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1.
低温共烧结陶瓷(LTCC):特点、应用及问题   总被引:10,自引:0,他引:10  
与传统的封装技术相比,LTCC技术因其具有优良的高频特性、小线宽和低阻抗而倍受瞩目,现已迅速发展并应用于各领域。LTCC技术是将四大无源器件(电感L、电阻R、变压器T、电容C)和有源器件(晶体管、IC电路模块、功率MOS)集成在一起的混合集成技术。LTCC技术的应用可以取代目前的PCB板,使系统趋于小型化和稳定化。本文介绍LTCC技术的发展历史、研究现状、应用前景等,并着重介绍LTCC技术的分类、市场情况,也分析了LTCC技术的局限性。  相似文献
2.
高磁导率软磁材料的研究现状与关键工艺   总被引:5,自引:1,他引:4  
介绍了国内外高磁导率软磁材料的生产和研究现状,分析了高磁导率材料,尤其是软磁铁氧体的关键工艺,并对制约高磁导率材料发展的一些因素进行了讨论。  相似文献
3.
BaTiO3-NiCuZn陶瓷-铁氧体复合材料的性能   总被引:2,自引:0,他引:2  
目前制作抗EMI滤波器的材料主要有铁氧体系列和纳米晶软磁系列。本文主要介绍一新型抗EMI软磁铁氧体—陶瓷复合材料的制备及其磁性能的研究。复合材料的截止频率达到1.5GHz以上,有利于高频器件的使用。且介电常数大于45,有望成为电感、电容双用材料。  相似文献
4.
微型高频脉冲薄膜变压器优化设计及制作   总被引:2,自引:0,他引:2  
根据理论模型,推导出高频膜状变压器的基本设计参数,制作并测试了不同磁芯膜厚的变压器样品,Q值曲线,电感曲线,阻抗曲线表明该薄膜变压器具有良好的高频性能。  相似文献
5.
射频宽带低噪声放大器设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了射频宽带放大器的设计原理及流程。设计实现的射频宽带低噪声放大器,采用分立器件和微带线匹配,选用Agilent公司生产的低噪声增强赝配高电子迁移率晶体管ATF-551M4,用ADS软件进行设计、仿真和优化,实现了在1.1GHz~2.2GHz范围内,增益24dB以上,噪声系数小于1.2dB的两级宽带低噪声放大器设计。由于设计频带覆盖了多个通信常用频点,因此决定此低噪声放大器的应用会十分广泛。最后利用ProtelDXP软件对电路进行了版图设计,并在FR4基板上实现了该设计,给出了实测结果。  相似文献
6.
基于高边电流检测的大功率LED驱动芯片研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了采用高边电流检测方案的大功率LED恒流驱动芯片.基于25 V,1.5 μm BCD工艺,运用Cadence的SpectreS工具对电路进行了仿真.结果表明,LED驱动电流为滞环变化的三角波,在8~23 V输入电压范围内,芯片输出驱动电流变化小于4%.芯片的实测数据与仿真结果基本一致,实现了恒流驱动大功率LED的功能.  相似文献
7.
When applied to partially depleted SOI MOSFETs, the energy transport model predicts anomalous output characteristics. The effect that the drain current reaches a maximum and then decreases is peculiar to the energy transport model. It is not present in drift-diffusion simulations and its occurrence in measurements is questionable. The effect is due to an overestimation of the diffusion of channel hot carriers into the floating body. A modified energy transport model is proposed which describes hot carrier diffusion more realisticly and allows for proper simulation of SOI MOSFETs.  相似文献
8.
基于ANSYS的开关电源变压器热模拟研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
开关电源变压器是开关电源中重要的热源之一,对其进行研究在提高开关电源变压器的可靠性和加快研制周期方面起着重要的作用。利用ANSYS软件建立了一种开关电源变压器的三维模型,并对该模型进行了热模拟,所得结果对开关电源变压器的热设计具有一定的指导意义。  相似文献
9.
Carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs) have been studied in recent years as a potential alternative to CMOS devices, because of the capability of ballistic transport. The ambipolar behavior of Schottky barrier CNTFETs limits the performance of these devices. A double gate design is proposed to suppress this behavior. In this structure the first gate located near the source contact controls carrier injection and the second gate located near the drain contact suppresses parasitic carrier injection. To avoid the ambipolar behavior it is necessary that the voltage of the second gate is higher or at least equal to the drain voltage. The behavior of these devices has been studied by solving the coupled Schrödinger-Poisson equation system. We investigated the effect of the second gate voltage on the performance of the device and finally the advantages and disadvantages of these options are discussed.  相似文献
10.
The band structure of Silicon under arbitrary stress/strain conditions has been calculated using the empirical non-local pseudopotential method. It is shown that the change of the electron effective mass cannot be neglected for general stress conditions and how this effect together with the strain induced splitting of the conduction bands can be used to optimize the electron mobility. The effective mass change has been incorporated into our Monte Carlo simulator VMC and an existing low-field mobility model.  相似文献
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