不同屏蔽措施对电磁干扰抑制的研究

开关器件对地寄生电容是共模电流流通的主要路径,产生的传导EMI会对设备形成不利影响。以充电机水冷散热器为例进行分析,利用金属静电屏蔽特性采取两种措施降低电磁干扰。一种是在开关器件与散热器之间的导热硅脂间插入一接直流0 V地的金属层;另一种是对水冷散热器结构进行改造,将金属水箱分为两部分,利用绝缘密封安装槽连接这两部分,其中一块金属水盖接到直流0 V地上,另一块水盖通过机壳接地。仿真结果表明采用所述方法均能有效地抑制传导共模电流,而后一种方法能达到更好的效果。     

一种无漏电流非隔离光伏并网逆变器研究

由于效率高、体积小、重量轻和成本低,非隔离逆变器一直是国内外学者研究的重点,但非隔离逆变器易产生漏电流,从而带来安全问题。为此将常规两级式光伏并网逆变器后级全桥逆变中的一个桥臂替换为双向BuckＧ Boost电路,使光伏电池负极与交流侧中性点直接相连,光伏电池对地寄生电容被完全短路,以消除逆变器漏电流。文章对该改进型两级式光伏并网逆变器的工作原理进行了分析,提出了一种通过控制双向 BuckＧBoost电路的支路电 流消除直流母线电容工频纹波的方法。最后通过仿真分析验证了该改进型光伏并网逆变器的可行性。     

一种低损耗LTCC威尔金森功分器设计

设计了一种低损耗LTCC威尔金森功分器。采用低温共烧陶瓷技术,达到器件小型化设计的目的。利用交叉叠层的方法,减小了两路电路自身的寄生电容从而减小了功分器的插入损耗。为了验证该设计的可行性,采用这种结构设计制作通带为1 425~1 900 MHz的威尔金森功分器,加工后测得其插入损耗小于–3.25 d B,尺寸仅为3.2mm×1.6 mm×0.9 mm。     

高速PCB中过孔电容的分析

采用有限差分的方法对高速PCB板上的过孔电容进行计算,计算出不同尺寸下过孔的寄生电容,并与其他方法得出的电容值进行比较验证其精度,给出了过孔电容值的估算法。     

可调谐RF激活你的LTE投资

当LTE(Long Term Evolution,长期演进技术)的部署气势重新抬头,企业经营者与手机制造商都该明白,4G网络并非3G性能萎靡不振时的万灵丹。事实上,大家必须了解,完整的LTE解决方案包括了提升速度与可靠度,以及一系列持续强化处理,以避免因网络流量过大、数据使用量增加,还有外形尺寸限制等因素而造成的拥塞。     

智能燃油液位计的设计

燃油液位计是发动机燃油保障系统的一个重要装置,它的功能是准确地测量油箱的剩余油量以维持对发动机的自动供油,使发动机能够正常的运行。本文介绍了电容式液位传感器的基本原理和电容检测芯片PS？21的测量原理,设计了液位计系统的软硬件,同时传感器结构的设计考虑到了液位传感器的边缘效应,电路大大减弱了寄生电容杂散电容的影响,并实...     

叠层片式陶瓷电感器寄生电容的提取

寄生电容是叠层片式电感器的重要参数,对电感器的Q值和谐振频率影响很大.如何准确估计寄生电容的大小成为电感器设计的一个难题.采用Ansoft Q3D软件建立了叠层片式陶瓷电感器的3D静电场有限元模型,计算了各电极间的杂散电容,然后建立电感器的等效电容网络,列出节点电压方程并求解得到寄生电容.计算结果和测量结果基本一致.瓷...     

电感寄生电容对电子镇流器启动的影响

针对电子镇流器启动时的可靠性要求研究了电子镇流器的谐振方法.对串联谐振、并联谐振、串并联谐振3种谐振方法进行比较后,选择了串并联谐振法,并分析研究了这种谐振方法存在的问题.为了使电子镇流器可靠启动.必须提供足够高的启动电压.通过研究串并联谐振电路启动时各种参数,发现电感的寄生电容对启动电压影响特别大,因此针对这种现象对原有方法进行了改进,使启动电压达到3 kV以上,从而能够可靠地将灯点亮.介绍了滑频启动方法,并对该方法加以改进,实现了可靠点灯.     

电容触摸传感的理论框架

电容触摸传感技术要求时电容或容值的变化进行测量.完成测量有多种方法,但每当模拟硬件采集到数据后,就必须将数据输入给单片机处理.必须对数据进行后处理,比如以数字的形式来表示数据才能使读数具有实际意义.     

应用于千兆以太网的1-Gb/s 零极点对消CMOS跨阻放大器

A zero-pole cancellation transimpedance amplifier（TIA）has been realized in 0.35μm RF CMOS technology for Gigabit Ethernet applications.The TIA exploits a zero-pole cancellation configuration to isolate the input parasitic capacitance including photodiode capacitance from bandwidth deterioration.Simulation results show that the proposed TIA has a bandwidth of 1.9 GHz and a transimpedance gain of 65 dB·Ωfor 1.5 pF photodiode capaci- tance,with a gain-bandwidth product of 3.4 THz·Ω.Even with 2 pF photodiode capacitance,the bandwidth exhibits a decline of only 300 MHz,confirming the mechanism of the zero-pole cancellation configuration.The input resis- tance is 50Ω,and the average input noise current spectral density is 9.7 pA/√ Hz.Testing results shows that the eye diagram at 1 Gb/s is wide open.The chip dissipates 17 mW under a single 3.3 V supply.