总传热系数K和蒸发强度EI的变化曲线。实验结果表明,转子转速及进料量对设备总传热系数K及蒸发强度EI影响显著,各料液均存在最佳进料量。粘度增加,总传热系数K相应减少,蒸发强度EI相应增加,实验与数值模拟结果变化规律一致。研究结果表明,从蒸发强度而言,薄膜蒸发器更适合于高粘度料液的蒸发浓缩。  相似文献
6.
电力系统孤网高频问题研究现状和发展趋势   总被引:2,自引:0,他引:2  
王一振  马世英  王青  邓朴  李庆生 《电网技术》2012,36(12):165-169
从国内外发生的高频问题的典型案例入手,分析了系统发生解列为孤网故障后高频失稳的特征,根据处理问题手段的不同将孤网高频问题的研究分为3大类:第1类是三级配合原则,从宏观上提出连锁切机,高频切机与汽轮机超速保护(over-speed protection controller,OPC)的保护方案,给出了解决电网解列后孤网高频运行的三级安全稳定控制措施;第2类为基于OPC建模和事故反演的研究,论述了通过灵活调整OPC动作策略来解决孤网高频问题的方法;第3类基于发电机一次调频特性,提出放开一次调频下限以及利用一次调频的频差修正回路来控制孤网高频的策略.最后指出了现存解决方案的不足,讨论了今后需要进一步研究的问题.  相似文献
7.
基于客户满意度的第四方物流多属性指派决策机制   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
基于第四方物流客户的多样化需求,建立了客户满意度属性体系及量化标准;通过对物流客户和第三方物流进行需求和供给的多属性分析,给出了属性需求和供给值矩阵;通过研究属性需求和供给值之间的关系,建立了基于客户满意度的第四方物流多属性指派决策方案;利用Microsoft Excel中的规划求解对一个实例计算,并通过对比分析验证了这一多属性指派决策方案的可行性、实用性和有效性。  相似文献
8.
百兆瓦级高功率速调管电子光学系统的研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
基于强流电子光学理论确定了S波段100MW速调管电子枪初始参数,对电子枪电极进行优化,获得了导流系数2.0μA·V-3/2、枪内场强低于22kV·mm-1、层流性良好的电子枪.设计了均匀磁场电子注聚焦系统,通过对过渡区磁场的调整,实现了对电子注的良好聚焦,模拟表明电子注填充因子约76%,通过率100%且波动较小.样管的热测实验结果与设计取得了良好的一致性.  相似文献
9.
NURB曲面在CAD曲面造型中的应用和实践   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了CAD领域中目前应用最广的NURBS张量积参数曲面,给出了几种典型曲面的张量方程以及在AutoCADR12.0中的产生方法,并给出了应用实例和实践经验  相似文献
10.
Al双晶体的晶界疲劳效应   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
通过Al双晶体疲劳试验,研究了晶界对循环变形和疲劳裂纹扩展的影响。实验结果表明,晶界疲劳效应集中体现于晶界影响区,表现为不相容塑性应变在该区内产生内应力,并由此可激发次级滑移,甚至产生晶界裂纹;在常幅循环应力下,随超Ⅰ阶段裂纹逐渐接近晶界,裂纹分叉、前沿碎裂,扩展速率降低,直至在晶界影响区中央达到一最小值。本文提出了晶界诱发裂纹顶端屏蔽机制,并以此解释了上述超Ⅰ阶段裂纹对微观组织敏感的扩展行为。  相似文献
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