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采用光电化学方法对纯铁在pH=8.4的硼酸-硼砂缓冲液中的孔蚀现象及缓蚀剂PC-604的作用进行了研究。结果表明,加入不同量的缓蚀剂后,铁表面饨化膜的禁带宽度没有发生变化,但是光电流信号却随缓蚀剂量的增加而增大了。从光电流暂态谱的研究中首次提出了钝化膜的膜参数的概念,并用以衡量钝化膜的抗孔蚀能力。 相似文献
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采用光电化学方法对纯铁在pH=8.4的硼酸-硼砂缓冲液中的孔蚀现象及缓蚀剂PC-604的作用进行了研究。结果表明,加入不同量的缓蚀剂后,铁表面钝化膜的禁带宽度没有发生变化,但是光电流信号却随缓蚀剂量的增加而增大了。从光电流暂态谱的研究中首次提出了钝化膜的膜参数的概念,并用以衡量钝化膜的抗孔蚀能力。 相似文献
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采用光电化学方法现场测量铜电极的开路光电压,研究铜在模拟海水3%NaCl溶液中的腐蚀行为及缓蚀剂PTD对铜的缓蚀行为.实验发现,在3%NaCl溶液中铜电极随浸泡时间的延长其开路光电压由正变负即光响应由p型光响应转变为n型光响应,这表明铜表面受到Cl-的严重侵蚀.加入缓蚀剂PTD后,当PTD的浓度小于6×10-5%时,铜电极的光响应转型时间较不加PTD时提前.当PTD的浓度大于6×10-5%时,铜电极的光响应不存在转型情况,表明PTD产生了良好的缓蚀作用.在本文条件下,PTD产生缓蚀作用的最佳浓度为1×10 相似文献
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利用光电化学和电化学测试技术研究了敏化的不锈钢的钝化膜。对敏化的不锈钢电极,在不同的电极电势范围内,钝化膜显示出n-型或p-型半导体的特性。这些光电化学行为的不同可以用不同电极电势下不锈钢钝化膜组成中Cr(Ⅲ)水合程度的不同来解释。 相似文献
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利用X射线粉末衍射法和原子力显微镜对镉掺杂的TiO2纳米晶膜电极作了表征,并用光电化学方法测定了该电极的光电化学行为.实验发现当镉的掺杂量低于15%时,镉与 TiO2形成固熔体,掺杂量高时出现 CdTiO3的独立相;随着镉含量的增加,纳米晶颗粒逐渐变大(粒径从 10 nm到 20 nm).镉含量的多少直接影响光电流的大小和符号,当Cd含量(相对于 Ti的质量分数)为 5%时光电流最大,外加电压为 0.3 V时光电流比纯TiO2多孔纳米晶膜电极高一倍以上;当Cd含量超过 30%时出现p-n转换现象。 相似文献
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采用电化学、光民化学和交流阻抗等方法研究了氢对纯铁钝化膜形成过程和电子性质的影响。结果表明氢的存在会延长膜的形成,增加稳态钝化条件下的溶解速率;氢能提高钝化膜光电流、降低禁带带度;氢促使钝化膜的电容和掺杂浓度升高,并降低膜的平带电位。 相似文献
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利用X射线粉末衍射法和原子力显微镜对镉掺杂的TiO2纳米晶膜电极作了表征,并用光电化学方法测定了该电极的光电化学行为.实验发现当镉的掺杂量低于15%时,镉与TiO2形成固熔体,掺杂量高时出现CdTiO3的独立相;随着镉含量的增加,纳米晶颗粒逐渐变大(粒径从10nm到20nm).镉含量的多少直接影响光电流的大小和符号,当Cd含量(相对于Ti的质量分数)为5%时光电流最大,外加电压为0.3V时光电流比纯TiO2多孔纳米晶膜电极高一倍以上;当Cd含量超过30%时出现p-n转换现象. 相似文献