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3.
设计了一种用于天文望远镜的低噪声电荷耦合器件(Charge Coupled Devices,CCD)读出电路.该读出电路主要包括电容增益电路、单端转差分电路、双斜率积分电路以及缓冲器电路.CCD读出电路采用SMIC 0.18μm1P6M CMOS工艺实现.后仿真结果表明,在电源电压3.3V,输入信号67kHz,输出信号80mV峰值时,输出信号动态范围86dB,等效输入噪声2.523nV/Hz1/2,整体功耗1.25mW. 相似文献
4.
设计了一种可用于UHF RFID读写器芯片中VCO供电的低噪声、大带宽(1 MHz)内高PSRR、片外无补偿电容的LDO。根据LDO基本结构对输出噪声进行详细分析;在带隙基准输出端构造一低通滤波器,有效移除了带隙基准对LDO输出噪声的影响;提出用二极管连接的MOS管代替LDO中的分压电阻,使得输出噪声得到进一步优化。电路采用IBM 0.18 μm CMOS工艺进行设计和仿真,在10 kHz频率处,PSRR为-70 dB,输出噪声为21.01 nV·Hz-1/2;在1 MHz频率处,PSRR为-47 dB,输出噪声为6.187 nV·Hz-1/2;在10 MHz频率处,PSRR为-27 dB,输出噪声为6.244 nV·Hz-1/2。 相似文献
5.
6.
基于0.18μm CMOS工艺,设计了一款可用于UHF RFID读写器的低相位噪声、宽带的压控振荡器(VCO)。使用全集成、低输出噪声和高电源抑制比(PSRR)的低压差线性稳压器(LDO)为VCO供电;采用4bit电阻偏置型开关电容阵列拓宽了频带,减少了寄生二极管引入的损耗,有效提升了VCO的相位噪声性能。测试结果表明:LDO输出2.5V电压的条件下,整个电路消耗电流为4.8mA时,压控振荡器的输出频率可在3.12GHz至4.21GHz(增幅30.5%)的范围内变化。在载波3.6GHz频偏200kHz和1 MHz时相位噪声分别为:-109.9dBc/Hz和-129dBc/Hz。 相似文献
7.
8.
9.
10.
《电子元件与材料》2017,(11):38-42
设计了一种用于MEMS加速度传感器的低功耗低噪声的全差分电路,采用套筒式电路结构,增加了输出阻抗,减少了功耗和噪声。适当的共模反馈,提高了环路足够的补偿,避免了输出信号的失真,确保获得好的相位裕度以及一个快速的反应。在0.5μm CMOS工艺模型下,Cadence Spectre电路仿真的结果表明,电源电压为5 V,频率的范围是0.1 Hz到100 MHz时,得到电路的噪声大小是5.777 891μV·Hz~(–1/2),功耗大小为41.768 m W,版图的面积为1834.18μm×1446.87μm。这一电路可以用于地震监测以及石油勘探等领域。 相似文献