抑制锌枝晶的新型负极材料ZnSO4·3Zn(OH)2·H2O@石墨烯的制备

锌的可充电电池有良好的电化学性能,但锌枝晶的问题会导致其库伦效率降低,发生短路,甚至形成"死锌".利用沉淀法制备新型复合材料ZnSO4·3Zn(OH)2·H2O@石墨烯作为电池的负极,使用2 mol/L K2SO4作为电解液,利用沉淀-溶解机制以达到实现抑制锌枝晶的目的.采用X线衍射仪(XRD)对循环前后的负极材料进行表征,用电子扫描显微镜(SEM)观察其形貌,结果表明,制备的新型负极材料在2 mol/L K2SO4电解液中能够完成1000次全放电/充电循环,库伦效率接近100％,容量保持80％,可以有效抑制锌枝晶,以实现电池的长循环稳定性.     

适用于多端直流电网的电压极性比较式行波保护方案EI北大核心CSCD

相较于在直流线路两端配置限流电抗器,多端直流电网(multi-terminal DC power grid,MTDC)在换流站出口安装限流电抗器可在抑制短路电流的前提下减少经济性投资。针对此类拓扑结构下基于边界效应的直流线路保护不再适用的问题,该文分析了多端柔直电网线路故障下行波复杂的折反射现象,推导了线路发生区内外故障时,两端保护安装处测量到的前两个电压行波的表达式,揭示了区内外故障时线路两端的电压行波的极性特征,在此基础上提出了基于电压极性比较的行波保护方案。该方案无需考虑阈值设定和采样不同步的影响,能够可靠识别出区内外故障。最后,基于PSCAD/EMTDC仿真平台,验证了该保护方案的有效性。     

基于完全互补码波形的非零多普勒目标检测

本文将完全互补码(Complete Complementary Code, CCC)应用于多输入多输出(Multiple Input Multiple Output, MIMO)雷达目标探测中，针对具有非零多普勒的多目标检测问题，提出一种基于广义普洛黑-修-莫尔斯(Generalized Prouhet-Thue-Morse, GPTM)序列和二项式系数加权的信号处理方法。该方法分别在发射端和接收端进行处理，在发射端采用GPTM序列设计方法调整脉冲的发射顺序，以降低由多普勒引起的距离旁瓣；在接收端通过二项式设计(Binomial Design, BD)方法为各接收脉冲加上不同权重，扩大目标多普勒附近的清洁区。为综合上述两次处理的优势，将两次处理得到的距离多普勒谱进行逐点最小化处理，得到最终的距离多普勒谱，然后进行有序恒虚警检测。仿真结果表明，本文所提的信号处理方法具有良好的旁瓣抑制效果和多普勒分辨率，能够有效检测出非零多普勒目标。     

无黏土相盐水储层钻开液体系构建及其抗污染性能评价

采用NaCl/KCl/HCOONa复配欠饱和盐水作为钻开液的基础液相,自研的聚合物VIS-B作为流型调节剂,可酸溶的改性淀粉STA作为体系的降失水剂,Dua及Jqw作为暂堵材料,构建了一套无黏土相钻开液体系。该体系在密度1.10~1.28 g/cm^3间稳定可调,抗温可达130℃,具有较高的低剪切速率黏度和较好的润滑性能,且能有效抵抗各类储层污染物的污染,满足了Missan油田不同储层段的作业需求。     

掺钪AlN材料特性及HBAR器件性能研究

该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e₃₃增加、刚度 下降,导致Al₁-_xSc_xN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al₁-_xSc_xN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。     

3-乙酰基香豆素肟衍生物的合成及抗肿瘤活性

以水杨醛为起始原料,经Knoevenagel反应得到3-乙酰基香豆素,将其酮羰基与盐酸羟胺反应得到肟,利用肟羟基与不同碳数的二溴烷烃反应得到相应的溴代肟醚,再与硝酸银反应得到5个3-乙酰基香豆素肟硝酸酯杂合物。目标化合物的结构经红外光谱、核磁共振氢谱和质谱确证。用检测灵敏度高的CCK-8法评价了目标化合物对人肝癌HepG2细胞、人前列腺癌22RV1细胞、人胃癌HGC-27细胞及人肺癌A549细胞增殖的影响,结果显示3-乙酰香豆素肟硝氧丁基醚对受试的HepG2、HGC-27癌细胞具有较强的增殖抑制作用。     

苯乳酸抑制链格孢霉作用靶位的分析

以从自然腐败的樱桃上分离的链格孢霉（Alternaria sp.）LD3.0086为指示菌，研究苯乳酸对链格孢霉的主要抑制作用靶位。应用分光光度法测定苯乳酸对链格孢霉的最小抑菌浓度，通过卡尔科弗卢尔荧光增白剂染液（calcofluor white，CFW）染色观察苯乳酸对菌丝顶端生长的破坏作用，利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察链格孢霉的超微结构变化，通过测定苯乳酸作用前后链格孢霉上清液中N-乙酰葡萄糖胺质量浓度变化研究苯乳酸对菌丝细胞壁的破坏作用，应用荧光双染色法观察苯乳酸对链格孢霉菌丝细胞膜的损伤作用。结果表明，12.5 mmol/L的苯乳酸能有效抑制链格孢霉的生长；与对照组（无菌水处理）相比，苯乳酸处理后链格孢霉顶端生长细胞无明显形变，经12.5 mmol/L苯乳酸处理的链格孢霉上清液中N-乙酰葡萄糖胺质量浓度基本不变；苯乳酸处理24 h，链格孢霉菌丝细胞壁表面无明显损伤，细胞内结构发生明显变化；苯乳酸短时间（4 h）处理链格孢霉，菌丝细胞膜仍较为完整，加入苯乳酸较长时间（8 h）后细胞膜发生破裂。综合分析可知，苯乳酸对链格孢霉的主要作用靶位应不是菌丝体的细胞壁和细胞膜，而是在菌丝体内部，通过破坏菌丝内部细胞器结构或引起细胞内的生化反应，从而抑制链格孢霉的生长和繁殖，发挥抑菌活性。     

基于高频损耗比的干式空心电抗器制造缺陷检测方法及应用探讨

本文通过分析电抗器因制造工艺导致少匝和极限工艺偏差时600Hz损耗,提出高频损耗可作为电抗器制造缺陷的检测手段及其适用范围,并以600Hz的实测损耗与理论损耗之比是否超过1.5作为判据,以同组任两台损耗之比是否超过1.5作为辅助判据,同时列举应用实例.