HL-1装置在OH和LHCD的反常多卜勒不稳定性

在HL-1托卡马克装置上,采用不同频率的微波外差接收机测量欧姆放电下和低混杂波驱动下的非热辐射。文章描述了在欧姆放电下,由磁化等离子体波辐射,相对论电子的契伦柯夫辐射,以及非麦氏分布电子的回旋辐射(ECE)所表现出的反常多卜勒不稳定性特征,即主要表现为磁化等离子体波扰动,以及契伦柯夫辐射迅速下降所对应的ECE增加。这种不稳定性是由于电子分布各向异性所引起的,在低混杂波驱动下不稳定性受到抑制,同     

多维中子学计算

采用U-Pu循环,完成了不同氚增殖剂和冷却剂的裂变抑制包层设计。设计中,考虑了环形效应和共振自屏效应。基于一维模型的优化计算结果,指出要求的中子学性能能够达到。为了完成多维设计,研制了三维中子源抽样程序;用具有连续能量截面的蒙特卡洛程序MCNP完成了多维中子学设计;研究了中子源密度分布对中子学性能的影响。结果指出:     

支持PostScript格式输出的二维绘图

ＰｏｓｔＳｃｒｉｐｔ是一种为打印机等输出设备描述页面输出的程序设计语言。本文主要介绍了一个生成ＰｏｓｔＳｃｒｉｐｔ页面描述格式文件的绘图程序，该程序用Ｃ语言设计，用于输出直角坐标系下的二维图线。     

低径比托卡马克等离子体的自然拉长和三角变形(英文)

研究了不同内感l_i和极向比压β_p值时,低径比托卡马克等离子体自然拉长k和三角变形δ与径比A的关系。l_i和β_p对k的影响可以用“有效”径比来描述。数值结果表明k与l_i的关系可以用式子k=1 g_1(l_i)A_(-2) g_2(l_i)A~(-4)拟合,而β_p对k的影响亦不能忽略,尚未找到δ与l_i的明显关系。     

基于PVsyst的家用并网光伏系统优化研究∗

以乐山地区17 kW家用并网光伏发电系统为例,介绍了PVsyst软件的基本功能、设计步骤,并对影响系统发电效率的因素进行了分析.通过PVsyst软件搭建3D房屋模型,合理设置系统参数,模拟了系统运行性能.模拟结果表明,该家用屋顶光伏系统年发电量为13.899 M W h,光伏系统发电效率为81.1％,可靠性高.该设计方法对光伏发电系统的实际应用具有一定的指导意义.     

碳基钨涂层在退火过程中的组织和结构变化

用真空等离子体喷涂(VPS)技术在C／C复合材料基体上制备了厚度为0．5mm的钨(W)涂层，涂层的表面通过物理气相沉积(PVD)预沉积钨、铼(Re)多层作为碳(C)的扩散势垒。涂层经过1200℃--2000℃的电子束退火，其微观结构和化学构成发生变化。经测量涂层的再结晶温度约为1400℃，再结晶的活性能为63kJ／mol。当退火温度高于1300℃时，涂层表面的多层W、Re结构将由于W、Re和C之间的相互扩散而发生改变，并在1600℃以上退火lh后由于脆性碳化钨在界面的形成而完全失效，碳化钨层的厚度将随着退火漏度的升高和退火时间的延长而迅速增加。     

自修复三氧化二铝涂层研究

结构材料表面涂层是解决聚变堆液态金属自冷却包层中的磁流体动力学压降(MHD)的主要方法之一.探讨了在包层结构材料表面直接形成电绝缘三氧化二铝涂层的液体渗铝法,并对渗层结构和表面三氧化二铝的形貌和成分分布进行了多种电子显微分析.研究结果表明:液体渗铝法是制作自修复三氧化二铝涂层的可靠方法,但渗铝和氧化工艺对涂层性能影响较大.     

基于MATLAB GUI图像处理仿真系统的设计

文中简述了图像处理的各种基本功能及原理,并通过MATLAB的GUI图形用户开发工具,设计了一款基于MATLAB的图像处理仿真系统,该系统包含图像处理的一些常见且实用的功能,如空域滤波中的高斯滤波、中值滤波、均值滤波,频域滤波中的高低通滤波、带阻滤波、同态滤波,还有边缘算子、灰度、二值化、简单直方图等功能。由于MATLAB GUI操作简单,便于扩展,减少了代码编写量,且人机交互性强,图像处理部分功能参数可调,因此在教学、实验、工程中具有较高的应用价值。     

ITER极向场线圈销轴表面硬化工艺研发

ITER极向场线圈(PF)磁体支撑销轴承载极向场线圈和部分真空室的质量,因使用环境非常恶劣,所以对其表面硬度及耐磨性能有很高的需求。按照ITER极向场线圈销轴的设计要求,研发了两种表面硬化处理方式,包括无界面N离子注入361LN强化处理以及采用在不锈钢表面堆焊一层马氏体不锈钢ER414L的方式分别不同程度地增加基底材料的表面硬度以及耐磨性能,可以满足小尺寸及超大型部件的表面硬化设计需求。     

圆柱形阳极层霍尔推力器的内磁极刻蚀研究北大核心CSCD

本文重点研究引起圆柱形阳极层霍尔推力器的内磁极刻蚀的入射离子能量和入射角分布,仿真中考虑入射离子能量和入射角分布大小的变化,进而得到相应的刻蚀速率。由仿真结果可知,放电电压400 V,阳极表面磁场强度175×10^(-4)T,中心最大刻蚀速率为3×10^(-9)m/s。磁场提高到205×10^(-9)T时,中心附近刻蚀速率增加到原来的1.3倍左右,边沿处的刻蚀速率基本相同。在175×10^(-9)T的磁场强度时,把放电电压从400提高到600 V时,中心附近的刻蚀速率从3×10^(-9)提高到12.1×10^(-9)m/s,刻蚀速率增加了4倍多。此仿真结果与150 h的实验结果一致。此研究方法和结果有助于圆柱形阳极层霍尔推力器的设计和寿命评估工作。