水平岩层软弱基座危岩体演化过程研究

以重庆市甄子岩29号危岩体为研究对象，基于现场调查和分析解剖，建立UDEC离散元数值计算模型，对其演化变形过程进行模拟分析。研究表明，在巨大的自重作用下，由于基座岩体岩质软，岩体较破碎，且基座外侧为直立的陡崖，具有完整的临空面，从而使基座岩体易发生压缩流变及剪切流变，进而使危岩体存在滑移垮塌的危险。     

儿童用品TBT通报数据可视化预警研究

探索采用数据可视化技术分析儿童用品TBT通报数据,以可视化图形图像呈现通报热点并揭示趋势信息,提出对策与建议,助力为儿童用品产业升级、TBT预警数据分析和信息传播工作提供新思路,提高中小企业的国外市场准入机会。     

亲子乐园空调送风方式的数值模拟研究

大型综合室内亲子乐园属于高大空间,设有游乐设施和游戏的特殊性使得对空间的舒适性要求一致,但是送风气流遇阻严重,室内存在较多气流死角,影响室内空气质量和儿童健康。因此其空调设计不仅需要考虑温度、风速的空间均匀度,还要考虑各点的空气龄和PMV-PPD指标。以天津某亲子乐园为研究对象,利用scSTREAM软件对适用于该房间的辐射供冷加新风、置换通风、混合通风三种空调方式的送风效果进行数值模拟分析,从流场的均匀性、人员的热舒适性等方面对模拟结果进行探讨,研究结果表明辐射供冷加新风方式的空间均匀性和PMV指标最佳,混合通风方式的空气龄最小。     

黑龙江省节水增粮行动(2012—2015年)实施方案

文章通过对黑龙江省高效节水现状,存在问题的分析,结合黑龙江省高效节水发展的支撑能力,阐述黑龙江省节水增粮目标、任务及总体布局,为黑龙江省2012—2015年节水增粮实施提供依据。     

新形势下普通高校大学生行为管理模式研究

高校是培养人才的摇篮,肩负着科教兴国、人才强国两大历史性战略任务。由于社会环境的复杂化,人际关系的交错性,新时代的大学生行为状况给高校学生管理工作带来了新的挑战。针对新时期大学生行为特点,我们通过加强党建工作、强化学风建设、做好班级自主管理和深化社会服务四个方面工作进行分析,提出了全面引导、约束、规范和优化大学生的行为的建议和对策,从而有效解决新形势下普通高校学生管理工作的实际困难。     

施工中电焊机的安全使用简述

从电焊机自身电气特点及建筑工地工作环境入手,探讨电焊机安全技术的实施方法。分析电焊机安全隐患及事故的分类以及电焊机在使用过程中产生危险的原因。介绍电焊机在安装以及作业过程中的安全措施。     

Modeling the effect of deep traps on the capacitance–voltage characteristics of p-type Si-doped GaAs Schottky diodes grown on high index GaAs substrates

Numerical simulation, using SILVACO-TCAD, is carried out to explain experimentally observed effects of different types of deep levels on the capacitance–voltage characteristics of p-type Si-doped GaAs Schottky diodes grown on high index GaAs substrates. Two diodes were grown on (311)A and (211)A oriented GaAs substrates using Molecular Beam Epitaxy (MBE). Although, deep levels were observed in both structures, the measured capacitance–voltage characteristics show a negative differential capacitance (NDC) for the (311)A diodes, while the (211)A devices display a usual behaviour. The NDC is related to the nature and spatial distribution of the deep levels, which are characterized by the Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) technique. In the (311)A structure only majority deep levels (hole traps) were observed while both majority and minority deep levels were present in the (211)A diodes. The simulation, which calculates the capacitance–voltage characteristics in the absence and presence of different types of deep levels, agrees well with the experimentally observed behaviour.