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测量了Bi4Ti3O12(BTO)陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗。在温度损耗谱上观察到一损耗峰,通过氧处理和内耗等相关实验手段,证实该峰(PI)是与氧空位有关的弛豫峰。同时观察该峰随不同掺杂类型的变化,分析了BTO陶瓷B位掺杂对铁电性的影响。 相似文献
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