一种新颖采用磁集成技术大功率组合式高增益Boost变流器研究

为满足规模化储能系统及直流母线型分布式发电系统对大功率、高增益、高效率和高功率密度直流升压变换器的要求,提出了一种适用于大功率应用场合的组合式双输入高增益磁集成Boost变流器,并研究了该拓扑组合复用和控制策略。首先详细介绍了所提出的新型变流器的电路结构、工作模态和电气性能,推演出变流器电压增益、开关管应力及电感电流纹波特性,并分别讨论了组合拓扑的交叉控制和互补控制策略,通过与传统双输入Boost变流器的电压增益对比,该拓扑在两种控制模式下均具备更大电压增益和更小的电流纹波;其次推导了静态等效电感和暂态等效电感,以及耦合电感下稳态电流纹波和暂态电流响应速度的关系,给出耦合电感设计准则;最后制作实验样机进行测试,结果证明了理论分析的正确性。新拓扑较之传统高增益大功率升压变流器具备高增益、高功率密度、低应力和低纹波的优势,具备极大的研究价值和实用潜力。     

季节冻土区深基坑混凝土桩冻融效应分析

东北某越冬深基坑工程,由于季节性温度变化,桩后土体内温度重新分布呈现较明显的温度梯度变化规律。基坑冻深与温度和持续时间有关,当温度30 d降至-11℃时冻深约为1 m,而当温度45 d降至-22℃时,冻深约为2 m与当地标准冻深基本一致。支护桩身位移受冻土压力影响变化明显,最大位移由冻前桩身位置变化为冻后桩顶位置,位移超过了规范允许限值,现场及时采取了保温防冻措施,控制了位移发展。此外,由于冻融后土体强度的衰减,土压力有了显著的提高,通过现场监测数据和数值分析结果对比,掌握了基坑桩身位移随温度变化的发展规律,为基坑的安全越冬提供了充分的理论依据。     

轴悬式抱轴箱静强度及疲劳强度分析的工程方法研究

结合已有的机车滚动抱轴箱的静强度及疲劳强度计算方法,进行了有限元工程分析方法的改进。其中的垂向动载荷的计算提出了一种理论力学的分析方法,还考虑了电机传动比以及车轴、抱轴箱、电机等装配位置尺寸对计算分析的影响。以某轴悬式抱轴箱为例进行了分析计算,结果与实际抱轴箱裂纹产生特征相符合,并提出该改进方法更能针对性的根据机车的设计参数情况进行强度计算分析。     

天然气管道泄漏扩散云团光谱检测研究进展

天然气管道泄漏易造成环境污染、爆炸等事故,目前检测天然气管道泄漏方法众多,而光谱检测技术具有非接触、快速、可高空测量等优点受到行业人士的关注。首先分析了天然气管道光谱检测技术特点,然后综述了天然气管道光谱检测技术涉及到的天然气管道泄漏扩散特性和天然气光谱性质,论述了现有研究的不足以及发展趋势。     

一房两卖被判双倍赔偿

北京北二环雍和大厦的开发商在合同上制造“文字陷阱”．先把门面房卖给郑先生,随后又卖给另一家业主,但既不给郑先生房子也不退款。日前,北京东城法院一审认定开发商违法,判决按照“1＋1”的原则,根据郑先生的已付购房款,双倍赔偿近1100万元和利息损失33万元。据悉．这是该市首例开发商因一房两卖被判双倍赔偿的案件。     

一房两卖被判双倍赔偿

北京北二环雍和大厦的开发商在合同上制造"文字陷阱",先把门面房卖给郑先生,随后又卖给另一家业主,但既不给郑先生房子也不退款。日前,北京东城法院一审认定开发商违法,判决按照"1+1"的原则,根据郑先生的己付购房款,双倍赔偿近1100万元和利息损失33万元。据悉,这是该市首例开发商因一房两卖被判双倍赔偿的案件。     

交错并联磁集成开关电感高增益Boost变换器

为了提高Boost变换器电压增益、减小支路电感电流纹波、减弱开关管电压应力、减小变换器体积,提出了一种新型带有开关电感及开关电容的交错并联磁集成Boost变换器。相对于传统交错并联Boost变换器而言,利用2个开关电感单元代替储能电感,2个电容及4个二极管构成开关电容,对所提出的拓扑进行理论分析、仿真及实验验证。结果表明,在占空比0.5相似文献   

中间相沥青表征研究进展

中间相沥青是光学各向异性的芳香类碳氢化合物的聚集体,是一种重要的炭材料前驱体。中间相沥青的性质表征及分析对中间相沥青及其衍生产品的制备、质量调控及应用具有重要意义。中间相沥青的分子结构、分子量及分布的有效测定有助于掌握反应机理和控制产品质量,聚集态结构直接决定着炭纤维和其它衍生炭材料的性能,中间相沥青的流变性是炭纤维研制和生产过程中最重要的参数。本文综述了中间相沥青性质表征方面的研究进展,重点介绍了中间相沥青分子量、聚集态结构、流变性方面的表征方法及结果,最后展望了中间相沥青表征的研发前景。     

Fe催化生长β-SiC纳米分支结构

采用直流电弧等离子辅助法合成了β-SiC纳米分支结构。用扫描电镜和透射电镜,X射线电子能谱和拉曼光谱等对样品进行表征,发现分级生长的SiC纳米线为单晶结构,沿111方向生长。β-SiC纳米分支结构通过气-液-固(VSL)机制合成。β-SiC纳米分支结构在425 nm处有一个强的发光峰。