掺钪AlN材料特性及HBAR器件性能研究

该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e₃₃增加、刚度 下降,导致Al₁-_xSc_xN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al₁-_xSc_xN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。     

不同层面缺陷地对功率放大器的影响

论述了位于不同层面的缺陷地结构(DGS)应用于功率放大器的设计。一种是在微带线的两侧接地面刻蚀DGS,另一种是在微带线的背面接地刻蚀DGS,通过ADS Momentum仿真确定DGS的尺寸,并将这两种DGS应用到一款4 W功率放大器中进行仿真和实际制板测试。实测结果显示在微带线两侧接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.76 d Bm时改善二次谐波13 d B,且输出功率和功率附加效率(PAE)优于不刻蚀DGS的功率放大器。在微带线背面接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.21 d Bm时改善二次谐波28 d B,由于DGS结构改变了正面微带线的特征阻抗,所以输出功率和功率附加效率低于不刻蚀DGS的功率放大器。     

基于特定致腐菌的调理肉饼货架期预测模型构建

为建立调理肉饼中特定致腐菌的货架期预测模型。将特定致腐菌乳酸菌接种于经臭氧减菌化处理的调理肉饼中,真空包装后分别于-1℃、4℃、10℃、15℃和22℃条件下(温度波动为±1℃)贮藏,在贮藏期间(0～11 d)测定调理肉饼挥发性盐基氮值、pH值、硫代巴比妥酸值及菌落总数等指标,并进行感官评价,利用修正的Gompertz方程和平方根模型(B?lehrádek),建立以特定致腐菌乳酸菌为关键品质因子的调理肉饼微生物货架期模型。结果表明:修正的Gompertz方程能较好地拟合不同贮藏温度下微生物的生长曲线,应用平方根模型(B?lehrádek)描述温度对最大比生长速率(μ_(max))和迟滞期(Lag)的影响,均表现出良好的线性关系(R~2分别为0.98和0.83)。调理肉饼在-1℃、4℃、10℃、15℃和22℃下乳酸菌货架期最小腐败量对数平均值为(6.94±0.21) lg(cfu/g),平均最大菌数对数值为(8.65±0.16)lg(cfu/g),得到了在-1℃～22℃贮藏温度下调理肉饼的货架期预测模型。预测模型通过10℃和15℃贮藏温度下的货架期实测值来进行验证,相对误差均小于10%,表明基于平方根方程建立的模型可以有效地预测调理肉饼在-1℃～22℃贮藏温度条件下的特定致腐菌乳酸菌的货架期。     

基于GD32单片机的电能质量分析系统设计

基于32位ARM coretex-M4单片机作为主处理器,利用准同步采样技术实现三相电力系统的电压和电流参数采集,采用傅立叶变换技术对谐波频率及含量进行计算。针对每个工频周期的采样点数和响应速度的矛盾,提出了一种基于采样点数和响应速度的平衡控制策略,既兼顾了采样点数,保留原数据的真实变化,同时满足一定要求的响应速度。     

基于差流基波分量相位的励磁涌流识别新方法

基于二次谐波闭锁判据的差动保护算法，在面对励磁涌流二次谐波含量低于门槛值以及空合故障变压器这两类情况时，很难在动作可靠性上做到平衡。根据单相涌流二次谐波含量求取方法，文章分析了励磁涌流二次谐波含量低于门槛值时单相涌流的性质:当三相励磁涌流二次谐波含量低于门槛值时，两相涌流饱和程度较大，另一相饱和程度较轻或不饱和；当两相励磁涌流二次谐波含量低于门槛值时，一相涌流饱和程度较大。利用上述性质，根据三相差流二次谐波含量的不同情况，结合二次谐波闭锁判据，文章提出了励磁涌流基波分量相位辅助判据。MATLAB/Simulink仿真实验验证了算法的可行性，当三相励磁涌流二次谐波含量均低于门槛值时，算法能够正确闭锁差动保护。