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介绍了一种易于实现的基于断言的验证(ABV)方法,即经过5个步骤在设计文件中插入断言,使仿真器在仿真过程中监视设计中的关键功能点.该方法在UART的寄存器传输级(RTL)模型功能验证中的应用,实验中使用SVA描述设计属性.实验证明,这一方法提高了设计的可观察性,适用于数字集成电路功能验证. 相似文献
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在分析了SD卡传输协议的基础上,给出了一种SD卡控制器设计方案.其特点是采用了高速的AHB接口和特殊的DMA传输方式,因此可应用于高速实时数据流的处理.该设计已通过FPGA验证并达到了设计目标. 相似文献
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利用Ni/Ge/Au/Ni/Au和Pd/In两种金属结构成功地对体硅掺杂N-GaAs半导体(Nd=1018cm-3)和离子注入N-GaAs半导体(dose=8×1012cm2,注入有源区深度(d=0.2μm)制成低阻欧姆接触。并对实验结果和接触机理进行了讨论。所得合金接触的接触电阻率分别为10-6Ωcm2(1018cm-3掺杂),和10-3Ωcm-2(8×1012cm2注入)数量级并具有长期的稳定性。接触制备方法和GaAs工艺相适。 相似文献
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基于粒子群-小波神经网络的模拟电路故障诊断 总被引:1,自引:1,他引:0
针对传统小波神经网络技术在模拟电路故障应用中存在的问题,提出了一种基于粒子群-小波神经网络的模拟电路故障诊断方法.利用该方法对滤波电路进行了故障检测,结果表明,该方法优于传统的小波神经网络方法. 相似文献
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介绍了一种用于X射线工业检测的多通道电荷读出IC。该电荷读出IC可提供64个通道,将探测器电荷转换成模拟电压。电路由电荷放大器增益控制、增益电容阵列、时序发生器、移位寄存器链、电荷放大器阵列和采样保持放大器等组成,具有低噪声、14位动态范围等特性。电路芯片采用0.8μm标准CMOS工艺制造,芯片尺寸为3.1mm×10.9mm。电路在3.3MHz频率、5V电源电压和3.5V参考电压下工作,电路功耗为45mW。测试结果表明,在电荷放大器增益电容为0.5pF和光电二极管结电容为33pF下,电路的输出噪声达到600μV(Vrms)。 相似文献