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1.
碳化硅(SiC)MOSFET是一种新型高压功率开关器件,具有导通电阻低、开关速度极快的特点。本文分析了功率MOSFET在开关电源中的功率损耗,以1 200 V/24 A的SiC MOSFET和硅(Si)MOSFET在相同的测试条件下进行了功率损耗的对比测试。实验结果表明,在相同的驱动条件和负载条件下,SiC MOSFET的开关速度明显快于Si MOSFET,同时功率损耗明显降低,即使直接采用SiC MOSFET替代Si MOSFET也会使得开关电源的效率明显提升。  相似文献   
2.
碳化硅MOSFET具有导通电压低、开关速度极快、驱动能力要求相对低等特点,是替代高压硅MOSFET的理想器件之一。将额定电压、电流相同的碳化硅MOSFET和高性能硅MOSFET应用于反激式变换器中进行对比测试,实验结果表明,在相同的驱动条件和负载条件下,碳化硅MOSFET的开关速度明显快于硅MOSFET;在12 V驱动电平条件下,直接采用碳化硅MOSFET替代硅MOSFET使得变换器的效率明显提升;采用20 V栅极驱动电平,效果更加明显。  相似文献   
3.
对不同年代IGBT通用型模块的主要数据逐一对比分析。通过分析发现,随着应用外延片制造到区熔单晶硅技术的进步。极限参数中额定电压参数的测试条件在进步,表明了IGBT模块的阻断性能在进步;不同壳温下的额定电流差距在缩小;集电极耗散功率随着集电极一发射极饱和电压的降低而不再需要很高;栅一源极阈值电压的离散性在缩小,栅一源极闽值电压在提高,提高了抗电磁干扰能力;开关性能在提高;栅极体电阻参数的给出表明了IGBT模块中各IGBT芯胞开通/关断的一致性在提高。  相似文献   
4.
分析了常见的超级电容器电压均衡方式,电阻均衡方式在充电过程中几乎没有均衡能力。限压型有源均衡方式仅在超级电容器单体电压超过限压值后才有均衡作用,实际的均压效果不十分理想;针对这些问题,提出了超级电容器的动态电压均衡方式。分析了比较器式动态电压均衡方式及其存在的问题,以及比较式动态电压均衡方式改进方式—放大器与死区电压结合的动态电压均衡方式。分析晶体管发射极输出方式的特点及存在的问题,提出了输出级应用MOSFET的解决方案。得到了不同初始电压条件及不同电容量条件下充、放电的实验结果,验证了应用MOSFET输出的放大器方式的超级电容器动态电压均衡是一种有效、实用的解决方案。  相似文献   
5.
本文提出了常规线性可调稳压电源在输出电压切换时出现的输出电压上冲问题,和应用UC3832作为控制芯片的连续可调线性稳压电源的设计思路,以及如何克服UC3832的电源电压限制输出电压的电路设计思路.  相似文献   
6.
陈永真  陈之勃 《电源世界》2011,(8):43-46,32
本文提出了LED的长寿命与相对短寿命电解电容器之间的矛盾、影响LED灯及驱动电路寿命的因素。简单介绍了解决LED寿命与电容器寿命的解决方案,提出了超长寿命电解电容器是解决LED灯及LED驱动电路寿命的最适用的解决方案。介绍了国内外长寿命LED用电解电容器的现状。提出了小体积是高压电解电容器的技术关键,长寿命、低阻抗是长寿命低压电解电容器的技术关键。介绍了可以替代国外长寿命LED电解电容器的我国具有自主知识产权电解电容器。  相似文献   
7.
提出了一种通过调整开关管导通的占空比来优化开关电源参数的方法,从而提升它的工作效率。仿真结果验证了这一方法的有效性。  相似文献   
8.
分析了反激式变换器中变压器漏感对开关管漏-源极峰值电压的影响,利用参数的寄生振荡电路限制幅值、RCD箝位限制幅值的作用及存在的问题,提出将有源箝位技术应用于反激式变换器,分析了单管正激式变换器的有源箝位与反激式变换器有源箝位的作用不同之处。最后利用辅助DC/DC变换器作为有源箝位电路,并对反激式变换器在没有有源箝位的寄生振荡限幅形式和应用辅助DC/DC变换器的有源箝位形式进行对比试验,实验结果表明了有源箝位的有效性。  相似文献   
9.
该文通过分析输出整流器的导通占空比和变压器二次侧损耗、输出整流器导通损耗、输出滤波电容器损耗的关系,来调整输出整流器的导通占空比,优化输出端参数,降低反激式开关电源损耗.其有效性通过saber仿真实验得以验证.  相似文献   
10.
进入21世纪以来,电力电子技术取得了长足的进步,从而极大地推动了绿色能源产业的发展。新的电路拓扑不断出现,电力电子器件性能的提高,共同促进了电力电子变换装置不断改进.体积逐渐减小,性能也进一步完善。从本期起,本刊特邀辽宁工业大学陈永真教授撰写一组文章,介绍IGBT性能的变迁及其在电力电子装置中的应用情况,随后再介绍电力电子装置中如何优化使用电解电容器,以飨读者。  相似文献   
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