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专业分类
电工技术
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2016年
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1.
基于新型1200V碳化硅(SiC)MOSFET的三相双向逆变器的研究
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刘学超
黄建立
叶春显
《电源学报》
2016,14(4):59-65,81
研究了基于新一代宽禁带1 200 V碳化硅(SiC)MOSFET三相双向逆变器,由于SiC MOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性,逆变电路的拓扑结构得到简化,并提高了功率密度和可靠性。同时,利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性,与硅基IGBT相比省略了开关器件的反并联二极管。20 k VA实验样机验证了在该中大功率三相双向逆变器中SiC MOSFET相比硅基IGBT方案的优势。
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