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1.
溶胶—凝胶法薄膜制备工艺及其应用   总被引:11,自引:0,他引:11  
简要评述了近年来溶胶-凝胶薄膜制备工艺的最新进展及其应用.与传统的薄膜制备工艺相比,溶胶-凝胶薄膜制备工艺过程温度低、设备简单、易于应用推广,可以在各种形状的基体上制得多元氧化物等优点,溶胶-凝胶薄膜制备工艺已在电子、光学、磁学、化学等各个领域得到广泛应用.  相似文献
2.
Ti-Si-C三元系化学势稳定性相图及其应用   总被引:7,自引:0,他引:7  
根据Ti-Si-C三元系在1200℃下各组元化合物的热力学数据和Ti-Si-C三元系在该温度下的平衡相图,计算了该三元系中各组元的化学势并作出了相应的化学势稳定性相图,结合平衡相图和热力学、动力学、物质平衡原则,应用于分析和预测固态置换反应原位合成Ti3SiC2-SiC复合材料反应路径中。  相似文献
3.
压电复合材料的制备   总被引:5,自引:0,他引:5  
压电复合材料的制备是压电复合材料研究中的一个重要环节。本文就2-2型、1-3型和0-3型三种连接类型提出了易行的制备方法。采用热压法、层叠-浸渍法和切割-填充法制备2-2型复合材料;1-3型采用层叠-浸渍法和切割-填充法;而0-3型则采用热压法、轧膜法和涂敷法。  相似文献
4.
引线框架用Cu-Al2O3复合材料的研究进展   总被引:4,自引:0,他引:4  
简单概述了引线框架材料的发展趋势,指出随着集成电路的发展,对引线框架材料的使用性能提出了新的要求.描述了Cu-Al2O3复合材料的各种制备方法和特点,以及这些方法对制备Cu-A12O3复合材料所存在的问题进行了分析.提出采用反应合成法制备Cu-Al2O3复合材料的新思路.并对Cu-A12O3复合材料的发展作了阐述.  相似文献
5.
Ti-Si-C三元系金属间化合物Gibbs生成自由能估算   总被引:4,自引:0,他引:4  
根据最小自由能原理和向下凸曲面性质,推导出估算三元系和二元系金属间化合物Gibbs生成自由能的判断式,并以Ti-Si-C三元系为例,估算了二元相和三元相的Gibbs生成自由能。  相似文献
6.
Cu-Cr自生复合材料研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
Cu-Cr自生复合材料由于其良好的综合物理、力学性能而备受材料研究者重视。本文对该材料的研究现状及发展趋势进行了系统介绍,对其制备方法及处理工艺作出了详细描述。  相似文献
7.
电子陶瓷材料的现状与展望   总被引:2,自引:0,他引:2  
概括了电子陶瓷材料的发展与现状,详细介绍了主要电子陶瓷的研究热点和发展前景,对近几年出现的新型电子陶瓷及其器件作了讨论.根据目前信息技术的发展状况及其应用需求,开发高性能多功能电子陶瓷及器件具有广阔的市场前景和经济效益.从具体材料发展到材料体系的研究以及单一性能向多功能复合器件的转换是目前电子陶瓷十分活跃的研究领域.  相似文献
8.
Ti3SiC2及Ti3SiC2基复合材料的研究现状及发展   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了Ti3SiC2陶瓷材料的微观结构与性能,认为该材料良好的综合性能有望解决陶瓷材料的脆性问题.并概述了Ti3SiC2及Ti3SiC2基复合材料各种制备方法的特点和研究状况、应用前景和发展趋势.  相似文献
9.
低压双功能TiO2压敏陶瓷的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用一次烧成工艺制备了具有电容性和压敏性双功能TiO2陶瓷.考察了Nb2O5施主掺杂对TiO2压敏陶瓷的显微结构、介电性能和压敏性能的影响.结果表明随Nb2O5掺杂量的增加,样品的晶粒粒径变大、晶界层变薄;压敏电压V1mA减小、非线性系数α和介电常数ε增大.当Nb2O5掺杂量为2 mol%时,TiO2压敏陶瓷有较好的压敏特性ε=22 000、V1mA=2.8 V和α=3.8.  相似文献
10.
基于VRML的电子陶瓷虚拟实验室   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍了以VRML为工具,将电子陶瓷的制备工艺、结构检测、性能测试以及实验结果数据处理等内容,采用交互式多媒体开发网上三维虚拟实验室的主要关键技术,内容包括三维建模、ASP实现动态数据查询、Java实现数据通讯和交互Web页面合成等。  相似文献
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