美万国半导体落户重庆集成电路产业基地

美国万国半导体(简称"AOS公司")成立于2000年,总部位于美国硅谷,是一家集半导体设计、晶圆制造、封装测试为一体的企业,主要从事功率半导体器件(含功率MOSFET、IGBT和功率集成电路产品)的产品设计和生产制造。目前AOS公司在美国俄勒冈有一座8英寸晶圆厂、在上海松江有二座封装工厂,在美国硅谷、台湾、上海均设有研发中心。产品市场涉及笔记本电脑、液晶电视、手机、家电、通讯设备、工     

中国南车拟大力开发半导体IGBT项目 投资逾20亿元

正近日,中国南车公司表示,公司下属的株洲所举办的"高压高功率密度IGBT芯片及其模块研究开发"项目鉴定会上,研制的国内唯一一款最大电压等级、最高功率密度的6500V高压IGBT芯片及其模块首次向外界亮相,该项目代表我国功率半导体器件行业IGBT技术的最高水平。中国南车株洲所IGBT事业部总经理刘国友透露,中国南车株洲所在IGBT项目上总投资超过20亿元,目前该公司有近百位来自全球的顶尖专家从事IGBT器件芯片及模块技术的研发,在IBGT芯片设计、封装测试、可靠性     

吉时利4200-SCS半导体特征分析系统KTEIV7．1升级版扩展了C—V、I—V和脉冲式I—V特征分析功能

（美国俄亥俄州克里夫兰，200B年7月29日讯）美国吉时利（Keithley）仪器公司（NYSE代码：KEI），日前针对4200～SCS半导体特征分析系统推出了KTEI（吉时利交互式测试环境）V7．1版。经过此次软件升级之后，KTEi支持更高功率半导体器件的测试。这样。4200—SCS就支持从低到高各种功率水平的器件的特征分析，大大降低了一些复杂测量的难度，并且通过保护用户的固定资产投资降低了用户的测试成本。KTEI V7．1的此次升级融合了多种新特征和新功能．扩宽了4200-CVU（电容-电压单元）的功能，包括对高达200VDC（即400V差分电压）和300mA更高功率半导体器件的特征分析提供了软件支持。     

吉时利4200-SCS半导体特征分析系统KTEIV7．1升级版扩展了C-V、I-V和脉冲式I-V特征分析功能

2008年7月29日，美国吉时利（Keithley）仪器公司发布最近针对其屡获殊荣的4200-SCS半导体特征分析系统推出了KTEI（吉时利交互式测试环境）V7．1版。经过此次软件升级之后，KTEI支持更高功率半导体器件的测试。这样，4200-SCS就支持从低到高各种功率水平器件的特征分析，从而成为市场上最完整的半导体特征分析仪，大大降低了一些复杂测量的难度，并且通过保护用户的固定资产投资降低了用户的测试成本。     

吉时利发布专为高功率半导体测试优化的高电压数字源表

美国俄亥俄州克里夫兰,2012年3月19日讯-吉时利仪器公司今日发布2657A高功率数字源表。2657A为吉时利2600A系列高速、精密源测量单元数字源表系列产品增加了高电压功能。此系列仪器能帮助吉时利客户分析范围更宽的功率半导体器件和材料。2657A内建3000V、180W源,支持以极低的成本向被测器件输出5倍于最接     

电力电子技术中虚拟原型和综合多目标优化技术研究(上)

新的拓扑结构,新的调制方法和未来的宽能带隙的半导体器件技术将会满足电力电子系统更高效率,更高功率密度和更低成本的要求。但是,在设计过程中通过使用多范畴/多目标优化,亦即对设计变量都用最优值,也能显著地提高目前技术系统的性能。为了实现这些优化,首先需要对主电路建立一个综合的数学模型,包括热模型,DM和CM EMI滤波器模型。基于这些模型,可以得到诸如效率,功率密度等的多目标优化。优化可以充分地使用所有的设计自由度,也允许确定根据诸如功率半导体器件的品质因数或磁芯材料的性质等基本技术决定的系统性能的敏感度。而且,能够容易地比较不同拓扑结构和识别固有性能的限制。本文首先描述设计一个电力电子变换器的主要功能要素的分析途径和一个线性设计过程。接着连接诸如电、磁、热和热-机设计范畴的元件模型,讨论基于这些连接模型的各个设计变量的优化。最后,研究不同范畴的耦合和实施这些耦合的等效电路的利用实例。     

电力电子技术逆变电路的简介和计算机模拟

电力电子技术是当今发展较为迅速的一项技术，各种新型的电力电子器件不断涌现也使得这项技术的内涵得到迅速更新。进入20世纪70年代，以晶闸管为代表，二极管及晶体管等功率半导体器件在高速、高压、大电流方面的发展非常迅速。70年代以后，IG、LSI、微型计算机、DSP、ASIC等实用化取得了进展，采用微型器件的控制技术、信号处理技术也日益成熟。     

高频正弦波电流下IGBT能带结构和开关特性分析

基于能带理论--载流子浓度分布与电极距离函数的宏观体现，该文提出了一种IGBT在高频正弦波电流及零电流开关条件下开关动态特性的分析方法。首先介绍了功率器件在实际电路中的工作条件，其次提出了IGBT的能带结构图，并通过对独立元件、稳态及暂态时的能带图的分析比较，得出开关动态特性，并给出开关时刻的电压电流初值及能带图；实验结果也验证了IGBT在高频正弦波电流下零电流开关的开关特性；根据这个特性，文章采用随谐振电流大小微调开关频率的方法，来实现功率管电压过冲的完全抑制。     

智能功率模块的封装结构和发展趋势

在消费电子和一般工业应用的电机驱动领域智能化模块封装结构研发过程中，设计人员和制造厂商面临如何实施稳健设计，优化工艺流程、提高良率、降低成本、扩大产能等很多实际问题。解决这些问题的首要突破口是智能功率模块结构设计本身，其中模块结构和互连方式设计对产品开发人员的想象力提出极大挑战，而器件应用、可靠性及市场等因素又极大地制约了开发人员创造性的发挥。文章介绍了功率半导体器件及智能功率模块的发展，分析了常用（一般低于1500V）智能功率模块的特点、结构和工艺流程，以及封装过程所使用的材料和产生的问题，最后探讨了封装设计的发展趋势。     

2008年IEEE功率半导体器件及集成电路国际会议评述

综述和评论了在第20届IEEE功率半导体器件及集成电路国际会议会议上发表的一些主要成果和进展,其中对一些重点成果还补充了往年的研发情况和发展经历,希望能帮助读者大致上了解当前功率器件和功率集成电路研发的典型状况和最新信息。