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1.
为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体管的损伤;以漂移扩散模型计算了晶体管典型性能的响应,验证了晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应。结果表明晶体管对电离辐射敏感的区域位于基区和发射结区附近的Si/SiO_(2)界面,从Gummel曲线提取的归一化增益发现,电离辐射损伤可能使晶体管增益降低50%以上,这对晶体管性能影响很大。该方法可以在降低成本、缩短周期的前提下,为晶体管抗电离辐射可靠性评估提供合理的技术支撑和可借鉴的理论数据。 相似文献
2.
近期,国家互联网信息办公室、工业和信息化部、公安部、国家市场监督管理总局公布《互联网信息服务算法推荐管理规定》(以下简称《规定》),要求自2022年3月1日起施行。此《规定》一经公布就引起了各大传统媒体及新媒体的争相报道,一时间关于《规定》与“算法推荐服务”的话题引发了社会各界的关注与讨论,解读《规定》者有之,声讨算法服务者更有之。 相似文献
3.
2022年1月,生态环境部、发展改革委、自然资源部、交通运输部、农业农村部、中国海警局联合印发《"十四五"海洋生态环境保护规划》(以下简称《规划》),对"十四五"期间海洋生态环境保护工作作出了统筹谋划和具体部署。《规划》按照构建现代环境治理体系等要求,从四个方面提出了相关重点任务和支撑保障措施. 相似文献
4.
针对高帧频、全局曝光和光谱平坦等成像应用需求,设计了一款高光谱成像用CMOS图像传感器。其光敏元采用PN型光电二极管,读出电路采用5T像素结构。采用列读出电路以及高速多通道模拟信号并行读出的设计方案来获得低像素固定图像噪声(FPN)和非均匀性抑制。芯片采用ASMC 0.35μm三层金属两层多晶硅标准CMOS工艺流片,为了抑制光电二极管的光谱干涉效应,后续进行了光谱平坦化VAE特殊工艺,并对器件的光电性能进行了测试评估。电路测试结果符合理论设计预期,成像效果良好,像素具备积分可调和全局快门功能,最终实现的像素规模为512×256,像元尺寸为30μm×30μm,最大满阱电子为400 ke^(-),FPN小于0.2%,动态范围为72 dB,帧频为450 f/s,相邻10 nm波段范围内量子效率相差小于10%,可满足高光谱成像系统对CMOS成像器件的要求。 相似文献
5.
7.
8.
9.
针对EBZ260掘进机切割部运行过程中出现的结构失效问题,基于EBZ260掘进机的结构特点,建立切割部三维模型与仿真模型,对掘进机切割部运行过程中的结构性能进行仿真研究.研究结果显示:切割部中减速箱轴承座、前端支撑座、套环等区域是整个结构的薄弱部位,极易出现结构变形、开裂等失效现象,为此从多个角度开采了掘进机切割部的优化改进,以提高切割部的结构强度及使用寿命. 相似文献
10.
分析了巷道支护的设计原则,并提出了应结合实际地质条件来合理设计巷道支护的策略,通过进一步了解不同锚固方式以及项板角下围岩应力场分布情况,从实际出发选用最佳的巷道围岩变形控制技术,能有效控制巷道围岩变形,更好地保障了矿井安全生产. 相似文献