基于桥臂电路的能量有源回馈吸收单元研究

提出一种基于桥臂电路的能量有源回馈吸收单元(EARS),不仅能够实现桥臂电路的软开关,还能解决能量回馈过程中的环流问题。EARS由无源软开关吸收回路和能量有源回馈支路构成,无源软开关吸收回路能够实现主电路开关管的零电流开通和零电压关断;而储存于缓冲电容的能量则能通过能量有源回馈支路返回至电源侧,并解决了无源回馈支路中的环流问题。能量有源回馈支路中辅助开关管的控制策略简单并且与主开关管相互独立,有利于系统模块化,提高了系统的可靠性。最后,通过搭建1 k W的能量有源回馈吸收单元实验平台,对上述电路拓扑的有效性和优越性进行验证。     

英飞凌为感应加热应用推出新一代逆导IGBT

正2014年2月24日,英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A 1350 V器件,再次扩充逆导(RC)软开关IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品组合。新的20A RC-H5是对英飞凌性能领先的RC-H系列的扩展,重点关注感应加热应用的系统效率和高可靠性要求。与前几代产品相比,RC-H5的开关损耗降低高达30%,使设计人员能够使用IGBT的工作频率高达30 kHz。因此,配备RC-H5的系统效率提高     

MOSFET的损耗分析与工程近似计算

根据MOSFET的简化模型,分析了导通损耗和开关损耗,通过典型的修正系数,修正了简化模型的极间电容。通过开关磁铁电源的实例计算了工况下MOSFET的功率损耗,计算结果表明该电源中工况下的MOSFET功率损耗比较小,可以长时间可靠稳定的工作。     

科锐1200 V碳化硅肖特基二极管开关损耗锐减50%

科锐公司(CREE)日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec碳化硅(SiC)肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列,科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。     

一种优化的模块化多电平换流器电压均衡控制方法

模块化多电平换流器(MMC)的各个子模块间的电压均衡问题,是MMC拓扑的难点之一.本文在采用最近电平调制方式的基础上,对按子模块电容电压排序后,根据桥臂电流方向直接选择相应子模块触发的传统电压均衡方法进行了改进,引入子模块间最大电压偏差量,有效避免了因排序算法导致的同一IGBT不必要的反复投切现象,从而在保证各子模块电...     

软开关技术的分析研究

在对市场及研究领域中最受青睐的软开关技术进行分析的基础上,根据软开关表现出来的优良特性以及结构特点,对变换器进行了整合研究。     

面向空间受限应用的中压MOSFET

FDMC86XXXP系列P沟道PowerTrenchMOSFET在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。该系列包括FDMC86261I’150V和FDMC86139P100VP沟道MOSFET。与同类器件相比,这类P沟道MOSFET具有更好的开关性能品质因数（FOM）。此外,其导通损耗减小_,46％,开关损耗减小了38％。因此,设计人员能够缩小尺寸并提高系统整体性能。     

采用热增强封装的150V N沟道MOSFET

SiA446DJ是一款采用小尺寸、热增强型SC-70封装的150V N沟道M0SFET，其占位面积为2mm×2mm，在10VF具有业内最低的导通电阻，可通过减少传导和开关损耗，在各种空间受限的应用中提高效率。     

凌650V系列IGBT获“2014中国年度电子成就奖”

正2014年9月上海英飞凌科技(中国)有限公司宣布其TRENCHSTOPTM5系列IGBT荣膺"2014中国年度电子成就奖"(ACE)之年度最佳功率器件/电压转换器产品奖,TRENCHSTOPTM5 IGBT具备极低的导通和开关损耗,大幅改善了效率及可靠性,提高了功率密度,从而优化了系统成本。同时,全新开发的反并联Rapid快恢复二极管进一