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1.
The fabrication process of a low-temperature poly-Si thin-film transistor (TFT) with a storage capacitor was studied. The atmospheric-pressure chemical-vapour deposited SiO2 protected the buried indium tin oxide (ITO) from reduction by a pure H2 plasma treatment that was essential for the effective improvement of the poly-Si TFT characteristics. Thus, a storage capacitor with an ITO (picture electrode)-SiO2-ITO (buried common electrode) structure was successfully fabricated. The poly-Si TFT with a channel width/length W/L ratio of 5 drove a 3 pF storage capacitor in 2 μs, and it showed superior driverability for LCD use. The TFT also had good hold characteristics under illumination for the realization of grey-scale representation.  相似文献   
2.
New technologies such as power electronics have made it possible to change continuously the impedance of a power system not only to control power flow but also to enhance stability. A power system incorporating a variable impedance apparatus such as a variable series capacitor (VSrC) and high-speed phase shifter (HSPS) is called VIPS (Variable Impedance Power System) by the authors. This paper proposes a novel control method of VIPS apparatus such as VSrC and HSPS installed at an interconnecting point for stabilizing inter-area unstable and/or oscillatory modes. The proposed design method of the control system is a kind of hierarchical decentralized control method of a large-scale power system based on a Lyapunov function. Under the proposed control scheme, each subsystem can be stabilized independently by local controllers such as AVR, speed governor and PSS, and then the whole interconnected system can be stabilized by VIPS apparatus taking into account interactions between subsystems. The effectiveness and robustness of the VIPS apparatus control are shown by numerical examples with model systems including a large-scale power system.  相似文献   
3.
MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
李学宁  李原 《电子学报》1996,24(5):63-66
本文对MCT的核心工艺-三重扩散工艺进行了详细研究。通过SUPREM-Ⅲ计算机工艺仿真,获得了三重扩散的工艺条件。  相似文献   
4.
用于高压电容器的SrTiO3基陶瓷   总被引:3,自引:0,他引:3  
肖鸣山  王成建 《功能材料》1997,28(5):504-505
报道SrTiO3基陶瓷的制备方法和介电性质,给出了用此种陶瓷制成的高压电容器的试验结果,并对它位进行了讨论。  相似文献   
5.
一种基于混沌的随机数发生器设计及其IC实现   总被引:1,自引:1,他引:0  
在密码学、仿真学以及集成电路测试等许多领域 ,随机数起着重要的作用。在密码学中 ,通常要求所使用的随机数具有不可预测性。基于混沌现象 ,使用开关电容技术 ,用集成电路实现了一种硬件随机数发生器。测试结果表明 ,其产生的序列具有不可预测性 ,可以满足密码学的应用要求。  相似文献   
6.
开关电流技术:一种新的模拟抽样数据处理方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
李儒章 《微电子学》1996,26(4):209-215
开关电流(SI)技术是一种新的模拟抽样数据处理技术,介绍了开关电流电路的基本单元结构,讨论了目前开关电流技术中存在的问题及其解决方法。对开关电流技术与开关电容技术的一些基本特征进行了比较,SI技术不仅结构简单,而且与标准CMOS工艺兼容,可望替代开关电容电路。  相似文献   
7.
片式阻容元件的现状和发展方向   总被引:1,自引:1,他引:0  
在国外的片式元器件(SMD)中,片式阻容元件发展最快,主要表现为片式化率迅速上升,尺寸越来越小,性能越来越好,包装形式多样化和生产管理不断改进。本文综述了国外阻容元件在这些方面的进展,指出了我国的差距,提出了我国如何发展的措施。  相似文献   
8.
裘祖聿 《电信科学》1995,11(8):28-35
本文介绍了在新建的北京、上海、广州、国际交换机工程中采用新一代程控交换技术接通国际综合业务数字网,以及本工程采用的中继方式。  相似文献   
9.
本征吸除硅片特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文描述硅本征吸杂片的特性参数,如吸除区宽度、洁净度,氧沉淀密度、MOS电容寿命,介绍了表面态密度及残余间隙氧浓度的检测方法和工艺对参数的影响及参数之间的内在联系,文章还实验论证了不同参数水平对器件成品率的影响,建立了以MOS电容寿命为主导的参数控制方法,利用本文提供的控制参数,可使CCD-512器件成品率达60%,以上优品率≥85%。  相似文献   
10.
When a linear voltage ramp is applied to the gate of a MOS capacitor, a capacitancetime (C-t) transient is observed. The MOS capacitor is biased into strong inversion before applying the voltage ramp in order to eliminate surface generation. FromC-t transient curve obtained experimentally the minority carrier generation lifetime in semiconductor can be determined. The experimental results show that for the same sample the lifetimes extracted fromC-t curves under varying voltage sweep rates are close each other, and they are consistent with the lifetimes extracted by saturation capacitance method.  相似文献   
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