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手机充电器的安全问题受到越来越多的关注,Y电容是引起手机充电器漏电的一个原因。基于目前市场上应用最为广泛的一款5 V/2 A手机充电器,研究了Y电容引起的手机充电器漏电问题,论述了市电电源结构、USB电缆线结构以及手机充电器结构,详细分析了Y电容正常和Y电容短路击穿两种情况下的漏电回路、等效电路以及漏电回路中关键元件的电压、电流波形,总结了漏电流与Y电容的关系,得到了Y电容短路击穿以及Y电容容值过大是造成人被电击的原因之一,最后通过仿真和实验,验证了理论分析的正确性。 相似文献
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针对多芯片功率模块MCPMs(multi-chip power modules)从功率模块布局设计角度对碳化硅SiC(silicon carbide) MOSFET的并联不均流进行了研究。理论分析了造成SiC MOSFET并联不均流的原因,在忽略器件自身差异的情况下,重点分析了非对称布局对功率管并联不均流的影响。在此基础之上,以集成化大功率固态功率控制器SSPC(solid-state power controller)为背景,提出了3种适用于大功率SSPC集成功率模块的非对称布局,分别对3种布局的不均流电流进行了理论分析,并利用Ansoft Q3D提取寄生参数在Saber中对模块的动态开关过程进行仿真。仿真结果表明,通过合理的布局可以减小非对称布局引起的寄生电感不对称对SiC MOSFET并联不均流造成的影响。 相似文献
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