消失模铸造工艺的研究

随着我国工业技术的不断发展和完善,消失模铸造工艺得到了全面的发展,消失模铸造工艺具有节约木料、简化工序、提高生产效率和铸件质量的优势,得到了国内外铸造业的高度重视.本文将针对消失模铸造工艺进行研究,并对消失模铸造工艺的应用与发展进行了分析研究.     

白鹤滩水电站泄洪洞开挖、支护质量控制措施

本文以白鹤滩水电站泄洪洞工程上平段Ⅰ层开挖、支护为例,简单介绍了地下洞室大断面开挖、支护过程中的质量控制措施。     

通向精细化管理之路

业务流程优化(Business Process Improvement,简称BPI)并不是一个新名词,很多企业都已经认识到业务流程的重要性,认识到业务流程优化是提升企业竞争力、增强内部运营管理能力的一个有效手段,并将业务流程的管理和优化当作日常运营管理的一个重点。但是,很     

细长管内壁涂层技术进展及应用现状

内壁涂层技术是一种可以降低管内内容物对管壁损伤的有效方法,能有效的提升细管零件的使用寿命和服役安全性.近年来,在细长管内壁涂层制备技术也受到越来越多的关注,并在制备技术和应用方面均取得了重要的进展.系统介绍了目前国内外应用于内壁涂层制备技术的发展历史及其分类,重点对热浸镀、电镀、物理气相沉积、化学气相沉积技术在细管内壁涂层制备的成膜机理进行了详细的论述.基于细管内壁涂层技术的发展和应用状况,从理论研究、使用环境、技术工程化应用等方面,总结了现有研究和应用中的成果及存在的问题.重点从涂层材料体系、基体特性、厚度均匀性控制以及界面结合特征几个方面分别对上述技术的潜在应用前景进行了分析和展望.     

一种可用于高盐废水处理的纳滤膜研究

使用三乙烯四胺（TETA）和2,3-环氧丙基三甲基氯化铵（EPTAC）混合溶液为水相单体,均苯三甲酰氯（TMC）为油相单体,通过界面聚合制备纳滤膜。结果表明在水相溶液中TETA浓度为0.2 wt%,EPTAC浓度为0.4 wt%,油相溶液 TMC 为 0.2 wt%,反应时间 30 s,在 90 ℃下热处理为最佳条件。该复合膜在 25 ℃、0.5 MPa 条件下纯水通量为80 L/（m²·h）,是未添加 EPTAC 时水通量的 5.5 倍,对 NaCl 和 Na₂SO₄的截留率分别为 15% 和 98%;对于 15 000 mg/L NaCl 和 8 000 mg/L Na₂SO₄混盐溶液体系,Cl^-截留率低于 1%,SO₄^2-截留率高于 99.2%,显示了高分离选择性,满足高盐废水分盐要求。抗污染实验结果表明,该膜具有较好的抗污染性能,水通量恢复率可达99%。     

冷缩变形对大型曲轴箱的影响与事故预防

某些采用曲柄连杆机构的大型机械,曲轴箱受冷收缩时会发生变形。通过有限元分析方法计算寒冷环境对机械运转产生的不良影响,结果表明:冷缩变形造成曲轴箱的十字头滑道直径缩小,造成十字头滑道与十字头的径向间隙缩小,极有可能导致摩擦副无法形成润滑油膜。寒冷环境下的大型曲轴箱,应采用调整十字头滑道与十字头的径向间隙或防止曲轴箱温度降低的措施防止事故的发生。     

赤泥复合颗粒对Fe2+和Mn2+的吸附-聚沉性能

针对煤矿酸性废水中存在大量Fe2+、Mn2+和H+的污染问题,采用赤泥复合颗粒、脱碱复合颗粒及单独加碱对含Fe2+和Mn2+的煤矿酸性废水进行对比处理试验研究,并探讨了复合颗粒对Fe2+和Mn2+的去除机理。结果表明,赤泥复合颗粒释放总碱度为186.68 mg/g（以CaCO3计）,具有较强的pH值提升能力;复合颗粒通过吸附、沉淀、聚沉协同作用去除Fe2+和Mn2+,且以沉淀作用为主,投加量为2 g/L时的去除率分别为83.26%和67.27%;复合颗粒对Fe2+和Mn2+的吸附均符合Freundlich吸附等温方程,倾向于多分子层吸附;赤泥复合颗粒既能降低酸度,又能吸附重金属离子,可作为处理含Fe2+、Mn2+煤矿酸性废水的优良吸附材料。     

建筑结构胶粘剂的发展和展望

建筑结构胶粘剂经过30多年的发展已成为重要的结构粘接材料。本文综述了建筑结构胶粘剂发展与技术进步。并针对研发、原材料、生产及标准中存在的问题,探讨了其发展方向。     

牛平17-14水平井机械隔离分段压裂技术

牛平17-14井是位于三塘湖盆地马朗凹陷牛圈湖构造带牛圈湖背斜上的一口水平井,水平井段岩性为细砂岩,测井解释孔隙度8.0%,渗透率2.0×10-3 μm2.为典型的低孔、低渗储层,方位沿最大主地应力方位,方位角225.27°,水平段长301.01 m,水平井段用140 mm套管完井,射孔层段厚度209 m,射孔后无产量,组织开展了K341-98封隔器+桥塞机械隔离分段压裂工艺技术配套研究,并在牛平17-14井分别对三段射孔段进行了卡封分层大规模改造,现场施工均一次成功,为国内水平井机械隔离大规模压裂提供了宝贵的经验.     

在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN

采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层,在Si(∞1)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γ-Al2O3/Si(001)生长GaN情况,得到了六方相GaN单晶材料,实现了GaN c面生长.预铺薄层Al及高温AlN层可以提高GaN晶体质量,低温AlN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度.为解决Si(001)衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索.