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1.
低干扰低损耗新型MOSFET三阶驱动电路   总被引:3,自引:1,他引:2  
由于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)存在开关速度快、驱动容易等特点,故在变流电路中大量使用,但由此而产生的电磁干扰也越来越严重。驱动电路作为功率单元与控制电路的接口,其性能对电磁干扰的影响十分重要。该文在对MOSFET开关暂态过程进行详细地分析后,提出一种新的驱动电路,该驱动电路在不影响开关速度的情况下可以减小电磁干扰及开关损耗,而且该驱动电路与传统驱动电路相比仅需增加几个额外的低压器件,易于实现。文中最后给出了三阶驱动电路与其它几种不同驱动电路开通与关断时的电压电流波形及相应的传导发射。实验结果表明该驱动电路电磁干扰小,功率损耗低,开关速度快,无电压及电流的过冲现象,实现了驱动电路的优化。  相似文献
2.
蒋燕  罗洋  郑连清 《高压电器》2012,48(4):29-32,38
为解决由器件驱动信号不一致引起的多个IGBT串联电压不均衡问题,以实现串联IGBT在大功率高电压场合中的应用,笔者结合功率侧和栅极侧IGBT串联均压辅助电路的优点,提出一种基于增强密勒效应的IGBT串联有源均压辅助电路,并对其工作原理进行了论述。然后,建立IGBT串联仿真电路,对不带和带该均压辅助电路两种情况进行仿真。仿真结果表明,该均压辅助电路在IGBT串联运行时不仅能够很好地抑制IGBT驱动信号不一致造成的电压不均衡,而且能够有效防止过电压的发生,确保了IGBT串联的安全运行。  相似文献
3.
分散在MOSFET栅极、源极、漏极的寄生电感由于封装以及印制电路板(PCB)走线,改变了MOSFET的开关特性。通过仿真分析对比,指出MOSFET寄生电感存在如下特性:源极电感对栅极驱动形成负反馈,导致开关速度变慢,采用开尔文连接,可以将栅极回路与功率回路解耦,提高驱动速度;在米勒效应发生时刻需要合理地降低栅极电感来降低栅极驱动电流;漏极电感通过米勒电容影响MOSFET的开通速度,在关断时刻导致电压应力增加;在并联的回路当中,非对称的布局将导致MOSFET之间的动态不均流;当MOSFET在开关过程中,环路电感与MOSFET自身的结电容产生振荡时,可以在电路增加吸收电容减小环路电感,改变振荡特性。  相似文献
4.
功率半导体器件栅极氧化层退化对功率器件的正常运行产生严重影响,不同偏置应力导致栅氧化层退化形式不同,故栅氧化层的状态监测研究对确保功率器件的高可靠性具有重要意义。从栅氧化层退化的微观机理出发,建立相关特征参数与栅氧化层退化的精确函数关系,在栅氧化层退化的情况下对特征参数漂移量进行检测可以实现对功率器件栅氧化层的状态监测。围绕退化特征参数和退化模型方面的国内外研究,分类讨论基于阈值电压、米勒效应参数等状态监测方法的最新进展,并着重对栅氧化层状态监测方法的性能进行分析和对比。在此基础上,结合功率器件发展和应用趋势,展望了功率半导体器件栅氧化层状态监测的研究方向。  相似文献
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