首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   27589篇
  免费   2879篇
  国内免费   1998篇
电工技术   1789篇
综合类   2799篇
化学工业   4598篇
金属工艺   1934篇
机械仪表   1764篇
建筑科学   1228篇
矿业工程   686篇
能源动力   368篇
轻工业   1057篇
水利工程   239篇
石油天然气   744篇
武器工业   349篇
无线电   6489篇
一般工业技术   4514篇
冶金工业   1019篇
原子能技术   408篇
自动化技术   2481篇
  2024年   21篇
  2023年   424篇
  2022年   491篇
  2021年   706篇
  2020年   841篇
  2019年   734篇
  2018年   682篇
  2017年   903篇
  2016年   856篇
  2015年   965篇
  2014年   1482篇
  2013年   1543篇
  2012年   1937篇
  2011年   1976篇
  2010年   1415篇
  2009年   1615篇
  2008年   1562篇
  2007年   1929篇
  2006年   1903篇
  2005年   1652篇
  2004年   1395篇
  2003年   1180篇
  2002年   1025篇
  2001年   914篇
  2000年   761篇
  1999年   544篇
  1998年   459篇
  1997年   401篇
  1996年   366篇
  1995年   327篇
  1994年   302篇
  1993年   239篇
  1992年   206篇
  1991年   166篇
  1990年   132篇
  1989年   97篇
  1988年   75篇
  1987年   41篇
  1986年   24篇
  1985年   40篇
  1984年   28篇
  1983年   18篇
  1982年   25篇
  1981年   8篇
  1980年   9篇
  1979年   10篇
  1977年   6篇
  1975年   4篇
  1974年   8篇
  1959年   4篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
A double pyrovanadate CaMgV2O7 sample was synthesized via a facile solid-state route under an air atmosphere. The nonequilibrium formation pathways of the CaMgV2O7 were investigated via powder X-ray diffraction. A multistep reactions path (metavanadates–pyrovanadates–double pyrovanadate CaMgV2O7) was proposed to describe the formation of the CaMgV2O7 considering the thermodynamic and kinetic factors. The cell unit parameters of the CaMgV2O7 sample indicated the crystallization according to a monoclinic system with space group P12/c1(14), and the lattice parameters of a = 6.756 Å, b = 14.495 Å, c = 11.253 Å, β = 99.12, and V = 108.806 Å3. X-ray photoelectron spectroscopy also confirmed the +5 oxidation state vanadium in CaMgV2O7. The endothermic effects at 1033 and 1143 K were related to the incongruent melting and liquidus temperatures of CaMgV2O7, respectively. The comprehensive thermodynamic properties of CaMgV2O7 were established in both low- and high-temperature regions, utilizing a physical property measurement system and multi-high-temperature calorimetry (96 lines). The heat capacity (200 J mol K−1) and entropy (198 J mol K−1) at 298.15 K were computed based on the low-temperature heat capacity values, and the enthalpy of formation at 298.15 K was also estimated. The fitted high-temperature capacity can be used to obtain the changes in the enthalpy, entropy, and Gibbs free energy. This study is part of building a reliable thermodynamic database of the CaO–MgO–V2O5 system.  相似文献   
2.
刘兆伦  隋艳茹  郭晓洁  云伟  刘子岳 《半导体光电》2022,43(2):347-352, 388
设计了一种基于阿基米德螺线的新型螺旋光子晶体光纤,该光纤以二氧化硅为基底材料,包层由24个螺旋臂组成,每个螺旋臂包含11个小空气孔,纤芯设有大空气孔,包层与纤芯中间的环形区域用于传输轨道角动量模式。该结构在1300~1800 nm波段上可支持22种轨道角动量模式稳定传输,在1550 nm波长下,有效折射率差最高可达2.89×10^(-3),色散系数最低可达66.4 ps/(nm·km),非线性系数最低可达2.17 W^(-1)·km^(-1),且1500~1600 nm波段上的色散值变化均小于15.15 ps/(nm·km)。此螺旋光子晶体光纤不仅结构简单,且具有低非线性、色散平坦的性能,为螺旋光子晶体光纤的设计提供了思路。  相似文献   
3.
4.
Similar to the canonical antiferroelectric (AFE) compound PbZrO3 in Pb(Zr,Ti)O3 solid-solutions, the presence of double hysteresis loops and that of electric field–induced phase transitions are important characteristics of NaNbO3 AFE materials; yet the phase transition behavior in the latter system is typically irreversible with the related mechanisms not fully understood. Here, we explore the phase transition mechanism of ferroelectric and AFE phases in NaNbO3 based on measurements of single crystals with different directions in conjunction with density-functional theory (DFT) calculations. The tilting and distortion behaviors of the [NbO6] octahedra are explained by DFT, and the ion displacement in the lattice is traced. The tilting and distortion behaviors of the [NbO6] octahedra with different orientations are compared. We confirm that the tilt and distortion of the [NbO6] octahedra along the [1 1 1] direction is the main reason to improve the stability of AFE phase. This conclusion is verified by the experimental characterizations of large-size NaNbO3 single crystals successfully obtained in this study.  相似文献   
5.
根据涠洲10-3单点的结构特点,提出对其采用整体拆除的拆除思路。针对该单点整体吊装需求,借鉴钢桩吊装方案创新性地设计吊桩器吊装方案,借鉴隔水套管吊装方案创新性地设计套筒镗孔吊装方案。此外,还分别开展调平吊耳吊装方案、盲板吊装方案和吊耳吊装方案等3种吊装方案设计。通过对上述5种吊装方案的技术可行性分析,在综合考虑项目多方面因素后,涠洲10-3单点拆除项目最终选用吊耳吊装方案。在吊耳吊装方案应用实例中,分析吊点板式吊耳安装在套筒外侧的原因,论述所选用的吊点板式吊耳结构形式及其采用环形筋板的优点,并通过对该单点整体吊装强度的有限元分析,证明选用吊耳吊装方案设计的可行性。  相似文献   
6.
为了高效地利用风能和雨能,设计了通过压电传感器组件a将风或雨的能量转换为电能的装置。该装置可为负载和蓄电池供电,它的分辨力高,即使是弱风和小雨产生的微压也能进行电能转换。当压电晶体板d或e受压时,小齿轮顺时针或逆时针旋转;当压电晶体b或c受压时,液压缸伸长或收缩。在液压缸和小齿轮的作用下,压电晶体板a所在平面的法线自动调整到正好与风和雨的方向一致,从而增大了电能转化率。  相似文献   
7.
基于硅介质柱型光子晶体,采用时域有限差分方法(FDTD),探究高斯光束在光子晶体界面的逆古斯汉欣(GH)位移。通过在光子晶体下表面添加硅透镜,研究高斯光束的入射角度、硅透镜的曲率半径以及温度对光子晶体逆GH位移的影响。研究结果表明,发生最大逆GH位移的角度大于几何理想全反射角。添加焦点位于光子晶体表面中心的硅透镜可以使逆GH位移显著增强,且当硅透镜的曲率半径为170时,逆GH位移增大为不加透镜时的1.7倍。研究不同入射角度下温度对光子晶体的逆GH位移的影响发现,当高斯光束的入射角为26o时,逆GH位移随着温度的变化最大且线性度较好,便于温度监测。  相似文献   
8.
孙长坤  于永纯  魏晓明 《黄金》2022,43(2):57-60
针对保山金厂河铅锌矿矿体赋存条件,对天井施工技术方案进行选择。分析了普通钻爆法、一次爆破成井法、VCR爆破成井法、天井钻机成井法的适用条件,采用定性和定量相结合的评价方法,对各成井方法进行了评价,按照经济对比、质量对比、进度对比、安全对比得出综合评分,最终确定最优方案。主溜井、采区溜井和采场溜井采用天井钻机成井法成井,采场切割井采用VCR爆破成井法成井,回风井采用普通钻爆法成井。根据天井的不同用途,灵活采用不同的成井技术,工程应用效果较好。  相似文献   
9.
开展65 nm高速大容量静态随机存取存储器(SRAM)大气中子单粒子效应特性及试验评价技术研究,基于4 300 m高海拔地区大面积器件阵列实时测量试验,突破效应甄别、智能远程测控等关键技术,在153 d的试验时间内共观测到错误43次,其中器件内单粒子翻转39次,多单元翻转(MCU)在单粒子翻转中占比23%,最大的MCU为9位。对高能中子、热中子和封装α粒子的贡献比例进行了分析,并基于多地中子通量数据,推演得到北京地面和10 km高空应用时的单位翻转(SBU)和MCU失效率(FIT)。发现地面处软错误的主要诱因为封装α粒子,随着海拔的增高,大气中子对软错误的贡献比例明显增大;MCU全部由高能中子引起,北京10 km高空处的MCU FIT值明显增大,其占比由地面的8%增大至26%。结合器件版图布局,对MCU产生机理进行了深入分析。最后,提出一种目标导向的存储器软错误加固策略优化方法。  相似文献   
10.
为加深对四烷基-3-氧杂-戊二酰胺(TRDGA)类配体与三价锕/镧离子配位的认识,利用光谱及单晶X射线衍射分析技术,分别在含水辛醇溶液、水溶液、晶体及液-液萃取体系中对比研究了脂溶性N,N′-二甲基-N,N′-二辛基-3-氧杂-戊二酰胺(DMDODGA,L)以及水溶性四甲基-3-氧杂-戊二酰胺(TMDGA,L′)与Pr(Ⅲ)的配位。光谱滴定实验结果表明,两配体在溶液中均可与Pr(Ⅲ)形成金属离子与配体比值为1∶1、1∶2及1∶3的配合物,并获得了配合物稳定常数及标准吸收光谱。配合物中金属离子与配体比值相同时,L和L′与Pr(Ⅲ)形成的每对配合物中Pr(Ⅲ)特征吸收峰的位置及形状均几乎完全相同,说明每对配合物的内配位层结构相同或相近。PrL′3(ClO4)3晶体漫反射光谱与PrL3+3及PrL′3+3标准吸收光谱的特征也相同,说明1∶3配合物均为三帽三棱柱配位构型。与加入硝酸根的光谱滴定实验相结合,通过有机相吸收光谱与已知固体/溶液配合物的漫反射/吸收光谱对比,确定了液-液萃取萃合物中,Pr(Ⅲ)至少有PrL2(NO3)(H2O)2+和PrL3+3 2种化学形态。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号