室温固相合成In2O3及其气敏性能研究

以无机物ＩｎＣｌ３·４Ｈ２Ｏ和ＮａＯＨ为原料，在遵守热力学限制的前提下，用室温固相化学反应直接合成了半导体金属氧化物Ｉｎ２Ｏ３的纳米粉体，用Ｘ射线衍射技术和透射电子显微镜对产物的物相、形貌进行了表征和观察，并用静态配气法测定了材料的气敏性能．     

H2S气体传感器的制备及性能研究

室温固相化学反应合成了ZnS,于马弗炉内600 ℃条件下烧结得到ZnO.用XRD和TG-DTA对产物进行了分析,用静态配气法测定了材料的气敏性.结果表明,在空气中598 ℃时ZnS被氧化成ZnO;ZnO气敏元件对H2S有较高的灵敏度.     

膜厚影响SnO_2厚膜型气敏元件敏感特性的研究

采用丝网印刷技术制备不同膜厚ＳｎＯ２厚膜气敏试样,在不同温度下进行热处理后测定了试样的阻温曲线和对乙醇气体的灵敏度,结果表明制备不同膜厚试样的气体灵敏度不同,阻温曲线也不同．要制备灵敏度高、一致性好的气敏器件,调整控制膜厚和及其热处理温度至关重要．     

超微粒SnO2的制备与气敏特性研究

本文采用化学沉淀法合成了平均晶粒尺寸在22nm左右的超微粒SnO_2及第一过渡系金属(Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn)氧化物掺杂的SnO_2气敏材料。利用综合热分析仪及X射线衍射仪对材料的热性质和物质结构进行了分析。实验表明,用纯SnO_2制备的气敏元件,无需掺杂即具有很好的灵敏度,但稳定性较差,响应恢复较慢;而经高温处理的SnO_2气体灵敏度又较低。通过对SnO_2气敏元件制备工艺及工作条件的选择,发现NiO、CuO、ZnO掺杂的SnO_2元件具有工作温度低(100～250℃)、响应速度快(<10s)、恢复时间短(<30s)、及灵敏度和稳定性良好的特点,是一类很有发展前途的气敏材料。     

喷墨打印次数对SnO2气敏薄膜性能的影响

利用溶胶-凝胶法配制了SnO2前驱溶液墨水,采用喷墨打印技术在金叉指氧化铝基片上制备了不同打印次数的SnO2气敏薄膜元件,通过XRD,SEM对薄膜进行结构分析和形貌观察,研究了喷墨打印次数的改变对薄膜电阻及其气敏性能的影响.实验表明,增加薄膜喷墨打印次数可降低薄膜电阻,提高SnO2薄膜对乙醇、丙酮气体的灵敏度,但会降低对NOx的灵敏性.     

半导体气敏检测中的 经验式拟合和插值法应用研究

以半导体气敏元件的内阻-浓度特性的经验关系为基础,通过选择电压采样电路和元件的参数,导出了一种能覆盖气敏元件可用区域的电压信号-浓度曲线的分段经验式拟合模型和相应的插值算法.这种方法分段少,对不同的元件个体具有普适性,适合于气敏方式的实时检测.文中并对测量中的相关问题进行了讨论.     

气敏法动态浓度测量中的预测技术探讨

用实验测量了气敏传感器（ＭＱ２１１型）在气体浓度阶跃作用下的响应和恢复特性，发现它们均可用超越函数模型近似，以此为基础，建立了气每法动态测量中的智能预测技术，结果与实验基本一致，从而解决了气敏法测探中的滞后现象，研究中还发现并建立了快速测定气敏感器响应时间和恢复单时间的新方法。     

电场对二氧化锡纳米薄膜电性质 和气敏性质的影响

本文研究了用直流气体放电活化的反应蒸发制备的二化锡纳米薄膜的表面性质、电学性质以及气敏性质，重点研究正反向电场对其电学性质和气敏性质的影响，从理论上探讨了它的气敏机理。     

Mn掺杂对La0.68Pb0.32FeO3纳米材料电阻率、气敏性能的影响

采用Sol-gel法合成了系列纳米材料La0.68Pb0.32Fe1-xMnxO3（x=0．0，0．1，0．2，0．4，0．6），研究了Mn掺杂对材料的导电特性和气敏特性的影响。研究表明：合成的系列纳米材料均具有正交钙钛矿结构，Mn的掺杂对材料La0.68Pb0.32FeO3的结构没有影响，且对材料粒径的影响较小；随Mn元素含量的增加，La0.68Pb0.32Fe-xMnxO3纳米粉体对丙酮的气敏性均迅速降低；Mn掺杂同时导致电阻率减小，这是由于形成Mn^3＋-O^2--Mn^4＋双交换作用键的缘故。     

In2O3基酒敏材料的催化及气敏性能

采用微反-气相色谱联用装置和气敏性能测试设备,系统评价了不同粒径、不同掺杂的Ia2O3材料对乙醇的催化、气敏性能.研究表明,采用纳米材料可将乙醇灵敏度由6.0提高到16.0,掺杂碱性金属氧化物将灵敏度提高到14.0;掺杂贵金属可大幅度提高材料对乙醇的催化活性,但降低对乙醇的灵敏度.材料的气敏性能和催化性能存在密切的联系,浅析了材料对乙醇的敏感机理.