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1.
2~8GHz宽带低噪声放大器设计   总被引:7,自引:6,他引:1  
文中利用负反馈和宽带匹配技术,结合计算机辅助设计,在2~8GHz的范围内实现了增益G=20±1dB,噪声系数≤3·5dB的宽带低噪声放大器。并对该类放大器的制作工艺做了简单介绍.该放大器工艺简单成本较低,可以推广使用.  相似文献
2.
低噪声放大器设计中的屏蔽和接地技术研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
论述了低噪声放大器设计中的几种屏蔽和接地方法,指出了屏蔽与接地的一些基本原则,并给出了二个屏蔽与接地实例。  相似文献
3.
基于DDS+PLL频率合成器的设计与实现   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文介绍了一种针对某跳频通信系统频率合成器的设计方案。在ADS软件环境下进行设计及仿真,并对结果进行了系统分析。设计方案经测试,该频率合成器可以输出200~270MHz范围内的高精度频率信号,频率步进为25kHz,跳频时间小于200μs,技术指标均达到预期要求。能够满足VHF和UHF波段跳频系统的需求,具有较高的使用价值。  相似文献
4.
微波低噪声硅晶体管的方波电磁脉冲损伤研究   总被引:5,自引:3,他引:2  
杨洁  刘尚合  原青云  武占成 《高电压技术》2007,33(7):111-114,158
为了得到电磁脉冲注入对硅半导体器件的作用效应,对两个批次的同型号微波低噪声硅晶体管进行方波注入试验,得出了此类器件对电磁脉冲的最灵敏端对CB结和最敏感参数VBRCEO、损伤电压值、损伤电流值及损伤功率值。电磁脉冲注入时,通过示波器记录晶体管上的瞬时电压、电流波形并得出器件瞬时功率波形。将器件损伤时出现的二次击穿点的功率平均值作为该器件的损伤功率值,将二次击穿点的延迟时间与对应的损伤功率值作P-T图,得出其拟合曲线方程。根据拟合方程把各延迟时间下的损伤功率换算为1μs脉宽下的功率值,统计其损伤能量基本符合正态分布。经分析,器件方波电磁脉冲注入时的损伤机理为热二次击穿。  相似文献
5.
测量低噪声放大器的噪声系数   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文介绍了用噪声系数分析仪测量低噪声放大器的噪声系数的方法和原理。以Agilent N8975A噪声系数分析仪的使用为例,分析了Y系数法测量噪声系数的原理,和低噪声放大器测量的步骤与特殊性。  相似文献
6.
低噪声光电检测电路的研究与设计   总被引:4,自引:0,他引:4  
为了消除光电检测电路的噪声干扰,解决用光电检测电路检测微弱光信号时的噪声问题,文章分析了光电检测电路的内部和外部噪声的来源,设计出了一种低噪声光电检测电路,并给出了光电检测电路的噪声模型,推出了光电检测电路输出信噪比的公式并对影响光电检测电路输出信噪比的因素进行了详细的分析与研究,提出了在设计低噪声光电检测电路时对光电器件、电子元件以及前置放大器等元器件的相关参数的选择方法与依据.  相似文献
7.
输电线路低噪声导线的开发研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
随着输电线路电压等级的提高,大截面导线、分裂导线的应用越来越多,风噪声和电晕噪声的问题日趋严重。导线风噪声是风吹过导线后,由导线表面的流体剥离所引起的压力变化所产生。在导线表面采取缠绕扰流线措施或直接使用低噪声导线,能够降低导线风噪声和电晕噪声水平。目前我国尚未开展防导线风噪声的研究。在我国输电线路飞速发展、特别是在特高压输电线路的前期准备工作中,应及时开展防导线风噪声的试验研究。  相似文献
8.
新型全集成CMOS射频接收器低噪声电源系统   总被引:3,自引:1,他引:2  
针对CMOS射频接收器芯片,提出了一种新型全集成电源系统方案,相对于传统低压差线性稳压器(LDO)电源,噪声性能显著提高。在对片内模块电源域合理划分的基础上,设计了低噪声的新型电压源取代传统的带隙基准源(Bandgap)作为LDO提供参考电压,并通过对参考电压值巧妙设计,避免了使用LDO电阻反馈网络来调节输出电压,进一步减小了电阻引入的噪声。结合数字校准电路,本系统可以为片内各电路提供准确的电源电压。该设计在Smic0.18m工艺下后真结果表明,在100kHz处,新型参考电压源输出噪声为16.38nV/√Hz,片内电源输出噪声仅为21.28nV/√Hz。  相似文献
9.
噪声相关系数的计算及其在低噪声设计中的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
在电子测量中噪声是一个重要的问题。噪声相关性对噪声计算和低噪声设计精度影响很大,这个问题一直被学者们忽视。本文在改进的噪声相关系数定义的基础上,解决了噪声相关系数的计算问题,进而给出了更精确的低噪声设计结果。在实例中,讨论了忽略噪声相关性对噪声计算和低噪声设计所造成的误差。  相似文献
10.
射频宽带低噪声放大器设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了射频宽带放大器的设计原理及流程。设计实现的射频宽带低噪声放大器,采用分立器件和微带线匹配,选用Agilent公司生产的低噪声增强赝配高电子迁移率晶体管ATF-551M4,用ADS软件进行设计、仿真和优化,实现了在1.1GHz~2.2GHz范围内,增益24dB以上,噪声系数小于1.2dB的两级宽带低噪声放大器设计。由于设计频带覆盖了多个通信常用频点,因此决定此低噪声放大器的应用会十分广泛。最后利用ProtelDXP软件对电路进行了版图设计,并在FR4基板上实现了该设计,给出了实测结果。  相似文献
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