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1.
研究了TZNA β钛合金冷变形过程中的组织和性能。采用辊模冷拉拔的方式分别进行了20%、40%和60%冷变形,合金表现出良好的冷加工性能。当冷变形在20%时,出现了孪晶组织,使合金强度有明显提升。当冷变形量超过20%时,滑移成为了主要的变形方式。当冷变形达到60%时,晶粒完全破碎,晶粒尺寸在20-40nm之间,具有较高的强度和塑性。  相似文献   
2.
热处理对TC21合金大规格棒材组织和性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
研究了不同热处理制度对TC21合金380 mm大规格棒材显微组织和力学性能的影响。结果表明,固溶温度影响初生α相含量以及形貌尺寸,固溶时间对显微组织没有显著的影响;冷却速度影响次生α相含量及尺寸,且对合金强度和塑性产生较大的影响。在890℃×2 h+FC固溶处理后进行610℃×4 h+AC时效处理,可使合金的强度和塑性得到良好的匹配。  相似文献   
3.
采用磁控溅射法在立方织构Ni-5%(原子分数,下同)W基底上沉积了Ag薄膜作为第二代高温超导带材--YBaCuO涂层导体的导电缓冲层,并通过后期在Ar气氛下热处理使Ag膜具有(200)择优取向.磁控溅射后Ag膜的择优取向为(111),随着热处理温度的升高,(200)择优取向强度增加.采用慢降温工艺即在900℃下恒温30min,然后以较慢的速率10℃/h降至800℃后样品随炉冷却,有利于Ag薄膜由(111)向(200)的择优生长转变.  相似文献   
4.
利用XRD、电子背散射衍射分析(EBSD)和反射高能电子衍射(RHEED)等测试手段对化学溶液沉积技术制备的La2Zr2O7缓冲层的体织构和表面特性进行了研究。结果表明,在金属基带上,利用化学溶液沉积技术制备的La2Zr2O7缓冲层具有良好体织构和表面特性。  相似文献   
5.
研究了Bi-2223/Ag高温超导带材的前驱粉与后续热处理工艺之间的匹配问题。实验采用A,B,C3种不同的前驱粉。A粉是成分配比为2223的喷雾热分解单粉,B粉和C粉都是2212加CaCuO,组分的2223双粉。B粉和C粉的区别在于,2212加CaCuO,混合后的除碳处理工艺不同。B粉为800℃,3h,C粉为830℃,10h。利用激光粒度分析仪(RSA)和扫描电镜(SEM)对这3种前驱粉的粒度进行了表征,并用X射线衍射仪(XRD)对用这3种粉分别制成的带材经第1次热处理(HT1)后的2223成相率和相结构进行分析,从而找出它们各自对应的最佳HT1工艺。采用四引线法在77K,0T下测试经中间轧制和第2次热处理(HT2)后的临界电流(五),以确定其对应之最佳HT2工艺。RSA和SEM分析表明:A粉颗粒度明显细小,平均中径粒度为1.5μm,且粒径分布区域集中,B粉约3μm,粒径分布较分散,而C粉为4-5μm。研究结果证明:前驱粉的特性直接影响着超导带材的最终超导性能。一种特定的前驱粉,对应着一种特定的最佳HT1和HT2工艺。只有在二者匹配良好前提下,才能使前驱粉的性能得以发掘。  相似文献   
6.
以无定形碳粉末作为掺杂物质,通过固相烧结的方法,在750℃,高纯氩气保护下,热处理2h制备了MgB2-xCx(x=0,0.05,0.10,0.20,0.30)超导块材。用X射线衍射(XRD)仪,扫描电子显微镜(SEM)和物性测试仪(PPMS)对样品的微观结构和超导电性进行了系统分析。结果显示,在750℃热处理条件下,有部分碳进入MgB2的晶格中,其余碳处于MgB2的晶界处。少量碳掺杂可以有效细化MgB2晶粒,并改善MgB2的超导电性。MgB19C0.1块材的临界电流密度(Jc)在20K,3T条件下达到8×10^4A/cm^2,表明无定形碳掺杂可有效提高MgB2的磁通钉扎。  相似文献   
7.
用金属有机物沉积(MOD)法在LaAlO3(100)单晶基底上制备了立方钙钛矿型导电缓冲层La0.4Sr0.6CoO3(LaSrCoO)薄膜。根据热分析曲线确定前驱膜的热处理工艺,其中前驱膜的热分解温度为620~800℃,涂膜的结晶温度为825℃。由X射线衍射(XRD)分析可知,热处理后涂膜的主相是LaSrCoO,其择优取向为<100>;另外还有La2CO5和LaCoO3等杂相。由φ扫描和(100)极图可知,所制备的涂膜有较强双轴织构。用标准四引线法测量了涂膜的室温和低温电阻率,在77K时达到1.04×10-4?·m,实现了沉积导电缓冲层的目的。  相似文献   
8.
研究了Ti40合金在500~1000℃范围内的恒温氧化行为。氧化增重实验及XRD、SEM、EDS的分析结果表明,Ti40合金的氧化机制可以V的氧化物V2O5的熔点为分界,在700℃以下氧化时,氧化层平整且致密,表面主要由V2O5和TiO2组成,氧化的主要过程为混合氧化膜中的V2O5向外择优生长,氧化机制受V元素在V2O5中的扩散机制控制。在700℃以上氧化时,V2O5的熔化挥发,导致氧化层疏松多孔,氧化层主要由TiO2和SiO2构成,在氧化层和基体的界面处,存在V、Cr元素的富集层,此条件下,合金的氧化受V元素在β钛合金中的扩散机制控制。  相似文献   
9.
本文利用电子背散射衍射(EBSD)技术,对含不同铌芯丝数的Cu/Nb微观复合线材中的Cu沿径向的织构进行了表征.结果表明:复合线材在拉拔过程中,各层织构存在差异,织构种类由表及里减少,且主要向平行于拉拔方向的〈111〉丝织构聚集;对于复合不同道次的样品,在相同部位,变形量大的线材内部织构更集中于〈111〉织构组分.  相似文献   
10.
用化学法在Ni-5%W基底上制备Gd掺杂Ce O2膜。以乙酸铈((CH3CO2)3Ce(III))、硝酸钆(Gd N3O9)为起始原料,按照阳离子Ce3+:Gd3+为4:1的比例溶解于丙酸(C2H5COOH)中制成前驱液。将前驱液旋涂在Ni-5%W基底上,在4%H2/Ar气氛下进行1100℃热处理,形成立方织构的Gd掺杂Ce O2膜。采用XRD和SEM对不同旋涂转速工艺制备的Ce O2膜进行晶体结构和微观形貌的检测和分析。以总阳离子浓度为1.2 mol/L前驱液经过3000 r/min,60 s的涂覆工艺,经过二次涂覆和1100℃热处理的Ce O2膜结晶程度高,无裂纹,有立方织构。Ce3+在4%H2/Ar还原性气氛里可以转变为Ce4+。  相似文献   
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