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2.
高功率放大器是地球站上行发射系统的核心部分,决定上行站EIRP能力的重要设备。目前国内通常采用的高功率放大器(HPA,High Power Amplifier)有:速调管放大器(KPA,Klystron Power Amplifier)、行波管放大器(TWTA,Travelling Wave Tube Amplifier)和固态功放大器(SSPA,Solid State Power Amplifier)三种类型。 相似文献
3.
为了确保卫星系统电磁兼容性满足要求,设计了一款应用于卫星测控通信系统的小型化S频段高谐波抑制功率放大器。通过在功放输出端设置谐波抑制网络改善了电路的谐波抑制性能。采用集总与分布参数元件相结合匹配形式,实现了电路的小型化设计。电路尺寸38.5 mm×28.2 mm。通过对功放腔体结构进行细化建模仿真,确保了功放电路的稳定性。实测结果表明,当工作频率为2.52 GHz时,功放1 dB压缩点大于31 dBm,谐波抑制度大于61 dBc,功率附加效率高于35%,1 dB带宽大于320 MHz。与国内外同类产品相比,该功放在谐波抑制性能等方面具有明显优势。 相似文献
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5.
《固体电子学研究与进展》2018,(1)
设计了一款基于2.4mm栅宽的GaN HEMT工艺的对称型长期演进(LTE)线性Doherty功率放大器。通过使用陶瓷片Lange定向耦合器作为功率分配器并使用陶瓷片电容和微带作为匹配网络代替传统的PCB微带匹配网络,减小了电路面积。阐述了Doherty放大电路的基本原理,制作了电路实物并进行测试。在3.4~3.6GHz频段范围内,该功率放大器的饱和功率45.2dBm,饱和效率60.0%,回退8dB时效率为52.1%,线性增益为16.8dB;输入80MHz带宽LTE信号,在回退8dB时经过数字预失真(DPD)算法优化后邻信道功率比(ACPR)为-38.3dBc;功率放大器匹配部分尺寸为9mm×4mm。 相似文献
6.
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为了满足短距离无线高速传输的应用需求,基于SMIC 90 nm 1P9M CMOS工艺,设计了一种可工作在60 GHz的功率放大器(PA)。该PA为单端三级级联结构。采用顶层金属方法,设计具有高品质因子的小感值螺旋电感,用于输入、输出和级间匹配电路,以提高电路的整体性能。通过减少传输损耗和输出匹配损耗,提高了附加功率效率。仿真结果表明,在1.2 V电源电压下,该PA的功率增益为17.2 dB,1 dB压缩点的输出功率为8.1 dBm,饱和输出功率为12.1 dBm,峰值功率附加效率为15.7%,直流功耗为70 mW。各性能指标均满足60 GHz通信系统的要求。 相似文献
8.
论述了位于不同层面的缺陷地结构(DGS)应用于功率放大器的设计。一种是在微带线的两侧接地面刻蚀DGS,另一种是在微带线的背面接地刻蚀DGS,通过ADS Momentum仿真确定DGS的尺寸,并将这两种DGS应用到一款4 W功率放大器中进行仿真和实际制板测试。实测结果显示在微带线两侧接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.76 d Bm时改善二次谐波13 d B,且输出功率和功率附加效率(PAE)优于不刻蚀DGS的功率放大器。在微带线背面接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.21 d Bm时改善二次谐波28 d B,由于DGS结构改变了正面微带线的特征阻抗,所以输出功率和功率附加效率低于不刻蚀DGS的功率放大器。 相似文献
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