W-Cu材料室温强度和组织均匀性的影响因素

用浸透法对孔隙度为12%～17%的烧结钨进行了渗铜试验 ,研究了影响低铜含量的W -Cu材料室温бb及渗铜组织均匀性的因素 ,研究结果表明 ,铜对钨骨架的强化和韧化机制对提高W -Cu材料的室温бb 有重要作用 ;钨骨架具有合适的孔隙度是W -Cu材料获取均匀一致的渗铜组织的重要条件。     

氧化物共还原制取W-Cu和Mo-Cu复合材料的研究

近些年来,国内外研究了一些制备高分散度W/Cu和Mo/Cu复合粉末的方法,高分散度的粉末具有高的烧结致密度,用氧化物共还原粉末可在较低温度下进行烧结得到接近和达到100%的理论密度。这样的复合材料有细而均匀的组织和较好的性能。本文报道近来的研究状况,并就共还原法所用的前驱体原料种类、工艺条件、粉末特性和复合材料的性能进行评述。     

纳米W-Cu粉末的均相沉淀法制备及其烧结性能

采用湿化学工艺--蒸氨均相沉淀法,制备了纳米CuWO4·2H2O/Cu2WO4(OH)2均相沉淀物,然后煅烧、还原,得到含Cu 30%的W-Cu复合粉.将该复合粉压坯在H2气氛中于不同温度下烧结后,对烧结体的微结构和物理、力学性能等进行了测试分析.实验结果表明:蒸氨均相沉淀法制备的W-Cu复合粉体具有纳米粒度和均匀的化学组成,其烧结活性高,在较低温度下烧结即可达很高的致密化程度.由上述W-Cu粉体所制备的烧结体具有良好的物理、力学性能.     

机械合金化法制备W-Cu合金粉末的研究

将W80Cu20（n（W）：n（Cu）=4：1）混合粉末在QM-BP式行星式高能球磨机中球磨进行机械合金化,研究了不同球磨时间对W-Cu混合粉末组织的影响.采用XRD和SEM对不同球磨时间的粉末进行分析,结果显示随着球磨时间的增加,混合粉末产生合金化效果不断增强,Cu固溶于W中,并且晶粒尺寸得到一定的细化.     

W-Cu合金深冷处理及其组织性能研究

对粉末冶金熔渗技术制备的不同成分W—Cu合金在-196℃，保温48h进行深冷处理。采用X射线衍射仪和透射电子显微镜分析长时间深冷处理的现象与机理。结果表明：深冷处理后铜颗粒以短棒状形态在钨基体上弥散析出。析出的细小弥散的铜颗粒阻碍晶粒粗化和位错移动，铜颗粒部分填充到材料微孔内，同时深冷处理过程中的体积收缩也使材料内的部分缺陷如空位和微孔得到弥合，从而使不同成分的W—Cu合金的硬度提高，密度增大，电导率降低。     

Pressure sintering of W-15wt.%Cu alloys prepared by mechanical alloying as a subsequent densification treatment method

1. Introduction W-Cu alloys are widely used in many fields due to their superior properties [1]. With the rapid de-velopment of technology, more demands are being made on the W-Cu alloys. For instance, higher heat conductivity, lower thermal expansion coefficient, and more rigorous air tightness are required when these alloys are used for electronic package materi-als, such as heat sink materials. Especially, the re-quirement of more rigorous air tightness means that the W-Cu alloys must pos…     

机械热化学法制备纳米W-Cu复合粉末及其烧结性能研究

WO3和CuO原料粉末经气流粉碎后,在H2气氛中进行共还原,制得了Cu含量为20%(wt%)的纳米W-Cu复合粉末;通过X射线衍射,透射电镜和扫描电镜等方法研究分析所制备W-Cu粉末的烧结行为和烧结体性能.结果表明:气流粉碎可以明显地降低WO3和CuO的粒度;通过对气流粉碎氧化物粉末进行共还原,可获得粒度为50～100nm的W-Cu复合粉末.该粉末烧结活性较高,其成形压坯在1200℃下于H2气氛中烧结后相对密度可达98%以上,且烧结体晶粒细小均匀.其抗弯强度和维氏硬度分别超过1000MPa和300MPa,电导率高于35%IACS.     

钨-铜合金影锥屏蔽体屏蔽性能的MCNP程序计算

利用MCNP程序对影锥屏蔽体的屏蔽性能进行计算和深入分析。结果表明：影锥屏蔽体对于周围及样品造成的散射中子本底影响低于1.4%。中子穿透影锥屏蔽体而产生的γ射线泄漏率为10^-16～10^-14数量级，对于中子散射微分截面的实验测量，其影响可以忽略不计。W-Cu合金影锥屏蔽体的设计模型符合设计标准，就飞行距离为4～10 m的范围而言，影锥屏蔽体可使源中子注量衰减10^-7，屏蔽效果显著。     

钨粉粒度及预混合原料配比对渗铜方法制备W-Cu合金性能的影响

通过选择不同粒度的原料钨粉,采用预混合部分铜粉然后渗铜的方法制备一系列不同铜含量的W-Cu合金。研究了原料钨粉的粒度和预混合铜粉的配比对获得的W-Cu合金的成分,性能,组织等方面的影响及其规律。     

熔渗CuW材料的超声无损探伤研究

以CuW材料为例，研究其组织中缺陷的超声无损探伤方法。在分析了CuW材料的组织及缺陷特点后，认为多次反射法比较适合，据此对探头频率、对比试块的结构、探伤灵敏度等参数和评价方法进行了研究。结果表明：探头型号5p10的检测效果最好，最佳的检测灵敏度为厚度10mm三次底波至满屏80％高度时对应的灵敏度，对不同牌号的CuW材料可以通过调整检测灵敏度，参照同一标准进行评价。