压接式IEGT芯片布局对其温升的影响

压接式电子注入增强型门极晶体管PP-IEGT(press pack-injection enhanced gate transistor)封装内采用多芯片并联结构,芯片间的布局对器件温升与稳定性有着重要影响。在现有的对齐阵列布局下,芯片间严重的热耦合效应会导致器件结温较高,因此提出一种交错阵列的圆形布局。基于有限元热稳态仿真分析,对比了2种布局下的芯片温度分布,以及封装内各层组件的温度差异;同时,考虑不同功率损耗和外部散热条件的影响,对2种布局下各层组件温度变化进行了讨论。结果表明,提出的交错阵列布局可有效改善热耦合效应,芯片上的热量得到更好地耗散。此外,各芯片和器件整体的温度分布均匀性得到了提高,为更大电流参数PP-IEGT的芯片布局设计和稳定工作提供了参考。     

压接式功率器件保护气体对流换热特性

压接式功率器件内部通常充有保护气体,以提高绝缘强度和防止氧化。为明确压接式功率器件内部不同保护气体的对流换热特性,以压接式IEGT为例,计算分析了其工作损耗,并利用ANSYS进行了迭代热仿真数值分析。针对SF_6、N_2和SF_6/N_2混合气体,对比分析了相应的温度场分布,得到了格拉晓夫数和努塞尔数,进而明确了不同保护气体的散热作用,为压接式功率器件的内部保护气体的选择、应用设计及优化提供了参考。