Microstructure evolution in a large—grained TiAl alloy

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＡｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓｒｅｃｏｖｅｒｙａｎｄｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎｍｅｃｈａｎｉｓｍ[1,2 ] ｗａｓｐｒｏｐｏｓｅｄｂｙＬｉｎａｎｄｃｏｗｏｒｋｅｒｓｆｏｒｔｈｅｓｕｐｅｒｐｌａｓｔｉｃｉｔｙｉｎｌａｒｇｅ ｇｒａｉｎｅ     

NMOS器件ESD特性模拟

NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。     

一种新型的在线计费系统的研究和设计

本文提出了预付费和后付费有机融合的新型在线计费系统,主要介绍了系统的总体框架结构和系统流程和在线计费系统的特点。     

数据挖掘在给水管网安全中的应用

简要介绍了数据挖掘及其在给水管网安全中的应用。提出了一种基于数据挖掘的时间序列相似性查询方法。通过对事故症候相似性查询，建立安全预警系统，为调度员提供事故预警信息。     

0．8μm SOI CMOS技术及电路研制

SOI CMOS技术在一些特殊应用领域中有着体硅无法比拟的优势文中叙述采用SIMOX材料和0.8μm SOI CMOS工艺加固技术成功研制出抗辐射性能较好的器件和电路,并且给出了SOI CMOS器件的特性随辐照总剂量的变化关系,试验电路通过了总剂量500 Krad(Si)钴60γ射线辐照实验。     

一种大容量异步FIFO的设计与实现

针对判断FIFO将空和将满两个状态位的难点,提出一种阈值可以由使用者改变的可编程判断方法.以内部RAM容量为16 kB的FIFO的设计为例,基于FIFO的一般结构,介绍了产生RAM地址指针的方式,分析了添加1位指针附加位以判断FIFO状态的方法.电路基于0.18μmCMOS工艺实现.仿真结果表明,这种状态判断方法可以快速、准确地判断出FIFO的状态,FIFO的最快读写频率可达160 MHz.     

建筑工程项目施工成本控制策略与措施

企业效益来自营业利润,而利润则与产品销量和综合成本有直接关系,对于建筑工程企业而言,也不例外。在确保工程项目质量达标并完整交付的情况下,通过控制项目施工成本,可以有效提高项目利润,为企业增加效益。本文通过对建筑工程企业施工成本控制方式的分析,提出优化措施,以期为建筑工程项目的成本控制提供一定帮助。     

B.t.蛋白的纯化与鉴定

通过碱溶、碱解的方法溶解B．t．蛋向,采用60％饱和度的硫酸钱粗提,Sephadex G-50层析凝胶分离,加1．5倍的95％乙醇可得晶体沉淀计冻干,所得B．t．蛋白含量为92％,SDS-PAGE电泳图谱显示所纯化的B．t．蛋白分子量为130KD,生物学检测时,幼虫至3铃虫的死亡卒均大于90％,生物活性达18000IU／mg,可T作抗原用。