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1.
锌的可充电电池有良好的电化学性能,但锌枝晶的问题会导致其库伦效率降低,发生短路,甚至形成"死锌".利用沉淀法制备新型复合材料ZnSO4·3Zn(OH)2·H2O@石墨烯作为电池的负极,使用2 mol/L K2SO4作为电解液,利用沉淀-溶解机制以达到实现抑制锌枝晶的目的.采用X线衍射仪(XRD)对循环前后的负极材料进行表征,用电子扫描显微镜(SEM)观察其形貌,结果表明,制备的新型负极材料在2 mol/L K2SO4电解液中能够完成1000次全放电/充电循环,库伦效率接近100%,容量保持80%,可以有效抑制锌枝晶,以实现电池的长循环稳定性. 相似文献
2.
本文将完全互补码(Complete Complementary Code, CCC)应用于多输入多输出(Multiple Input Multiple Output, MIMO)雷达目标探测中,针对具有非零多普勒的多目标检测问题,提出一种基于广义普洛黑-修-莫尔斯(Generalized Prouhet-Thue-Morse, GPTM)序列和二项式系数加权的信号处理方法。该方法分别在发射端和接收端进行处理,在发射端采用GPTM序列设计方法调整脉冲的发射顺序,以降低由多普勒引起的距离旁瓣;在接收端通过二项式设计(Binomial Design, BD)方法为各接收脉冲加上不同权重,扩大目标多普勒附近的清洁区。为综合上述两次处理的优势,将两次处理得到的距离多普勒谱进行逐点最小化处理,得到最终的距离多普勒谱,然后进行有序恒虚警检测。仿真结果表明,本文所提的信号处理方法具有良好的旁瓣抑制效果和多普勒分辨率,能够有效检测出非零多普勒目标。 相似文献
3.
4.
5.
该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e33增加、刚度 下降,导致Al1-xScxN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al1-xScxN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。 相似文献
6.
以水杨醛为起始原料,经Knoevenagel反应得到3-乙酰基香豆素,将其酮羰基与盐酸羟胺反应得到肟,利用肟羟基与不同碳数的二溴烷烃反应得到相应的溴代肟醚,再与硝酸银反应得到5个3-乙酰基香豆素肟硝酸酯杂合物。目标化合物的结构经红外光谱、核磁共振氢谱和质谱确证。用检测灵敏度高的CCK-8法评价了目标化合物对人肝癌HepG2细胞、人前列腺癌22RV1细胞、人胃癌HGC-27细胞及人肺癌A549细胞增殖的影响,结果显示3-乙酰香豆素肟硝氧丁基醚对受试的HepG2、HGC-27癌细胞具有较强的增殖抑制作用。 相似文献
8.
以从自然腐败的樱桃上分离的链格孢霉(Alternaria sp.)LD3.0086为指示菌,研究苯乳酸对链格孢霉的主要抑制作用靶位。应用分光光度法测定苯乳酸对链格孢霉的最小抑菌浓度,通过卡尔科弗卢尔荧光增白剂染液(calcofluor white,CFW)染色观察苯乳酸对菌丝顶端生长的破坏作用,利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察链格孢霉的超微结构变化,通过测定苯乳酸作用前后链格孢霉上清液中N-乙酰葡萄糖胺质量浓度变化研究苯乳酸对菌丝细胞壁的破坏作用,应用荧光双染色法观察苯乳酸对链格孢霉菌丝细胞膜的损伤作用。结果表明,12.5 mmol/L的苯乳酸能有效抑制链格孢霉的生长;与对照组(无菌水处理)相比,苯乳酸处理后链格孢霉顶端生长细胞无明显形变,经12.5 mmol/L苯乳酸处理的链格孢霉上清液中N-乙酰葡萄糖胺质量浓度基本不变;苯乳酸处理24 h,链格孢霉菌丝细胞壁表面无明显损伤,细胞内结构发生明显变化;苯乳酸短时间(4 h)处理链格孢霉,菌丝细胞膜仍较为完整,加入苯乳酸较长时间(8 h)后细胞膜发生破裂。综合分析可知,苯乳酸对链格孢霉的主要作用靶位应不是菌丝体的细胞壁和细胞膜,而是在菌丝体内部,通过破坏菌丝内部细胞器结构或引起细胞内的生化反应,从而抑制链格孢霉的生长和繁殖,发挥抑菌活性。 相似文献
9.
论述了位于不同层面的缺陷地结构(DGS)应用于功率放大器的设计。一种是在微带线的两侧接地面刻蚀DGS,另一种是在微带线的背面接地刻蚀DGS,通过ADS Momentum仿真确定DGS的尺寸,并将这两种DGS应用到一款4 W功率放大器中进行仿真和实际制板测试。实测结果显示在微带线两侧接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.76 d Bm时改善二次谐波13 d B,且输出功率和功率附加效率(PAE)优于不刻蚀DGS的功率放大器。在微带线背面接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.21 d Bm时改善二次谐波28 d B,由于DGS结构改变了正面微带线的特征阻抗,所以输出功率和功率附加效率低于不刻蚀DGS的功率放大器。 相似文献
10.