循环冷却水系统结垢判断和控制方法研究

判断循环水的稳定程度,并采取控制措施,可以有效降低设备结垢风险。针对以中水做补充水的循环冷却水系统,研究了国内外循环水水质判断指数,总结了调节pH值法、控制电导法、差值法等基于多参数分析的结垢控制方法,并对其特点和适用情况作了概述,提出了调节pH值,观测循环水Cl-浓缩倍数和Ca2+浓缩倍数差值(ΔB)趋势,控制"钙硬度+全碱度"上限的复合方法,并指出了未来的发展方向。     

基于声发射定位算法的故障检测技术研究

高精度的声发射源定位能够帮助工程人员快速定位故障或异常发生的位置,可用于对大型设备进行结构可靠性监测和检测。为了提高声发射源定位的精度,提出一种融合了Geiger定位方法、同伦算法及牛顿梯度方法的源定位算法。采用Geiger迭代定位方法实现对源定位信息的迭代更新,并将更新信息的求解转变为对不适定问题的求解。同伦算法和牛顿梯度方法的结合,避免了常规不适定问题求解方法中耗时的矩阵求逆,优化了求解过程。实验结果表明,所提方法优于常规定位算法,可实现对声发射源位置信息的高精度求解。     

基于PSO-Powell混合算法的软磁复合材料二维矢量磁滞特性模拟

针对经典矢量Preisach模型仅能模拟各向同性磁滞特性的缺陷,提出改进的矢量磁滞模型.通过引入幅值与方向角的关联参数改善磁场强度的曲线形态,使模型能够考虑软磁材料的各向异性特征.利用矢量磁特性实验平台对软磁复合材料(SMC)在二维旋转磁化激励下的磁特性进行测量,根据测量的极限磁滞回线,分别构造标量和矢量Everett函数.提出基于粒子群(PSO)和Powell方向加速的组合优化策略,显著改善PSO的局部寻优能力,提高计算效率和精度,进而实现矢量Preisach磁滞模型的高效参数辨识.矢量磁滞特性的仿真结果与测量结果相吻合,验证了该文所提改进矢量磁滞模型及其参数辨识方法的有效性.     

新型显示技术产业发展研究

新型显示技术是数字化时代的一大重点发展技术.阐述新型显示技术产业发展现状,重点介绍有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)、微型发光二极管(Micro-Light Emitting Diode,Micro LED)、激光显示以及电子纸4种热点新型显示技术的原理、国内外现状以及产业发展趋势,分析当前我国新型显示产业发展中存在的问题,提出未来发展建议.     

无人机数据链暗室拉距测试方法

无人机数据链的有效通信距离是无人机的一项重要指标,如何准确高效地对有效通信距离进行测试表征,对于无人机安全运行和评估系统正常工作的可靠度具有重要意义。在分析无人机数据链通信链路中传输损耗构成的基础上,从测试环境可控性、测试效率、可重复性、贴近业务应用等方面比较了当前主要测试方法之间的优劣,设计了室内拉距测试方法并完成相应测试,最后根据吞吐量指标对有效通信距离与实际业务应用间的关系进行了讨论。所提出的无人机数据链有效通信距离测试方法简单易行,测试结果准确,具有较强的实用价值。     

活力营造视角下的重庆市渝中区典型地段城市更新

在"宜居重庆"和开展重庆市城市主干道综合整治的背景下,本文以渝中区主干道沿线的三个典型地段为例,结合改造过程和实施效果,总结了在城市旧城区有机更新过程中,如何从经济、社会、文化等多维角度考虑活力的营造,以期在对城市进行物质更新的同时,延续历史文脉,留住城市记忆,营造城市活力。     

既有住宅外墙节能改造和防火的措施与对策——重庆市渝中区人民村居住区综合整治工程

上海胶州路“11·15”胶州路特别重大火灾再一次提醒人们建筑节能与防火问题已成为人民生命财产安全的重大隐患。在既有建筑改造节能的同时,如何有效降低建筑能耗,又大大提升其防火性能的技术瓶颈,建筑外墙保温隔热材料的研究及选择已成为我国建筑安全领域必须要征服的难题。本文章通过“十一五”国家科技支撑计划重大项目“既有建筑综合改造关键技术研究与示范”示范基地——重庆市渝中区人民村居住区综合整治工程,提出了既有住宅节能改造和防火的措施和对策。     

LED室内照明产品的重大缺陷快速评估方法

本文介绍了LED室内照明产品寿命评价的试验方法,通过调研LED产品在实际应用过程中出现的失效情况,引出“重大缺陷”概念,提出LED室内照明产品的重大缺陷快速评估方法,总结试验结果,强调该试验方法在短时间内评估LED产品可靠性的针对性、有效性和重要性。     

反射各向异性谱在线监测852nm半导体激光器AlGaInAs/AlGaAs量子阱的MOCVD外延生长

研究了生长温度和中断时间对AlGaInAs/AlGaAs量子阱外延质量的影响,并使用金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)外延生长了AlGaInAs/AlGaAs量子阱和852nm半导体激光器。通过使用反射各向异性谱(RAS)和光致发光谱在线监测和研究了AlGaInAs/AlGaAs界面的外延质量。研究结果表明高温生长可以导致从AlGaInAs量子阱层到AlGaAs势垒层的In析出现象。通过优化生长温度和在AlGaInAs/AlGaAs界面处使用中断时间,可以有效抑制In析出,从而获得AlGaInAs/AlGaAs陡峭界面。使用优化后的外延生长条件,外延生长了整个852nm半导体激光器,使用RAS在线监测了激光器的外延生长过程,可以有效地分辨出不同外延层和生长阶段。