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很多电源工程师对开关电源中高频磁性元件的设计存在错误的概念,其设计出来的高频磁性元件不能满足应用场合的要求,影响了研发的进度和项目的按期完成。基于开关电源及高频磁性元件设计经验,对一些概念性错误进行了辨析,希望能给大家提供借鉴,顺利完成高频磁性元件的设计以及整个项目的研制。 相似文献
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以原副边均采用串联补偿方法进行研究,分析了非接触感应电能传输系统的高阶数学模型,探究了频率分叉实质,利用Matlab进行曲面仿真,了解系统的频率分叉现象,从而得出较为合理的补偿方案。分析了发生频率分叉时,如何选择优化的工作频率,采用移相控制的方式使系统得到稳定的输出。 相似文献
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寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势。通过建立数学模型,理论分析了考虑各部分寄生电感后增强型GaN HEMT的开关过程,并推导了各阶段的持续时间和影响因素,然后通过建立双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对开关特性的具体影响进行了实验验证。实验结果表明,寄生电感会使开关过程中的电流、电压出现振荡,影响开关速度和可靠性,并且各部分寄生电感对增强型GaN HEMT的开关过程影响程度不同,在实际PCB布局受到物理限制时,需要根据设计目标优化布局,合理分配各部分寄生电感以获得最优的开关性能。 相似文献
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为了探究高压eGaN HEMT的开关行为及其影响因素,首先详细分析了eGaN HEMT的开关过程,推导出开关各个阶段的持续时间及影响因素,并将其归纳为器件参数、驱动电路参数和工况,通过实验对eGaN HEMT开关过程和驱动电路参数以及工况对eGaN HEMT高速开关行为的影响规律进行验证,探究了实际电路中存在寄生电感对开关行为的影响。实验结果表明,调整驱动电路参数可以提高开关速度,降低开关损耗,但不可避免地会引起电压、电流的振荡和过冲,设计驱动电路时需要折衷考虑,工况对开关时间影响较大,桥臂电路应用需要根据不同的工况调整死区时间以达到最优的效果,寄生电感会使开关过程中的电流、电压出现振荡,影响开关速度和可靠性,实验结果为eGaN HEMT驱动电路的设计和应用提供了有益的帮助。 相似文献
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